Приблизительно одинаково

Работа с двумя автоклавами позволяет увеличить производительность процесса, но она применяется в тех случаях, когда время сушки и пропитки приблизительно одинаковы. В процессах, различающихся по времени, для герметизации используется один автоклав, а второй служит для поддержания требуемой вязкости и однородности состава, или автоклав с дополнительным резервуаром для пропиточного материала.

Примером эквивалентной Т-образной модели п—р—п транзистора с изолирующим р—п переходом может служить схема, изображенная на 2.45. Параметры П- и Т-образной моделей связаны между собой соотношениями: Сэ ~ Съ'э', CK ~ Сь'к, /"Б в обеих схемах приблизительно одинаковы; гз~1А$;гк приблизительно одинаковы; au = 5/(S+ 1/Пз'э). Уточнение Т-образной модели на высоких частотах производится так же, как и П-образной.

щий элемент включен параллельно нагрузке, а последовательно с ней включен гасящий резистор /?г. При изменении выходного напряжения появляется сигнал на выходе схемы сравнения, усиливается усилителем постоянного тока и воздействует на регулирующий элемент так, что ток последнего изменяется. Изменение тока регулирующего элемента вызывает изменение тока через гасящий резистор, что приводит к изменению падения напряжения на нем, в результате чего компенсируются изменения выходного напряжения с спределенной степенью точности. Качественные параметры рассмотренных схем приблизительно одинаковы. Схема с последовательным включением регулирующего элемента имеет более высокий к. п. д. и применяется более часто.

Токи, потребляемые инвертором от источника питания, в обоих состояниях (точки 0 и / на 8.23) приблизительно одинаковы и равны /сп. Поэтому средняя потребляемая мощность

Элементы всех сравниваемых систем приблизительно одинаковы по быстродействию и обладают сходными логическими возможностями, но потенциальная система элементов обеспечивает более высокую надежность работы устройств по сравнению с импульсно-потенциальной системой, которая чувствительна к импульсным помехам, и по сравнению с импульсной системой элементов, где достижение высокой надежности затруднено жесткими требованиями в отношении синхронизации сигналов,

Конструкция стеклянных изоляторов аналогична рассмотренным. В связи с тем, что коэффициенты температурного расширения стекла, цемента и арматуры приблизительно одинаковы, в стеклянных изоляторах отсутствует битумная промазка.

Емкости относительно земли (т. е. относительно бака, магнитопровода и обмотки низкого напряжения) всех витков обмотки приблизительно одинаковы, поэтому емкость С относительно земли единицы длины обмотки нетрудно определить, если известны емкость всей обмотки относительно земли C0g = С"/ и длина обмотки /. Емкость элемента dx эквивалентной схемы с распределенными параметрами равна C'dx.

Продольные емкости между всеми соседними витками также приблизительно одинаковы. Однако, если обозначить через /С' продольную емкость на единицу

В схеме ОЭ коэффициент обратной связи определяется как \i0.c = d\Uu3 \ldUv3 (при /Б = const). С ростом напряжения f/кэ увеличивается коэффициент передачи р (см. 4.12), а так как ток базы должен поддерживаться постоянным, то необходимо увеличивать ток эмиттера за счет увеличения напряжения L/БЭ- Таким образок, при увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе в схеме ОЭ (/Б = const) прямое напряжение на эмит-терном переходе растет, а в схеме ОБ (/ = const) —уменьшается. По абсолютному значению коэффициенты обратной связи приблизительно одинаковы. Для эпитаксиаль-по-планарных транзисторов ц0.с= 10~4Ч-10~3.

Для транзистора МП42Б зарядная емкость эмиттерного перехода не указана. Ее можно определить приближенно, руководствуясь следующими соображениями. У сплавных транзисторов удельные значения зарядных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов приблизительно одинаковы, поэтому при заданном смещении отношение емкостей равно отношению площадей эмиттерного и коллекторного переходов. Для сплавных транзисторов площадь эмиттера SB меньше площади коллектора SK в 2 ... 3 раза. Таким образом

токи в ветвях контура приблизительно одинаковы:

В целях упрощения анализа здесь принято допущение, что токи в данной и соседней секциях изменяются приблизительно одинаково. 2. Коммутирующая э. д. с. ек, возникающая от пересечения проводниками секции при вращении якоря внешнего магнитного поля (полюсов и якоря или добавочных полюсов).

Если напряжение, подаваемое на вход схем с ОЭ и ОБ, приблизительно одинаково, то за счет того, что /Б <к /э, RBX для схемы с ОЭ

При больших воздушных зазорах, если для всех трубок, проходящих через тело, соотношение между /в и /м одинаково (или приблизительно одинаково) значения Ны, Вм, Яв и Вв могут быть определены исходя из зависимости (11-59), переписанной в таком виде:

При несинусоидальном напряжении, приложенном к активному сопротивлению, форма кривой тока не будет отличаться от формы кривой напряжения, так как активное сопротивление приблизительно одинаково для всех гармонических составляющих укороченного ряда. Если амплитуда &-й гармоники напряжения, приложенного к г, составляет р% от амплитуды первой гармоники этого напряжения, то амплитуда &-й гармоники тока через г также будет составлять р% от амплитуды первой гармоники тока. На 8. 10, а изображены кривая напряжения на зажимах г и кривая тока через г.

щим: силовые линии должны быть перпендикулярны поверхностям полюса и якоря и так расположены по отношению друг к другу, чтобы после проведения эквипотенциалей образовались криволинейные прямоугольники, для которых отношение средней ширины Ь к средней длине а было приблизительно одинаково для всех прямоугольников. При первом построении это, возможно, не удастся сделать достаточно хорошо, но после нескольких попыток, особенно при наличии некоторого навыка и с учетом симметрии в поле (если она имеется), удается построить сетку поля так, что Ьг/а, — Ь.,'а„ — Ьэ/а3 = ...

Из 1.44 видно, что в полулогарифмических координатах зависимость 1 (а) хорошо описывается прямой линией. Совокупность таких прямых, полученных для данного материала при различных температурах, образует веер, исходящий из одной точки. Эту точку называют полюсом. Для всех исследованных материалов полюсы расположились на одной прямой, параллельной оси абсцисс. Это означает, что тв у всех материалов приблизительно одинаково. Как показали опыты, оно равно примерно 10~12 — Ю-18 с, т. е. •близко к периоду колебаний атомов около положений равновесия. Строя зависимость lg т от \/Т для данного а, можно экспериментально определить U&. Тщательные опыты, проведенные Журковым с сотрудниками и другими ис-

Если напряжение, подаваемое на вход схем с ОЭ и ОБ, приблизительно одинаково, то за счет того, что 1Б «1Э, RBX для схемы с ОЭ значительно больше, чем для схемы с ОБ. Выходное сопротивление, определяется всегда со стороны выходных зажимов при отключенной нагрузке и при Еи = 0 , RBbrx ~ RK •

Выражения (9.6) и (9.7), справедливые для контактов с любой формой поверхности, имеют большое практическое значение, поскольку они позволяют определить максимальную температуру в контакте и судить о качестве контакта по значению падения напряжения в нем. Ниже приведены значения U и 9, вычисленные с помощью (9.7) и справедливые для контактов из любых металлов, поскольку произведение рА. для всех металлов приблизительно одинаково:

Параллельное включение проходных транзисторов. Если от источника питания требуются большие значения выходного тока, то приходится применять несколько проходных транзисторов, соединенных параллельно. При этом из-за разброса параметра UK3 приходится последовательно с эмиттером каждого из них ставить небольшой резистор, как показано на 6.11. Эти резисторы приблизительно одинаково распределяют ток между проходными транзисторами. Значение R выбирается таким, чтобы падение напряжения на резисторе было ~0,2 В при максимальном значении выходного тока. Мощные ПТ могут быть соединены параллельно без дополнительных элементов благодаря отрицательному наклону зависимости их тока стока от температуры ( 3.13).

тротехнических изделий мы будем считать, что, поскольку все витки обмоток приблизительно одинаково пронизываются магнитным полем, потокосцепление равно:

в меньшей мере. При определенном напряжении питания и малых емкостях нагрузки (до 15—20 пФ) время нарастания, спада, включения и выключения приблизительно одинаково и возрастает в разной степени при больших емкостях. Табл. 6-1 характеризует примерные задержки для простых логических элементов К.МОП (НЕ, И—НЕ, ИЛИ—НЕ) с безбуферными выходами. С ростом температуры выше 25 °С задержка и время переключения возрастают примерно на 0,3 %/К.