Принятыми допущениями

Для данной температуры п,- •— величина постоянная. В примесном полупроводнике преобладают носители одного знака,но произведение их концентраций остается постоянным:

Поскольку в примесном полупроводнике

станавливается, когда при данной температуре произведение концентраций носителей заряда в примесном полупроводнике становится равным аналогичному произведению в собственном полупроводнике, т.е.

В примесном полупроводнике с дырочной электропроводностью основными носителями зарядов являются дырки, образующиеся при переходе валентных электронов из атомов основного вещества в атомы акцепторной примеси, а неосновными носителями зарядов — электроны, переходящие из валентной зоны в зону проводимости в процессе термогенерации.

Концентрация дырок в примесном полупроводнике типа р значительно больше концентрации электронов.

4. Какова концентрация носителей заряда в примесном полупроводнике?

Уравнение (5.4) допускает решение в аналитическом виде только в частных случаях. Рассмотрим некоторые из них для примесного электронного полупроводника. При существовании обогащенного слоя концентрация основных носителей заряда в примесном полупроводнике настолько превосходит концентрацию неосновных, что влиянием последних на объемный заряд можно пренебречь:

Граница между обедненной областью и областью электронейтральности не является резкой вследствие некоторого размытия, обусловленного функцией распределения носителей заряда. По этой причине в однородном примесном полупроводнике концентрация носителей заряда уменьшается практически до нуля на расстояниях около пяти дебаевских длин экранирования 1Э и, следовательно, х определяется с точностью ±2/э. Таким образом, пространственное разрешение вольт-фарадных методов принципиально ограничено значением дебаевской длины экранирования в данном полупроводниковом материале.

Напряжение диода обратное 18 Носители заряда неосновные в примесном полупроводнике 9 -------основные в примесном полупроводнике 9

Операционный усилитель 200, 202 Основные носители заряда в примесном полупроводнике 9

2.7. Образование свободного электрона и неподвижного положительного заряда в примесном полупроводнике до-норного типа

принятыми допущениями вся • i электрическгя емкость в це- Ч„

В соответствии с принятыми допущениями можно выделить пять изотермических областей: 1) нагретую зону (/3); 2) кожух (tK); 3) воздух в нижней части (t\); 4) воздух в верхней части (t2); 5) окружающую среду (tc). Эквивалентная схема теплового процесса представлена на 6-19,6. Тепловая мощность Р, выделяемая в нагретой зоне, рассеивается тремя путями: конвективно передается кожуху в нижней и верхней части блока и излучением — кожуху. Кожух наружной поверхностью рассеивает тепловую энергию в окружающую среду конвекцией и излучением. С внутренней поверхности кожуха тепло конвекцией передается воздуху, протекающему внутри блока. Воспринимаемое воздухом тепло идет на повышение его теплосодержания, поэтому точки эквивалентной схемы с температурой t\ и t% можно считать стоками энергии с производительностью Qi И @2-

триод Г3 открыт и насыщен в течение всего процесса заряда конденсатора. В (8.125) в соответствии с принятыми допущениями i9 = ?'c/^9. Таким образом, на выходе расширителя импульсов имеется выходное напряжение, возникшее практически одновременно с входным.

Чтобы уменьшить ошибки, вызванные принятыми допущениями, вводят поправочные члены k\ и kz:

1 Приведенные показатели являются лишь принятыми допущениями.

В качестве основной предпосылки в соответствии с ранее принятыми допущениями (см. § 2-1) считаем, что между токами и напряжениями рассматриваемых цепей сохраняется линейная зависимость и, следовательно, они могут быть связаны линейными дифференциальными уравнениями с постоянными коэффициентами. Для силовых трансформаторов и автотрансформаторов в условиях короткого замыкания (или значительных перегрузок) это допущение практически выполняется, поскольку основные магнитные потоки и обусловленное ими насыщение магнитопроводов при этом становится меньше. Иное положение имеет место в измерительных трансформаторах тока при протекании по их первичным обмоткам больших токов короткого замыкания (или перегрузки). Здесь ток во вторичной обмотке сильно зависит от насыщения магнитопровода. Последний вопрос представляет предмет специального исследования.

4. Для экспериментальной проверки построенной кривой, выход цепи соединить с входом лучевого осциллографа. Рекомендуется использовать режим ждущей развертки. Прерывание (отдельная кнопка на макете № 2) обеспечивает периодическое отключение цепи от источников с частотой много меньшей частоты автоколебаний. Это дает возможность наблюдать на экране процесс перехода от состояния равновесия к автоколебаниям. Устанавливая последовательно значения Ео от 0 до E0,nav (то есть перемещаясь по кривой 1) и плавно изменяя индуктивную связь (регулировка М) фиксировать значения М при которых наступает потеря устойчивости (возбуждение автоколебаний). Определенные таким образом М записать в последней строке таблицы, а затем нанести на график 14.4. Отклонения этих точек от теоретической кривой можно объяснить погрешностями замеров и принятыми допущениями, упрощающими расчетную часть эксперимента.

Первый закон Кирхгофа, или закон Кирхгофа для узлов, применительно к узлам электрической цепи вытекает из принципа иепрерывности электрического тока (см. § 1.7). Охватим узел цепи замкнутой поверхностью s ( 3.24). В соответствии с принятыми допущениями вся электрическая емкость в цепи с сосредоточенными параметрами предполагается сосредоточенной в конденсаторах, включенных в цепь. Это соответствует пренебрежению токами электрического смещения, отходящими от соединительных проводов к другим участкам цепи. Таким образом, сквозь замкнутую поверхность s проходят только токи проводимости в проводниках, пересекающих эту поверхность. Согласно принципу непрерывности тока, в данном случае полу- рис з 24 чаем

Исследуем режим работы электродвигателя. Результат определится целью, принятыми допущениями (упрощениями), временем измерения [понимаемым и как длительность интервала, и как время года (дня), конец—начало месяца, года, пятилетки], точностью измерительных приборов, сопоставимостью параметров источника питания, состоянием механической часта, квалификацией персонала и другими техническими и социальными факторами. Есть и причины внешние, которые мы отбрасываем, теряя физику явления, скатываясь к различным вероятностным построениям, включающим теорию игр, массового обслуживания. Исключаемыми из интервала осреднения оказываются режим короткого замыкания, простои при работе на холостом ходу, аварийные и наладочные режимы и т. д.

более характерных помех, обусловленных переходным процессом, для подавления которых и предназначен фильтр ЧФ1. Поэтому здесь, используя основные ее положения, проведем синтез фильтров ЧФ2. В качестве фильтров целесообразно взять фильтры Винера. Тогда воспользуемся выражением (5.13) с принятыми допущениями относительно стационарности процесса при временном окне (5.20).

В соответствии с принятыми допущениями сформирована структурно-поточная схема ЭГЭ, представленная на 5.6. Она позволяет перейти к следующему этапу формирования математической модели СФЭУ — разработке математических моделей отдельных процессов, которые осуществляются в конструктивных элементах, указанных на структурно-поточной схеме, и модели ЭГЭ в целом.