Приращение коллекторного

Коэффициент р в данном случае равен RJR = 5. При определении чувствительности приращение аргумента Д*; удобно выбрать равным шагу его изменения, т. е. 0,025. Расчет сводим в табл. 4.25.

Приращение аргумента комплексного потенциала w при переходе через точку и, равно V = ф. Но при этом приращение аргумента а» должно быть равно при-

т. е. обеспечения устойчивости системы, необходимо и достаточно, чтобы при прохождении точкой р мнимой оси в положительном направлении приращение аргумента D (р) было равно пп.

плоскости, то при изменении со от —оо до -f °° приращение аргумента

Таким образом, правило аргумента гласит: приращение аргумента вектора D (/со) при изменении а от — оо до + оо равно разности между числом (п—т) корней характеристического уравнения D (р) = 0, расположенных в левой полуплоскости, и числом т корней, лежащих в правой полуплоскости, помноженной на л.

Случай б). Приращение аргумента Д arg D (/со) = 0,5я. Это следует из того, что на интервале от w=0 до точки / имеет место приращение аргумента, равное 0,5л. На [интервале от точки / до точки 4 приращение аргумента равно нулю, так как положительное приращение до точки 2' равно отрицательному приращению от точки 2' до точки 4. Приращение аргумента на промежутке от точки 4 до со = оо также равно нулю, поскольку предельное положение вектора при со=оо совпадает с мнимой осью.

Случай в). Приращение аргумента равно 3-0,5я, так как приращение аргумента до точки / равно нулю; приращение аргумента на интервале между точками 1 к 3 равно л, приращение на промежутке от точки 3 до ю=--оо равно 0,5л. поскольку предельное положение D(/oo)— совпадает с мнимой осью.

С л \ чай г). Приращение аргумента равно —0,5л, так как на интервале от ш = 0 до точки 2 приращение аргумента D (ja) равно нулю; от точки 2 до точки 3 равно Л arg D (/со) =—0,5л; от точки 3 до со= + оо приращение Д argD (/ш) = 0, поскольку предельное положение ?>(/<») совпадает с мнимой осью.

д). Приращение аргумента равно (—3-0,5я), так как на интервале

т. е. приращение аргумента годографа \ -\-Wv(ja>) определяется разностью приращений аргумента кривой Михайлова замкнутой и разомкнутой систем.

Приращение аргумента кривой Михайлова разомкнутой системы определяется ее состоянием (устойчива, неустойчива) и числом т корней в правой полуплоскости в случае неустойчивости. Следовательно, имея построенную амплитудно-фазовую характеристику разомкнутой системы, можно найти по ней A arg [ 1 + W9 (/со)]. А зная состояние

В результате обратного воздействия транзистора Т2 на 77 приращение коллекторного тока возрастает на величину А/кг/А/К1 =

При освещении области базы (Ф >> 0) в ней генерируются неравновесные пары носителей заряда — электроны и дырки, которые диффундируют к эмиттерному и коллекторному переходам. При этом электрическое поле коллекторного перехода втягивает в коллектор дырки, являющиеся для области базы неосновными носителями заряда, но задерживает в базе электроны, разделяя, таким образом, парные заряды. Ушедшие в коллекторную цепь дырки, образующие фототек /ф, увеличивают обратный ток коллектора на величину /к = /ф (режим фотодиода), а оставшиеся электроны при отключенной базе создают в ней отрицательный пространственный заряд, смещающий эмиттерный переход в прямом направлении. Это создает условия для инжекции из эмиттера в базу дополнительного количества дырок, которые, как и в обычном биполярном транзисторе, диффундируют через базу к коллекторному переходу и захватываются его полем, вызывая приращение коллекторного тока /к'. Так как электроны, возникшие в базе в результате внутреннего фотоэффекта, выполняют по сути роль управляющего тока базы обычного транзистора, то это приращение коллекторного тока равно /121э/ф. Общий коллекторный ток фототранзистора, проходящий во внешней цепи:

При поступлении на общий вход схемы в момент времени t\ импульса отрицательной полярности малой длительности состояние запертого транзистора 7*2 не изменится, однако транзистор Т\ выйдет из состояния насыщения (рабочая точка транзистора переходит из области насыщения на границу с активной областью) и восстановятся его усилительные свойства. При этом коллекторный ток /К уменьшается, а напряжение на коллекторе повышается. Положительное приращение коллекторного напряжения через резистор R передается на базу транзистора 7*2. Когда это приращение напряжения компенсирует напряжение смещения на базе транзистора 7*2, последний выходит из запертого состояния и его усилительные свойства восстанавливаются. С этого момента, когда выполняются условия самовозбуждения (5.4) и (5.5), начинается процесс опрокидывания триггера.

we можно пренебречь), достигнет нуля (момент времени /), транзистор отпирается и появляются базовый и коллекторный токи. Приращение коллекторного тока вызывает в обмотке шк ЭДС самоиндукции е\, за счет чего в обмотке w& наводится ЭДС взаимоиндукции ег отрицательной относительно базы полярности. Процесс уменьшения напряжения на базе и соответствующего возрастания коллекторного и базового токов носит лавинообразный характер и заканчивается насыщением транзистора. В этот момент формируется фронт генерируемого импульса, а так как его длительность мала, то напряжение на конденсаторе практически не успевает измениться.

На резисторе RQ создается напряжение 0,5—0,6 В, обеспечивающее фиксацию потенциала коллектора относительно потенциала базы, т. е. напряжение UR будет сохранять потенциал коллектора всегда положительным (0,2 В), что характеризует состояние ТК на границе насыщения. При отпирании транзистора диод будет закрыт до тех пор, пока ?/Вых(7) не станет меньше Uк на 0,3—0,4В (падение напряжения на открытом диоде). Тогда диод открывается и дальнейшее приращение коллекторного тока идет только через диод V, ток базы при этом уменьшается на величину тока диода /д ( 5.6, б).

Предположим, что в рассматриваемый момент времени флуктуационное отклонение тока /Kl привело к его возрастанию. Увеличение этого тока вызывает положительное приращение коллекторного напряжения ик1. Поскольку uKl« _? -{- /Kl#Kl, то увеличение тока /К1 приводит к увеличению напряжения ык1 на величину A«Ki- Положительное приращение напряжения на входе каскада, выполненного на транзисторе Т2, приводит к запиранию этого транзистора и уменьшению его коллекторного тока.

при напряжении на базе, близком к нулю, /ко----------------- (см. § 3.2). Приращение коллекторного тока транзистора Tz

Следующим этапом переходного процесса переключения является этап регенерации (интервал (2—(3 на 6.26, а). После перехода триггера в режим регенерации переходный процесс происходит следующим образом. Усилитель- • ный каскад на транзисторе Tt имеет выходное сопротивление /?К2. Через конденсатор GI каскад нагружен на внешнюю нагрузку, которую составляет в основном сопротивление гвх а транзистора Т\, работающего в активном режиме. Поскольку входное сопротивление транзистора 7\ невелико (г„х a < RK), то можно считать, что каскад на Т2 работает на внешнюю короткозамкнутую нагрузку. Полагая, что ускоряющий конденсатор С( имеет достаточно большую емкость и напряжение на нем за время регенерации практически не меняется, приходим к выводу, что во время регенеративного процесса напряжение на коллекторе Tt тоже практически не меняется. Это напряжение по второму закону Кирхгофа складывается из напряжения на Съ которое постоянно, и напряжения на входе транзистора T^, которое при нашем допущении близко к нулю, т. е. тоже постоянно. При постоянном напряжении на коллекторе Tt ток этого транзистора изменяется, но все изменение тока через Ct идет в цепь базы Tlt В аналогичных условиях находится транзистор TI, работающий также в активном режиме. Выходное сопротивление каскада на транзисторе TI равно /?„), Через конденсатор С2 к выходу этого транзистора подключено входное сопротивление /•Вха каскада на транзисторе Га. Поскольку гвха < /?к(, то напряжение на коллекторе практически не меняется, а все изменение коллекторного гока замыкается через базовую цепь Tt. Приращение коллекторного тока транзистора Т3, вызванное его отпиранием, передается в базовую цепь Tit увеличивая запирающий ток в базе этого транзистора (см. 6.26, б). Коллекторный гок транзистора TI продолжает интенсивно уменьшаться. Уменьшение тока iK\(t) (см. 6.26, г) вызывает равное ему увеличение базового тока i$t(t). Из-за этого транзистор Tt отпирается еще больше; дальнейшее приращение его коллекторного тока создает одинаковое приращение запирающего тока в цепи базы TI, Процесс отпирания T.t и запирания Г( развивается лавинообразно и заканчивается в момент времени /„, когда ток коллектора Г, уменьшится до /„„ (см. 6.26, г) Это свидетельствует о запирании транзистора T^ и потере им усилительных свойств. Условия для существования регенеративного процесса нарушаются, регенеративный этап работы схемы заканчивается. За время регенерации ток коллектора транзистора 7\ уменьшился на Д/к1рер= /ки —

В качестве исходного примем состояние, при котором транзистор закрыт, а конденсатор С, заряженный в предыдущем цикле работы до максимального напряжения, медленно перезаряжается через резистор R и обмотку w6 ( 10.26, б). Напряжение на базе положительно, и транзистор удерживается в закрытом состоянии. Когда в процессе перезаряда напряжение на базе, равное напряжению на конденсаторе (при медленном изменении тока напряжением на обмотке и>б можно пренебречь), достигает нуля, транзистор открывается и появляются базовый и коллекторный токи. Приращение коллекторного тока вызывает появление в обмотке WK э. д. с. самоин-

Как видно из (3.13), при #б<=оо сдвиг характеристики прямой передачи отсутствует, а при /?б=0 приращение коллекторного тока оказывается значительным.

Cf передается на базу Т2, выводит транзистор Т2 из режима насыщения и переводит в активный режим. Транзистор Г2 начинает запираться. Ток через R9, а следовательно, и напряжение на этом резисторе изменяются под действием двух противоположных явлений: транзистор TI отпирается и его эмиттерный ток возрастает, но транзистор Г2 запирается и его эмиттерный ток убывает. Для оценки результирующего воздействия необходимо учитывать следующее: а) отпирание транзистора Tj идет входным импульсом, а запирание транзистора Т2 — импульсом напряжения, поступающим с коллектора Тг, т. е. предварительно усиленным, имеющим большую амплитуду-J По этой причине, изменение эмит-терного тока Т2 больше, чем приращение коллекторного тока 7\; б) значение RKf больше RKS. Если в длительно устойчивом состоянии эмиттерный ток через R3 определялся сопротивлениями резисторов RK2 и R9 и был равен /э « E/(RK2-l-R,), то после переключения транзисторов он должен принять

Следующим этапом переходного процесса переключения является этап регенерации (интервал /2 — /3 на 5.26, а). После перехода триггера в режим регенерации переходный процесс происходит следующим образом. Усилительный каскад на транзисторе Т.2 имеет выходное сопротивление ??К2. Через конденсатор С1 каскад нагружен на внешнюю нагрузку, -которую составляет в основном сопротивление гвха активного транзистора 7\. Поскольку входное сопротивление транзистора 7\ невелико (гвх а^^к)- то можно считать, что каскад на T.z работает на внешнюю короткозамкнутую нагрузку. Полагая, что ускоряющий конденсатор С1 имеет достаточно большую емкость и напряжение на нем за время регенерации практически не меняется, приходим к выводу, что во время регенеративного процесса напряжение на коллекторе Т2 тоже практически не меняется. Эго напряжение по второму закону Кирхгофа складывается из напряжения на С\, которое постоянно, и напряжения на входе транзистора Г,, которое при нашем допущении близко к нулю, т.е. тоже постоянно. При постоянном напряжении на коллекторе Тг ток этого транзистора изменяется, но все изменение тока через С, идет в цепь базы Т,. В аналогичных условиях' находится транзистор 7\, работающий также в активном режиме. Выходное сопротивление каскада на транзисторе 7\ равно ??К1. Через конденсатор С3 к выходу этого транзистора подключено входное сопротивление каскада гвх а на транзисторе Г2. Это сопротивление выполняет функцию внешней нагрузки для каскада на 7\. Поскольку гвха<^:Як,, то напряжение на коллекторе Т, практически не меняется, а все изменение коллекторного тока замыкается через базовую цепь Т1,. Приращение коллекторного тока транзистора Тг, вызванное его отпиранием, передается в базовую цепь 7\, увеличивая запирающий ток в базе этого транзистора (см. 5.26,6). Коллекторный ток транзистора Tj продолжает интенсивно уменьшаться. Уменьшение тока i'K] (/) (см. 5.26, г) вызывает равное ему увеличение базового тока 1'б2(0- Из-за этого транзистор Т2 еще больше отпирается; дальнейшее приращение его коллекторного тока создает одинаковое по величине приращение запирающего тока в цепи базы 7\. Процесс отпирания Т2 и запираний 7\ развивается лавинообразно и заканчивается в момент времени t.t, когда ток коллектора Т1 уменьшится до /ко ( 5.26, г). Это свидетельствует о запирании транзистора 7\ и потере им усилительных свойств. Условия для существования регенеративного процесса нарушаются, регенеративный этап работы схемы заканчивается. За время регенерации ток коллектора транзистора 7\ уменьшился на