Применения вычислительных

2. Запас стабильности выходного напряжения принимается равным 20 %, чему соответствуют предельные отклонения выходного напряжения ±0,4 %. Установление данного запаса потребует применения транзисторов с более высоким коэффициентом передачи тока.

3.8. РАЗНОВИДНОСТИ И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Таким образом, основная область применения транзисторов с ДШ— это цифровые микросхемы с повышенным быстродействием. Отметим, что использование транзисторов с ДШ дает положительный эффект только в тех случаях, где транзистор работает в режиме насыщения, например в схемах ТТЛ (см. § 7.3). Не следует думать, что быстродействие цифровых микросхем при замене обычных транзисторов транзисторами с ДШ повысится в столько же раз, во сколько уменьшится время рассасывания. При работе биполярного транзистора в импульсном режиме кроме времени рассасывания наблюдаются времена задержки, нарастания и спада, которые определяются барьерными емкостями переходов и емкостями нагрузки [3]. Поэтому применение транзисторов с ДШ позволяет повысить быстродействие цифровых микросхем в 2 ... 5 раз (чем больше эффективное время жизни дырок в коллекторе, геи больше выигрыш в быстродействии).

Для большинства случаев применения транзисторов необходимы минимальные значения обратных токов во всем диапазоне допустимых напряжений.

§ 16.10. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ И ТИРИСТОРОВ

Карточка № 16.10 (344) Области применения транзисторов и тиристоров

105. Вспомните, как зависит длина волны де Бройля от массы тела. 106. Укажите еще ряд областей применения транзисторов и тиристоров. 107. Правильно 108. Квантовое число не принимает нулевых значений. 109. Правильно, энергия —3,38 эВ соответствует п=2, поэтому г = 4л]. 110. Отпет неполный. 111. Правильно, в этом случае свободных носителей заряда нет. 112. Правильно, кроме электрона проводимости образуется и дырка. 113. Повышение температуры тоже повышает собственную электропроводность. 114. Увеличение ширины запрещенной зоны ведет к уменьшению проводимости. 115. Примесные зоны облегчают образование пар свободных носителей заряда. 116. Правильно, фосфор — донорная примесь. 117. Правильно, сурьма — донорная примесь. 118. Учтите, что электроны валентной зоны переходят в примесную. 119. Вы перепутали типы носителей. 120. Правильно, диффундирующие электроны «обнажают» положительные ионы. 121. Подумайте, в каком направлении включен р-п-переход. 122. Электрический пробой не опасен, если он не сопровождается тепловым. 123. Правильно, разделенные объемные заряды образуют конденсатор. 124. Правильно, этот метод применяется в точечных диодах. 125. Правильно, мышьяк — донорная примесь п-типа. 126. Правильно, повышение температуры лишает диод вентильных свойств. 127. Вы перепутали области применения диодов. 128. Диоды выходят из строя только при тепловом пробое. 129. Правильно. 130. Вы перепутали полярность включения р-я-переходов. 131. Учтите, что увеличится рекомбинация дырок, эмитированных в базу. 132. Учтите, что с увеличением концентрации примеси ток базы увеличится. 133. Правильно. Это объясняется конструктивными особенностями. 134. В схеме с общей базой коэффициент усиления по току меньше единицы. 135. Ошибка в вычислениях. 136. В схеме с общей базой коэффициент усиления по мощности больше единицы. 137. Уясните определение входной характеристики. 138. Правильно. 139. Вы ошиблись в вычислениях. 140. Схему с общим эмиттером используют для усиления напряжения. 141. Устойчивость к радиации больше у полевых транзисторов. 142. Подумайте, как изменяются размеры обедненного слоя. 143. Есть транзисторы с более высоким входным сопротивлением. 144. Учтите, что при изменении полярности напряжение уменьшается до нуля. 145. Это число областей различного типа электропроводности. Число переходов меньше. 146. Правильно, а.] и аз быстро растут. 147. Правильно, сопротивление самого тиристора незначительно. 148. Германиевые транзисторы маркируются цифрой i или буквой Г. 149. Биполярные транзисторы целесообразно использовать в радиосхемах. 150. Есть и другие области применения транзисторов и тиристоров. 151. Выразите массу атома в килограммах. 152. Масса электрона значительно меньше массы ядра атома. 153. Радиус атома водорода значительно больше. 154. Вспомните о волнах де Бройля. 155. Правильно, чем меньше масса, тем больше длина волны частицы. 156. Разрешенная орбита связана с длиной волны де Бройля. 157. Такой атом называют ионом. 158. Вспомните, что энергия уровня атома отрицательна. 159. Если атом — в составе молекулы, уровень расщепляется на

§ 16.10. Области применения транзисторов и тиристоров 508

Характерные особенности быстродействующих ИКН можно иллюстрировать на примере компаратора 521СА4 ( 9.4), представляющего собой аналог SE527. В этом компараторе снижение быстродействия, обусловленное насыщением транзисторов, исключено путем применения транзисторов Шоттки в узлах, где возможна их работа в насыщении. На входе компаратора включены повторители напряжения на транзисторах Т\ и Т2, выходные напряжения которых усиливаются дифференциальным каскадом на транзисторах Т-} и Т4 с источником стабилизированного тока на транзисторе Гз. Входные каскады развязаны от источника питания ?„.„ повторителем напряжения на Те, обеспечивающим их стабилизированным напряжением питания С/ст + l/бэ- Выходные напряжения дифференциального каскада через повторители напряжения на Т7 и Т8 со стабилитронами Дз и Ц\, сдвигающими потенциальные уровни, поступают на входы второго дифференциального каскада на транзисторах Гц и Г^, к коллекторам которых подключены ограничители напряжения на То и Т\^. Последние фиксируют выходной потенциал при запирании транзистора, например, Гц на уровне {/бэВ + Я11^613-

8. Николаевский И. Ф., Эксплуатационные параметры и особенности применения транзисторов, Связьпздат, 1963.

Таким образом, схема питания по постоянному току биполярного транзистора с двумя источниками питания ?ок; и ECJ, обеспечивает высокую стабильность точки покоя. В первые годы применения транзисторов в усилительных устройствах она имела широкое распространение. Однако с усовершенствованием схемотехники усилительных каскадов и развитием технологии изготовления транзисторов, которая позволила значительно улучшить их параметры, стали применяться в основном схемы питания биполярных транзисторов с одним источником питания, поскольку два источника питания создают определенные сложности.

Выбор оптимальных параметров затрудняется сложностью алгоритма расчета электрической машины по формулам проектирования. При проектировании необходимо учитывать стоимость машины, надежность и технологичность конструкции. Эти показатели косвенно входят в формулы проектирования, что затрудняет оптимизацию. Оптимальные варианты электрической машины выбираются на основании широкого применения вычислительных машин, опыта и интуиции проектировщика.

Ниже на примере электромагнита с внешним поворотным якорем излагается упрощенный метод определения основных размеров на основании известных величин, обычно задаваемых при статическом расчете электромагнита, и одной из динамических зависимостей. Решают задачи при этом без применения вычислительных машин.

Современный этап научно-технического прогресса характеризуется бурным ростом электроники вообще и микроэлектроники в частности, что привело к значительному прогрессу в области создания и применения вычислительных машин.

Развитие логических принципов построения ЦВМ вызывалось расширением областей применения вычислительных машин. Первоначально сравнительно узкая сфера применения их, главным образом для выполнения научных и технических расчетов, в короткий срок существенно расширилась и охватила почти все области науки, техники, управления и планирования производства, все области человеческой деятельности, связанные с обработкой больших объемов информации. Появились автоматизированные системы управления отраслями, предприятиями и производственными процессами, информационно-вычислительные системы, автоматизирующие операции хранения, поиска и обработки информации и др.

По мере расширения областей применения вычислительных машин и превращения их в системы обработки данных обогащался арсенал средств вычислительной техники и изменялся подход к логической организации вычислительной системы. Современные вычислительные системы содержат в своем составе большой и разнообразный набор устройств для запоминания, регистрации, отображения, ввода и вывода информации. Для всех этих устройств существует общий термин «периферийные устройства». В качестве внешней памяти современные

Развитие логических принципов построения ЦВМ вызывалось расширением областей применения вычислительных машин. Первоначально сравнительно узкая сфера применения их, главным образом для выполнения научных и технических расчетов, в короткий срок существенно расширилась и охватила почти все области науки, техники, управления и планирования производства, все области человеческой деятельности, связанные с обработкой больших объемов информации. Появились автоматизированные системы управления отраслями, предприятиями и производственными процессами, информационно-вычислительные системы, автоматизирующие операции хранения, поиска и обработки информации и др.

По мере расширения областей применения вычислительных машин и превращения их в системы обработки данных обогащался арсенал средств вычислительной техники и изменялся подход к логической организации вычислительной системы. Современные вычислительные системы содержат в своем составе большой и разнообразный набор устройств для запоминания, регистрации, отображения, ввода и вывода информации. Для всех этих устройств существует общий термин «периферийные устройства». В качестве внешней памяти современные

начале 50-х годов в США и СССР. Во ВНИИЭМ Т. Г. Сорокером и Б. М. Каганом ЭВМ были применены для расчетов серий электрических машин. За последние годы вычислительные машины получили настолько широкое применение, что сегодня ни один расчет, ни одно научное исследование в электромеханике не обходятся без применения вычислительных машин.

Первый путь дает ускорение вычислений, обеспечивает перебор многих вариантов. Однако полуэмпирические формулы, положенные в основу расчета, снижают эффективность применения вычислительных машин. Второй путь позволяет более строго подойти к оптимизации, решать более сложные задачи, но он еще недостаточно разработан. Необходимо развивать оба направления, стремиться к оптимизации электрической машины, работающей в электромеханической системе при изменении напряжений, частоты, окружающих условий, с учетом работы элементов системы и динамических процессов [20].

В книге рассматриваются области применения вычислительных машин и приборов в системах управления отдельными объектами вооружения и крупными подразделениями. Даются основные понятия теории проектирования базовых узлов приборов управления; излагаются вопросы преобразования аналоговой информации в цифровую и обратно, а также описываются элементы теории кодирования и передачи информационных сигналов. Приведены основы теории использования электронных вычислительных машин при управлении боевыми действиями подразделений и оценке эффективности разрабатываемых комплексов вооружения.

косвенно входят в формулы проектирования, что затрудняет оптимизацию. Оптимальные варианты электрической машины выбираются на основании широкого применения вычислительных машин, опыта и интуиции проектировщика [1].