Применяемых материалов

Области применения функциональной оптоэлектро-ники определяют жесткие требования к характеристикам и параметрам применяемых элементов, в частности к быстродействию.

По виду обрабатываемой информации БИС можно классифицировать на цифровые и аналоговые. К цифровым БИС относятся полупроводниковые запоминающие устройства, счетчики, сумматоры и др. Примерами аналоговых БИС являются преобразователи: напряжение — код (АЦП) и код — напряжение (ЦАП). По виду применяемых элементов различают БИС на биполярных и МДП (металл—диэлектрик—полупроводник)-структурах; существуют также гибридные БИС. Технология МДП-структур более проста и не зависит от типа схемы. Кроме того, элементы с МДП-структурой занимают меньшую площадь, что позволяет существенно повысить степень интеграции БИС. Однако быстродействие и добротность БИС на биполярных структурах выше.

При проектировании ДУ целесообразно минимизировать число типов применяемых элементов. Естественным шагом после стандартизации элементов является попытка стандартизовать связи между элементами. В связи с этим предложено несколько вариантов так называемых однородных структур [11]. Элементами таких схем являются конечные автоматы, в частности КС.

Для получения конкретных числовых характеристик необходимой стабильности и точности параметров аппаратуры следует предЕ;арительно подразделить ее по характеристикам применяемых элементов и условиям работы на три группы [35].

В зависимости от типа применяемых элементов и особенностей схемотехники различают следующие семейства ЦИС: ТЛНС — транзисторные логические ИС с непосредственной (гальванической) связью; РТЛ — резисторно-транзисторные логические ИС; РЕТЛ — резисторно-емкостные логические ИС; ДТЛ—диодно-транзисторные логические ИС; ТТЛ — транзисторно-транзисторные логические ИС; И2Л — интегральные инжекционные логические схемы; ЭСЛ — эмиттерно-связанные логические ИС; МДП — логические схемы на основе МДП транзисторов; КМДП — логические схемы на основе комплементарных МДП транзисторов. Чтобы правильно выбрать тип ЦИС, необходимо представлять внутреннюю структуру базовых логических элементов, знать функциональные возможности и основные параметры логических элементов разных семейств.

Однако использование в процессе синтеза топологии МДП-БИС типовых ячеек обычно приводит к увеличению площади кристалла по сравнению с БИС, топология которых синтезирована на уровне МДП-транзисторов и соединений между ними. В то же время процесс синтеза МДП-БИС на данном уровне сложности микроэлементов становится чрезвычайно трудоемкой задачей при степени интеграции выше 103. Уменьшение сложности задачи проектирования топологии МДП-БИС можно достичь за счет ограничения числа топологических типов применяемых элементов схемы, а также

Для построения схем ферромагнитные сердечники используют в сочетании с другими элементами, главным образом с полупроводниковыми диодами и транзисторами. В зависимости от применяемых элементов схемы образующие их ячейки называют феррит-диодными или феррит-транзисторными.

I этап — анализ принципиальной электрической схемы и исследование возможностей ее реализации в виде пленочной гибридной микросхемы. На этом этапе определяют типы применяемых элементов, их номинальные параметры, выявляют, какие элементы будут выполнены в пленочном исполнении, а какие — в дискретном, а также число и расположение контактных площадок. С этой целью преобразуют принципиальную электрическую схему изделия в коммутационную. Пример такого преобразования приведен на 8.6. На коммутационной схеме навесные элементы «е изображают ;(их выводы показывают контактными площадками).

Общая точка одного полюса напряжения измеряемой частоты и нуль-индикатора облегчает защиту моста от помех и разного рода утечек, обусловленных распределенными проводимостями монтажной схемы моста (общая точка обычно заземляется). Погрешность мостов для измерения частоты в значительной мере определяется классом точности применяемых элементов, чувствительностью нуль-индикатора и конструкцией моста (защита от помех).

Надежность. ЦИП являются достаточно сложными устройствами, включающими сотни — тысячи элементов. Поэтому надежность ЦИП еще не достаточно высока. Повышение надежности применяемых элементов будет повышать надежность ЦИП. Пока нет нормирования надежности ЦИП. Однако надо ожидать, что нормирование надежности станет столь же обязательным, как нормирование погрешности.

В зависимости от типа применяемых элементов и особенностей схемотехники различают следующие семейства ЦИС: ТЛНС — транзисторные логические ИС с непосредственной (гальванической) связью; РТЛ — резисторно-транзисторные логические ИС; РЕТЛ — резисторно-емкостные логические ИС; ДТЛ — диодно-транзисторные логические ИС; ТТЛ — транзисторно-транзисторные логические ИС; И 2Л — интегральные инжекционные логические схемы; ЭСЛ — эмиттерно-связанные логические ИС; МДП — логические схемы на основе МДП транзисторов; КМДП — логические схемы на основе комплементарных МДП транзисторов. Чтобы правильно выбрать тип ЦИС, необходимо представлять внутреннюю структуру базовых логических элементов, знать функциональные возможности и основные параметры логических элементов разных семейств.

Важным фактором, определяющим конструктивно-технологические особенности любой РЭА, является ее рабочий диапазон частот. В зависимости от диапазона частот устройства диктуются требования к его конструктивному оформлению и технологии изготовления. С ростом частот повышаются требуемые точность изготовления, качество обработки деталей, чистота применяемых материалов и т. д.

Повышение требований к качеству ПП и стабильности их параметров привело к созданию ПП и МПП на керамических и полиимидных основаниях. Для изготовления таких плат применяются многочисленные методы, основанные на тонко- и толстопленочной технологии. При использовании тонкопленочной технологии диэлектрические и токопроводящие слои наносят с помощью одного из методов вакуумного испарения, которые характеризуются разнообразием применяемых материалов и возможностью создания многослойных структур в одном технологическом цикле. Недостатками метода являются низкая производительность, сложность технологического оборудования, необходимость вакуума.

ленных изделий с учетом нагревостойиости применяемых материалов и предельно допустимой температуры/ЭРЭ;

Допустимая нагрузка на двигатель в процессе регулирования задается в паспорте в виде номинальной мощности и тока. Мощность двигателя ограничена нагревом, зависящим от потерь в двигателе, его конструкции, размеров, применяемых материалов, вентиляции. В процессе регулирования частоты вращения мощность и момент, развиваемые двигателем, могут изменяться, но в любом случае они не должны превышать номинального значения. Рассмотрим зависимость между частотой вращения двигателя, допустимыми мощностью и моментом на валу.

вами применяемых материалов и параметрами рабочей среды. Несущая способность гидродинамического подшипника в общем случае ограничена минимально допустимой толщиной смазочной пленки и критической температурой смазки и зависит в основном от частоты вращения вала. Эти подшипники мало чувствительны к изменениям направления и уровня нагрузки. По графикам 7.1 и 7.2 можно предварительно оценить возможность применения намечаемого типа подшипника. Окончательная оценка должна делаться на основе тщательного расчета и рассмотрения конкретных условий работы.

личины зазора, которая ограничивается радиальными биениями вала и деформациями корпусных деталей. Достоинствами щелевого уплотнения являются надежность, простота конструкции, широкий выбор применяемых материалов.

Комплекс работ по снижению трудоемкости и себестоимости включает в себя: 1) стандартизацию и унификацию составных частей изделия, являющихся сборочными единицами или деталями; унификацию элементов конструкций деталей (резьб, шпоночных пазов, модулей зубьев, диаметров отверстий, посадок и т. д.); 2) ограничение номенклатуры применяемых материалов; 3) снижение массы изделия; 4) преемственность освоенных в производстве конструктивных решений, соответствующих современным требованиям; 5) применение высокопроизводительных типовых технологических процессов и средств технологического оснащения.

ций, описание производственных установок со схемами и эскизами, подробное описание каждой операции, переходов и приемов работы, режимы эксплуатации оборудования, перечень применяемых, материалов, а также мероприятия по технике безопасности.

7. Каковы основные этапы пропитки, обволакивания, заливки и герметизации намоточных изделий и сборочных единиц, разновидности технологических процессов и применяемых материалов? 8. Какие материалы применяют для изготовления постоянных магнитов и магнитопроводов; каковы особенности технологии и используемого оборудования? 9. Какие материалы используют в производстве печатных плат? 10. Какие существуют методы изготовления печатных плат и в чем заключается их сущность? 11. Каковы методы и особенности изготовления многослойных печатных плат?

Форму, марку и. размеры проводников обмотки с целью сокращения сортамента применяемых материалов обычно унифицируют с проводниками обмотки добавочных полюсов. В отличие от обмотки добавочных полюсов катушки стабилизирующей обмотки из изолированных проводников могут выполняться не только многослойными, но и однослойными. Радиус закругления катушек из неизолированной меди, гнутой на ребро, должен удовлетворять условию (10-129). МДС стабилизирующей обмотки на полюс (А) fnoc= (0, l-r-0,2)F2. (10-148)

но идеально выдержать технологический режим и строгую однородность физико-химической структуры применяемых материалов. Поэтому случайные колебания параметров исходных материалов, режимов работы применяемого технологического оборудования и других факторов влияют на продолжительность безотказной работы ИМС. Это приводит к тому, что за рассматриваемый конечный промежуток времени отказ каждой конкретной ИМС может произойти или не произойти, т.е. возникновение отказов работающих или хранящихся ИМС в разные промежутки времени представляет собой случайное событие.