Приложенных напряжениях

и р-областью затвора. Таким образом, в полевом транзисторе с п-каналом полярности приложенных напряжений следующие: ?/си>0, ). В транзисторе с р-каналом основными носителями заряда

являются дырки, которые движутся в направлении снижения потенциала, поэтому полярности приложенных напряжений должны быть и-ными: ?/си<0, ?/3и^О.

где F (U ) — функция распределения пробивного напряжения межвитковой изоляции; q(U ) — :гшотность распределения приложенных напряжений.

Второй закон: в любом замкнутом контуре алгебраическая сумма комплексов действующих значений приложенных напряжений равна алгебраической сумме комплексов действующих значений напряжений на участках этого замкнутого контура:

Заметим, что в формуле (4.5) наибольший интерес представляет выражение для установившейся составляющей тока i'(t), позволяющее, в частности, исследовать периодические режимы при искаженных формах приложенных напряжений.

где С — тХ^-матрица контуров; I = diag //, У/еС1 — диагональная матрица известных токов ветвей; Е<=Сга — вектор, компоненты которого зависят от известных значений приложенных напряжений; z= [zi ... znj* — вектор искомых сопротивлений.

Поэтому для заданного закона «_ = /г (t) (обычно для гармонического) можно определить Вх + В2 = /2 (0- Пользуясь этой зависимостью и кривыми Вг + В2 = f (HJ) ( 8-5, б), построим кривые Я~ (0 и, следовательно, {„ (t). По полученным кривым i^ (t) определим действующие токи /. Эти построения можно провести для ряда значений приложенных напряжений U и соответствующих им значений (Bt + В2)Эф- В результате получим для разных значений тока подмагничивания четыре кривые U — f (/) ( 8-5, в). Для данного значения приложенного напряжения L/i действующие токи при разных значениях токов подмагничивания определятся точками А , В, С, D пересечения прямой с кривыми. Типичная характеристика дросселя / = f (/_) при (/ = С/1 = const приведена на 8-5, г. Начальную часть этой характеристики можно с достаточной точностью считать отрезком прямой; ток /0 может быть мал, особенно при сердечниках из пермаллоя, обладающего большой проницаемостью при малых напряженностях Н магнитного поля.

Итак, модель Гуммеля — Пуна позволяет учесть такие эффекты при работе реальных транзисторов в режиме передачи большого сигнала, как зависимости ширины базы, коэффициента усиления по току и сопротивления базы от тока коллектора, а также зависимости барьерных емкостей переходов от приложенных напряжений. Благодаря этим особенностям модель Гуммеля — Пуна обеспечивает хорошее приближение моделируемых статических и динамических характеристик транзисторов к реальным.

При моделировании транзистора в данном случае необходимо учитывать изменения подвижности носителей и удельного заряда в канале в зависимости от приложенных напряжений, а также изменение концентрации примесей вдоль координаты у. Если рассечь структуру в плоскости хг, как показано на 3.15 стрелкой, то из условия равенства нулю суммы зарядов следует равенство

Подставив (3.61) — (3.65) в общее выражение для определения тока канала МДП-транзистора, можно получить формулу, выражающую зависимость тока от приложенных напряжений и распределения концентраций примесей ДО (у) в одномерном случае.

Осцйллографические трубки наиболее часто применяют для получения осциллограммы — графика, зависимости напряжения от времени для анализа формы кривых напряжения. Для этого исследуемое напряжение Uy прикладывается к одной паре пластин (обычно Y), а к другой паре пластин (X) прикладывается напряжение пилообразной формы Ux, называемое напряжением линейной развертки ( 7.2, б). На участке О А напряжение развертки линейно зависит от времени; под действием этого напряжения пятно перемещается по экрану трубки вдоль оси X пропорционально времени. В то же время под действием исследуемого напряжения пятно перемещается вдоль оси X на величину, пропорциональную его значению в данный момент. Таким образом, при непрерывном одновременном изменении приложенных напряжений Ux и Uу ( 7.2,а) пятно прочерчивает на экране трубки график зависимости исследуемого напряжения от времени Uy = f(t), т. е. осциллограмму.

Часть отмеченных явлений можно свести к минимуму, если проводить измерения при малых токах (10~2 и 10~7 А) и малых (меньших kT/e) приложенных напряжениях, т. е. в той области контакта, где она почти линейна. Как показывают расчеты, для кремния при радиусе контакта 4 мкм и напряжении менее 15 мВ нагрев контакта не превосходит 0,1°С, а напряженность электрического поля J?<103 В/см~', что ниже того значения, при котором существенны зависимости ц.„(<§П и Цр(^Г). Влияние приповерхностного слоя не устраняется уменьшением приложенного напряжения, и потому измеряемое сопротивление структуры Rn отличается от (1.22); оно может быть записано через эмпирический коэффициент ?(р) в виде

Сравнивая комплексные уравнения (5.10) с операторными уравнениями (5.3), приходим к выводу, что уравнения установившегося режима при синусоидальных приложенных напряжениях и постоянных параметрах обмоток могут быть получены из операторных уравнений заменой р на / и изображений функций их комплексными значениями. Если частота приложенного напряжения отлична от частоты, принятой за базисную, то в системе о.е. //Д = s.

6.49. Объясните процесс прохождения тока в собственном полупроводнике. Поясните тот факт, что при малых и средних значениях напряжений ток пропорционален напряжениям, в то время как при больших приложенных напряжениях ток мало зависит от них.

Любая электрическая цепь может иметь любое число различных состояний: выключенное состояние и состояния при различных токах и приложенных напряжениях.

Любая электрическая цепь может иметь множество различных состояний: выключенное состояние и состояния при различных токах и приложенных напряжениях.

Фильтр «апряжения обратной последовательности должен рассчитываться так, чтобы при приложенных напряжениях прямой последовательности напряжение между вторичными зажимами было равно нулю по условию (4.1). Однако в реальных условиях в указанном режиме между вторичными зажимами имеется некоторое небольшое напряжение, называемое напряжением небаланса.

На 4.12 показана потенциальная диаграмма такого фильтра, работающего в режиме холостого хода при приложенных напряжениях прямой последовательности. Приложенные напряжения образуют равносторонний треугольник ABC.

4.12. Потенциальная диаграмма фильтра (см. 4.11) при приложенных напряжениях прямой последовательности

4.13. Потенциальная диаграмма фильтра (см. 4.11) при приложенных напряжениях обратной последовательности

4. Объясните процесс прохождения тока в собственном полупроводнике. Поясните, почему при небольших значениях напряжений ток пропорционален напряжениям, в то время как при больших приложенных напряжениях ток мало зависит от них.

Исследования показали, что жидкостные системы имеют ряд важных преимуществ перед системами на основе твердых тел. К основным достоинствам жидкостных (электролитических) приборов следует отнести: низкие рабочие напряжения (до 1 В) и малые токи (микроамперы), что «позволяет, создавать весьма экономичные приборы; появление нелинейности характеристик при малых приложенных напряжениях (0,05...0,005 В), что позволяет достичь высокой чувствительности нелинейных преобразователей; протекание физико-химических процессов в тонком слое (единицы микрометров), что дает возможность создавать микроминиатюрные элементы схем. Вместе с тем следует учитывать, что небольшая подвижность (порядка 5 • 10 ~* см2/(В • с)) значительно ограничивает сверху рабочий частотный диапазон этих приборов (/ « 0...1 кГц).

Всякая электрическая цепь может иметь бесконечно большое число различных состояний: выключенное состояние и состояния при различных силах токов и приложенных напряжениях.