Приобретает положительный

= U/Z = U/R. При этом ток в цепи приобретает максимальное значение.

появиться не может. Она затухает с постоянной времени TZ этого контура и может иметь значения как большие Т\, так и соизмеримые с ним. Это определяет характер изменения во времени результирующего тока i0. Рисунок 3.12,6 соответствует случаю T2>Ti (Г1 = 0,05 с, Г2=1 с). Чем больше Т\ и Г2, тем медленнее затухает переходный процесс. В некоторый момент времени to приобретает максимальное значение.

горий аппаратуры (самолетной, корабельной, автомобильной и др.) кроме вибрации могут иметь место удары. Действие удара сводится к тому, что основание, на котором закреплен аппарат, за короткий промежуток времени приобретает большую скорость, т. е. на него действует большое ускорение. Аппарат, жестко закрепленный на основании, испытывает такое же ускорение. Если аппарат закреплен на основании с помощью амортизаторов, то за счет их деформации скорость аппарата приобретает максимальное значение за больший промежуток времени, поэтому на него действует меньшее ускорение.

При малых входных напряжениях ОУ в работе не участвует. Входное напряжение фактически прикладывается к делителю, состоящему из сопротивлений резистора Л3 и нагрузки RH. Часть напряжения входного сигнала выделяется на сопротивлении нагрузки /?„. При определенном входном напряжении происходит закрывание диодов моста. Коэффициент усиления напряжения ОУ принимает максимальное значение. Напряжение на выходе ОУ приобретает максимальное положительное или отрицательное значение (+Ua или — Un в зависимости от полярности напряжения входного сигнала). При этом происходит электрический пробой одного из стабилитронов (VD6 при напряжении на выходе ОУ + С/п, VD5—при —{/„). Дальнейшему увеличению напряжения на выходе с ростом мвх препятствует стабилитрон, находящийся в состоянии обратимого электрического пробоя.

На завершающем /// участке кривой восстановления сеточного запирания, являющемся более пологим, наличие ионов в сеточных отверстиях поддерживается почти исключительно за счет их прихода из соседних объемов, где деионизация происходит более медленно из-за большего удаления стенок. К концу участка III прибор приобретает максимальное выдерживаемое им прямое напряжение при заданном напряжении смещения на сетке

При максимальном значении гд = 2циако отношение k приобретает максимальное значение k', а при минимальном значении 2ц= 2циин — минимальное значение k":

При соотношении k^'l/ --^— ха ^актеристика тока во втором контуре имеет только один экстрему»/. Ток /2 приобретает максимальное значение при ?2 = 0.

При &Q <; 0,49 также существует только один корень ? = О, при котором ток /! приобретает максимальное значение. При значении &Q > 0,49 кривая проходит через минимум при ?р' = 0 и через максимумы при значениях расстройки ?р и р'. сительных

Это выражение показывает, что нал лчие реактивной части нагрузки уменьшает к. п. д. Оптимальным значением реактивного сопротивления Х2, при котором к. п. д. приобретает максимальное значение, является XionT = 0. Тогда

где As -» Ан, РНСХ (HI = Р2н + РТ + Рд; ^ssi — отрезок перпендикуляра к диаметру, заключенный между окружностью и линией механической мощности AaAt. Электромагнитный момент приобретает максимальное значение Мт(+1 или Мт,_, при совпадении точки As с точкой Ат(+) (при положительном скольжении) или с точкой Ат,_, (при отрицательном скольжении). В этих точках длина AgB^, отрезка, .перпендикулярного к диаметру и заключенного между окружностью и линией электромагнитной мощности А^А^, максимальна

ток ia6 приобретает максимальное значение не при t = О, а несколько позже;

Основное свойство источника электрической энергии— способность создавать и поддерживать разность потенциалов на отдельных участках цепи, а также возбуждать и поддерживать электрический ток в замкнутой цепи — характеризуют его электродвижущей силой. Величина э. д. с. (Е, е) равна той энергии, которую приобретает положительный заряд величиной в 1 Кл, перемещаясь под действием сторонних сил по источнику. Если за время dt по источнику переменного тока проходит заряд dq = idt, то развиваемая источником энергия dW3 — edq — eidt и мгновенная мощность р = dWa/dt = ei. Для источника постоянного тока развиваемые энергия и мощность соответственно равны: W9 = Elt и Р — EI.

Функции элементов схемы полевого транзистора с затвором в виде р—^-перехода ( 9.7, б) несколько отличаются в связи с потенциальным механизмом его управления. Здесь резистор RK в цепи истока осуществляет не только стабилизацию, но и смещение рабочей точки. Действительно, при протекании по каналу сквозного тока покоя / п на этом резисторе создается падение напряжения (0,1— 0,5)В. Следовательно, по отношению к общей (заземленной) шине исток приобретает положительный потенциал такой же величины. Поскольку затвор электрически связан с общей шиной, то их потенциалы одинаковы, так как падение напряжения на резисторе R3 ничтожно мало. Таким образом, по отношению к истоку затвор оказывается обратно смещенным, а рабочая точка сдвигается в левую часть переходной характеристики. Величина этого сдвига не должна быть меньше амплитуды входного сигнала, чтобы исключить возможность работы перехода канал—подложка при прямом смещении.

Под действием внешних излучений часть ковалентных связей нарушается ( 1.1,6). Появляются «свободные» электроны, не связанные с атомами, и незаполненные связи — дырки. Атом, потерявший электрон, приобретает положительный результирующий заряд.

Таким образом, на фронте волны возникает ЭДС самоиндукции, численно равная напряжению генератора. На фронте волны происходит зарядка проводов линии: один провод, например верхний, присоединенный к плюсу источника ЭДС, приобретает положительный заряд, другой (нижний) — отрицательный заряд (такой же величины).

Потенциальные постоянные всегда положительны (потому что положительному заряду соответствует положительный потенциал и тело при внесении его в поле положительного заряда приобретает положительный потенциал).

полупроводника ( 1.20). Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов — поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. Таким образом, в полупроводнике при его освещении возникает электрическое поле или ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие.

В поверхностном слое освещаемого полупроводника возникают фотоносители — дополнительные дырки и электроны. Коэффициент диффузии электронов больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии из места генерации фотоносителей электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов — поверхность полупроводника приобретает положительный заряд по отношению к объему. Возникает дополнительная составляющая фото-ЭДС. Кроме того, при наличии на поверхности ловушек захвата носителей одного знака (только дырок или только электронов) возникает составляющая фото-ЭДС как итог диффузии в глубь полупроводника носителей заряда другого знака.

Таким образом, на фронте волны возникает э. д. е. самоиндукции, численно равная напряжению генератора. На фронте волны происходит зарядка проводов линии: один провод, например верхний, присоединенный к плюсу источника э. д. с., приобретает положительный заряд, другой (нижний) — отрицательный заряд (такой же величины).

гальваномагнитного эффекта Холла. Датчик Холла ( 15-2) представляет собой пластинку полупроводника, имеющую толщину d, длину а, ширину b (причем я/?> !> 1). Пусть вдоль пластинки протекает ток / (управляющий ток). Если теперь поместить эту пластинку в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, то в третьем направлении, перпендикулярном направлению тока и магнитного поля, появится разность потенциалов, так называемое напряжение Холла UH- Физический смысл этого эффекта состоит в том, что в материалах с электронной проводимостью на движущиеся электроны (образующие ток /) воздействует сила Лоренца, возникающая под влиянием магнитного поля, направленного перпендикулярно к плоскости ab пластинки. Эта сила направлена перпендикулярно направлению движения электронов и магнитному полю и отклоняет электроны к верхнему краю пластины. Благодаря накоплению электронов на верхнем крае пластинки этот край заряжается отрицательно, а нижний край обедняется электронами и приобретает положительный заряд. Процесс электрического заряда краев пластинки продолжается до тех пор, пока сила, вызываемая электрическим полем возникающих электрических зарядов, не уравновесит силу Лоренца. Таким образом, видна прямая зависимость между напряжением Холла UH с одной стороны и значением управляющего тока / и индукцией магнитного поля В с другой стороны. Эта зависимость может быть записана следующим образом:

В случае германия примесями первого вида служат элементы пятой группы, например, мышьяка с 5 электронами на внешней оболочке. При замещении германия мышьяком его четыре электрона образуют валентные связи с четырьмя соседними атомами германия. Пятый электрон внешней оболочки мышьяка не может образовать связи с ближайшими атомами и поэтому он легко освобождается. Для этого требуется ничтожно малая энергия — 0,013 эв. Появление свободного электрона в этом случае не сопровождается возникновением дырки, так как ни одна из связей не нарушается. Атом мышьяка приобретает, положительный заряд, но он не может, перемещаться.

Наличие на поверхности полупроводникового кристалла поверхностных уровней вызывает электронные переходы из валентной зоны на эти уровни или с поверхностных уровней в зону проводимости. Поскольку эти энергетические уровни влияют на свойства полупроводников так же, как и примесные (донорные или акцепторные), с их образованием связано возникновение поверхностного заряда, т. е. поверхность полупроводникового кристалла приобретает положительный или отрицательный заряд, Так, наличие на поверхности кремниевой пластины атомов воды или кислорода приводит