Присутствует напряжение

В некоторых случаях уменьшить течь через микропоры в паяных и сварных швах можно с помощью анаэробных гермети-ков, обладающих уникальными свойствами: в течение нескольких лет они могут храниться в жидком состоянии в присутствии кислорода воздуха и быстро полимеризоваться при нарушении контакта с кислородом и наличии активатора; при этом образуется прочный полимерный слой. Ввиду малой вязкости (0,01 Па/с) анаэробные герметики могут затекать в любые зазоры и неровности и не требуется значительных усилий при сборке соединений и их разборке после полимеризации,

Вследствие тугоплавкости и большой механической прочности при повышенных температурах вольфрам можно использовать при температуре выше 2000 °С, но лишь в высоком вакууме или в атмосфере инертного.газа (азот, аргон и т. п.), так как уже при нагреве до температуры в несколько сот градусов Цельсия в присутствии кислорода он сильно окисляется ( 2.12).

Если дерево сжечь в присутствии кислорода с образованием углекислоты, воды и первоначальных азотистых соединений, то полученная при этом теплота будет отвечать энергии, доставленной растению Солнцем.

Стойкость 'Материалов к атмосферной коррозии. Для металлических деталей РЭА характерна атмосферная коррозия, протекающая под тонкой пленкой влаги на поверхности изделия в присутствии кислорода воздуха. При малом количестве воды концентрация ионов в растворе оказывается значительной, смывания продуктов коррозии не происходит (они остаются в местах разрушения, сцепляясь с поверхностью), поэтому химическая стойкость металлических деталей во многом определяется защитными свойствами продуктов коррозии.

Из (5-5) также следует, что соотношение параметров р и q изменяется в зависимости от сопротивления шлака (плава) и выбора напряжения. Хотя повышение напряжения целесообразно с точки зрения уменьшения электрических потерь во всех элементах установки, применяемые фазные напряжения лежат в интервале от 50 до 250 в. Это объясняется тем, что при повышении напряжения растут размеры газового проводника и температура в зоне реакций, что приводит к усиленному испарению основного элемента расплава. Если выделяющиеся пары уйдут на колошник печи, где они в присутствии кислорода воздуха окислятся, то это резко повысит затраты электроэнергии и безвозвратные потери продукта. Поэтому приходится идти на компромисс, обеспечивающий приемлемую скорость протекания процесса, при которой эти потери не слишком велики.

Если дерево сжечь в присутствии кислорода с образованием углекислоты, воды и первоначальных азотистых соединений, то полученное при этом тепло будет отвечать энергии, доставленной растению Солнцем.

Кроме того, окисная пленка в этом процессе становится локальным источником, из которого осуществляется диффузия атомов примеси в кремний. Например, при использовании в качестве внешнего источника фосфина и в присутствии кислорода в атмосфере трубы происходят следующие реакции:

Окись алюминия. На поверхности алюминия в естественных условиях всегда присутствует пленка А12О3 толщиной (5-i-15)10"3 мкм. Искусственно для целей микроэлектроники ее можно получить испарением в. вакууме, напылением алюминия в присутствии кислорода, катодным распылением, термическим разложением органических соединений алюминия, а также с помощью химических реакций в газовой фазе, плазменного распыления, анодирования в электролите или плазме газового разряда.

В вакууме испаряются корундовые или сапфировые навески из вольфрамовых или графитовых тиглей при электронно-лучевом нагреве. Осаждение А12О3 можно осуществить при испарении алюминия в атмосферу кислорода. Алюминий реагирует с кислородом над расплавом в объеме камеры и на подложке. После напыления пленку выдерживают несколько часов при 150°С в присутствии кислорода для доокисления. Нанесение пленок А12О3 можно также производить катодным распылением.

Кроме того, окисная пленка в этом процессе становится локальным источником, из которого осуществляется диффузия атомов примеси в кремний. Например, при использовании в качестве внешнего источника фосфина и в присутствии кислорода в атмосфере трубы происходят следующие реакции:

Вследствие тугоплавкости и большой механической прочности при повышенных температурах вольфрам может работать при высокой температуре (более 2000 °С), но лишь в глубоком вакууме или в инертном газе (азот, аргон и т. п.), так как уже при нагреве до температуры в несколько сот градусов Цельсия в присутствии кислорода он сильно окисляется (см. 7-10). Температурные зависимости некоторых параметров вольфрама приведены на 7-25, 7-26. Благодаря высокому ар вольфрам иногда используют для бареттеров. Такие бареттеры из-за тугоплавкости вольфрама обладают повышенной способностью выдерживать значительные перегрузки током.

Теперь рассмотрим усилители с последовательной ООС "по току. На 3.25 приведена принципиальная схема каскада ОЭ с последовательной ООС по току, которая создается резистором Лэ. Рассуждая аналогично, нетрудно показать, что рассматриваемая обратная связь является последовательной ООС (на эмиттере присутствует напряжение сигнала обратной связи той же полярности, что и f/BX на базе). Однако здесь уже будет ООС по току, что можно доказать с помощью метода КЗ нагрузки. Так, при (мыслен-

Схема управления силовыми каскадами всегда строится так, что ее выходной сигнал (широтно-модулированные импульсы) задается относительно общего проводника схемы. Как видно из 14.30, для ключевого транзистора VT2 этого вполне достаточно — сигнал можно непосредственно подавать на затвор (базу), так как исток (эмиттер) связан с общим проводом. Но как быть с транзистором VT1? Если транзистор VT2 находится в закрытом состоянии, a VT1 открыт, на истоке VT1 присутствует напряжение питания Uri. Поэтому для управления VT1 необходима гальванически развязанная с общим проводом схема, которая четко будет передавать импульсы схемы управле-

На выходе Q будет зафиксировано напряжение высокого уровня не* зависимо от уровней на входах А и В. Если на входе разрешения присутствует напряжение высокого уровня Е1=В, прохождение сигналов А и В будет разрешено. Если для проверки работы микросхемы входы А и В объединить и подать на них последовательность импульсов, на выходе Q она появится в инверсной форме.

обслуживают по четыре элемента. Если на входах ЕОа или ЕОВ присутствует напряжение высокого уровня, разомкнутся выходы Yal — —Уа4 и YE1—Ув4 соответственно. Состояния выходов этой микросхемы сведены в табл. 1.7.

Она потребляет ток 90 мА, когда на всех входах присутствует напряжение низкого уровня, и 95 мА, если выходы каналов переведены в разомкнутое состояние Z. Время задержки выключения в состояние Z составляет 30 ... 40 не. i

1ЗЯ?Р не превышает 20 не, для серии К155 t^p составляет 27 не, ^д°р = 19 не. Для микросхемы К531ЛИЗ t3S,P не превышает 7,5 не. Выходной стекающий ток 1^ык для микросхем И серии К155 равен 16 мА, для К531ЛИЗ 20 мА, для серии К555 8 мА. Микросхема К155ЛИ1 потребляет ток 1лОТ=33 мА (вариант К555ЛИ1—9 мА), если на всех влодах присутствует напряжение низкого уровня. В аналогичном режиме ток потребления для К.155ЛИЗ составляет 20, а для К555ЛИЗ 6,6 мА. Для К555ЛИ4 ток ^ =6,6 мА, для К555ЛИ5 4,4 чА. Для каждой из этих микросхем 1^ = 1,61^.

яано неправильное соединение двух выходов ТТЛ, представляющее реальную опасность перегрузки током короткого замыкания верхнего выходного транзистора VT1 из элемента DD1. Транзистор — эмиттер-ный повторитель не рассчитывается на большое значение вытекающего тока 1кз. Аварийная ситуация возможна, когда на выходе Q1 присутствует напряжение высокого уровня, а на выходе Q2 — низкого.

пряжение тактового входа переходит на высокий уровень и переносится в триггер-помощник по отрицательному перепаду тактового импульса (от В к Н). Отметим, что состояния выходов Q и Q неопределенные, если на входы S и R одновременно поданы напряжения низкого уровня. Кроме того, сигналы на входах J и К не должны меняться, если на входе С присутствует напряжение высокого уровня.

ные в каждом триггере переносятся от_входов на выходы_по отрицательному перепаду тактового импульса С. Когда импульс С переходит от высокого уровня к низкому, сигналы на входах J и К изменяться не должны. Данные от входов J и К следует загружать в триггер, когда на входе С присутствует напряжение высокого уровня. Режимы работы триггера из микросхемы ТВ6 следует выбирать по табл. 1.27.

Микросхема К155ТВ15 ( 1.63) состоит из двух независимых JK-триггеров, которые запускаются положительным перепадом тактового импульса. Каждый^ триггер имеет независимые асинхронные входы установки S и сброса R. Как и у других триггеров ТТЛ, если на одном входе (или на обоих) S и R присутствует напряжение низкого уровня, то прием_ сигналов по входам С, J и К запрещается, а выходные сигналы Q и Q устанавливаются на высокий или низкий уровни согласно пер~ вым трем строкам табл. 1.30.

«Счет окончен» на выводе ТС. Схемы присоединения последующих каскадов— аналогичные Режимы работы счетчиков ИЕ16 и ИЕ17 можно установить, пользуясь табл. 1 44 В колонке данных ТС сноской*) обо-Э1,ачено состояние уровень на выходе ТС окажется низким, если на ь-оде СЕТ присутствует напряжение низкого уровня, а счет закончен