Приложить напряжение

Если к цепи, состоящей из выпрямителя и нагрузки г, соединенных последовательно, приложено синусоидальное напряжение

10.10р. К катушке индуктивности, активным сопротивлением которой можно пренебречь, приложено синусоидальное напряжение U ' L — ЮО в, при этом /?, = 10 а.

13.20 м. К катушке индуктивности с ферромагнитным сердечником приложено синусоидальное напряжение с частотой со =

Построить временною диаграмму тока. 13.22. К цепи, содержащей катушку со стальным сердечником, приложено синусоидальное напряжение. При fi — 50 гц ток /4 =

13.43 р. К цепи, содержащей в последовательном соединении индуктивность L = Ю-3 гн и нелинейный конденсатор С (а) приложено синусоидальное напряжение и = 1000 sin 500*. Характери-

14.12м. К цепи ( 14.12, а) приложено синусоидальное напряжение с частотой 50 гц. График изменения емкости изображен на 14,12, б; Cmin =

Если к такой системе приложено синусоидальное колебание с частотой со0 и заданной огибающей fi(t), спектр которого получается также путем смещения на гр соп спектра огибающей ( 11.12,6), то, взяв произведение смещенной характеристики цепи и спектра входного сигнала, получим спектр колебания на выходе с огибающей /2 (t)'-

последовательно, приложено синусоидальное напряжение

Если приложено синусоидальное напряжение

Пусть к активному сопротивлению ( 6.6, а) приложено синусоидальное напряжение

Если к началу линии приложено синусоидальное напряжение постоянной угловой частоты со, при установившемся режиме напряжение и ток в каждой точке линии будут также синусоидальными функциями времени той же частоты. Так как синусоидальные напряжение и ток являются частным случаем переменных и и i, в расчетах надо учесть все параметры линии 20.1, т. е. г, L, g и С.

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение иа/) > 0, то на верхней и нижней обкладках, конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

На пути луча электронов установлены две пары взаимно перпендикулярных электродов б и 7 соответственно в горизонтальном и вертикальном направлениях. Если между пластинами 6 приложить напряжение, то электроны, отталкиваясь от отрицательно заряженной плаа-

Если к обмотке возбуждения приложить напряжение в а раз больше, чем это необходимо для номинального

Ионный прибор как разновидность электровакуумных приборов состоит из двух электродов или более, помещенных в стеклянный баллон, обычно заполненный инертным газом при давлении 0,1—1000 Па. Если между электродами приложить напряжение, то в приборе будет наблюдаться электрический разряд — совокупность явлений, имеющих место при прохождении электрического тока через прибор. В зависимости от приложенного напряжения и вида катода в ионном приборе устанавливается тот или иной вид разряда. Для всех видов ионных приборов характерна активная роль положительных ионов газа, наполняющего колбу прибора, в распределении электрического потенциала между электродами, от которого зависит ток.

Катодом (/С) является внешний слой электронной (п-область) проводимости. Внешний слой дырочиой (^-область) гароводимости образует анод {А), а внутренний — управляющий электрод (УЗ). Если к тиристору с разомкнутой цепью управления приложить напряжение в прямом направлении, т. е, когда к аноду подведено напряжение положительной, а к катоду отрицательной полярности, то тиристор заперт переходом /72, имеющим запирающий потенциал.

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение иа/) > 0, то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение ugl} >0,то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

2.51. Анодом фотоэлемента служит цилиндр, диаметр которого 1,5 см; катодом является платиновая нить диаметром 0,1 см. Каково смещение красной границы фотоэффекта, если к аноду приложить напряжение в 2 кВ?

7.38. Имеется идеальный p-n-переход при Г=ЗООК. Определить: а) какое необходимо приложить напряжение к переходу, чтобы получить прямой ток, равный обратному току насыщения /0; б) какое необходимо прямое напряжение для получения тока, в 100 раз большего обратного тока насыщения /0.

РППЗУ, используемые в микроЭВМ, наиболее часто выполняются на основе МОП-транзистора с «плавающим» изолированным затвором ( 130, б). Металлический затвор транзистора не имеет вывода и со всех сторон окружен слоем изолятора — диоксида сверхчистого кремния. Толщина нижнего слоя весьма мала — не более 0,1 мкм, верхний и боковые прозрачные слои имеют толщину около 1 мкм. Транзистор выполнен на основе кремния с преобладающей n-проводимостью, в котором диффузионным способом созданы две области с р-проводимостью: исток и сток. Если между истоком и стоком приложить напряжение, то вне зависимости от его полярности ток в транзисторе протекать не будет, так как исток — основание и основание — сток образуют два встречно включенных п—р-перехода. Если бы затвор был заряжен отрицательно, то в n-кремнии мог бы образоваться наведенный инверсионный р-слой, который бы замкнул п—р-пере-ходы, и между истоком — стоком образовался токопроводящий канал. Зарядить отрицательно (по отношению к основанию) затвор можно достаточно просто. Для этого между стоком — истоком надо приложить импульс о напряжением 50—80 В и длительностью 100—-200 мкс, который вызовет лавинный пробой запертого п—р-перехода, и в пространстве между стоком — истоком возникнет область с большой концентрацией электронов. Часть этих электронов продиффундирует через тонкий слой диоксида кремния и зарядит металлический затвор до напряжения 1,5— 2 В. Когда импульс закончится, заряд на затворе останется и будет там существовать очень долго, поддерживая транзистор в открытом состоянии. В серийных образцах таких транзисторов ток разряда затвора составляет примерно 10~40 А, вследствие чего даже при температуре 80 °С напряжение на затворе уменьшается на 10—15 % за 10 лет.

Если между полупроводником и металлическим электродом приложить напряжение, то электрическое поле, возникающее в структуре металл — диэлектрик — полупроводник, будет изменять условие равновесия зарядов, расположенных на поверхности и в объеме полупроводника. Это приведет к изменению поверхностной емкости, так как для нее характерна зависимость от приложенного напряжения. При изменении внешнего напряжения на 2 — 3 В емкость Cs изменяется в 5 — 6 раз.