Приближенным соотношением

11.28. Воспользуйтесь тем, что при S#H>1 угол отсечки тока Ф мал и поэтому можно воспользоваться приближенными выражениями для тригонометрических функций, определяющих коэффициенты Берга YiW-

В дальнейшем воспользуемся приближенными выражениями:

В соответствии с (2.11) и (2.12) электростатический потенциал \/ определяется следующими приближенными выражениями:

В проектной практике на стадии, когда параметры участков сети еще не определены (не выбраны сечения проводов или кабелей), для определения потоков мощности на головных участках кольца приходится пользоваться еще более приближенными выражениями, которые вытекают из (2.6) и (2.7) при допущении об «однородности» сети (т. е. одинаковости отношений г<•//*// для всех участков) :

В дальнейшем воспользуемся приближенными выражениями:

Метод сеток основан на замене дифференциальных уравнений поля уравнениями в конечных разностях, которые получают заменой производных их приближенными выражениями через разностные отношения или значения функции в отдельных точках координатной сетки. Решение полученной таким образом системы алгебраических уравнений производят теми или иными способами численного подбора. Трудоемкость метода компенсируется двумя главными преимуществами: 1) возможностью рассчитывать электромагнитные поля при каких угодно границах; 2) возможностью использовать цифровые электронные вычислительные машины (ЦЭВМ).

В большинстве практических расчетов ограничиваются приближенными выражениями для этих индуктивностей \ Так, индуктивность обмотки фазы .4 определяют следующим образом:

В дальнейшем воспользуемся приближенными выражениями:

где Гс и Г,, даются следующими приближенными выражениями [17]: rc~W2c/2Bc,rv *W2vj2By, (2.2.9)

где Гс и Г,, даются следующими приближенными выражениями [17] :

Из-за высокой стоимости экспериментов, требующих разрушения крупных конструкций или макетов, часто возникает необходимость использования уже имеющихся для рассматриваемого вида изоляции данных, но полученных при иных значениях основных параметров (толщине изоляции, размерах электродов и др.). В таких случаях пользуются следующими приближенными выражениями:

ной линзы получаются слишком сложными, при расчете одиночных линз широко применяются приближенные выражения для осевого распределения потенциала и для величины фокусного расстояния. Для симметричной одиночной линзы, образованной тремя диафрагмами с радиусами отверстий i/?i (крайних электродов) и R2 (средней диафрагмы), при условии, что расстояние между диафрагмами d не меньше радиусов отверстий \R\, R2, потенциал в центре линзы и в центрах отверстий крайних электродов может быть представлен приближенными выражениями:

Наиболее объективно частотные свойства биполярного транзистора представляются предельной граничной частотой усиления (частотой единичного усиления) /т, на которой (3=1. Граничные частоты /т и /а связаны приближенным соотношением: /а = (2,2ч-2,6)/т, которое указывает, что /т
приближенным соотношением *mai /г = 2-1012 см~:, зависящим от концентрации легирующей примеси. Наличие туннельного эффекта для структур с барьером Шотки ограничивает максимальную концентрацию примеси значением 1017 см~3. Минимальное расстояние до поверхности, на котором можно измерить профкль легирования, зависит от толщины обедненного слоя при нулевом смещении структуры.

биполярного транзистора, а также распределение примесей диффузионных областей истока и стока МДП- транзистора. Распределение примесей в эпитаксиалыюм слое может быть выражено либо соотношением (6.39,6), либо приближенным соотношением (6.39,е), если скорость эпитаксиалыюго выращивания превышает 0,2 мкм/мин. Независимыми переменными при решении задачи поиска оптимальной структуры транзистора выбираются начальные параметры выражений (6.39). К таким переменным относятся концентрации А'п, ^V0 и Q примесей при создании соответствующих областей, значения коэффициентов диффузии D легирующих примесей, толщина эпитаксиальной пленки хэп, длина /э и ширина wa эмиттера биполярного транзистора. Обозначив через он и ав нижний и верхний пределы изменения соответствующих параметров, для перечисленных выше независимых переменных можно записать систему ограничений—неравенств, которые имеют следующий общий вид:

Напряжение отпирания Um, определяемое как разность потенциалов на диоде (т. е. на эмиттерном переходе и-р-и-транзистора) при токе /вх = /от, выражается приближенным соотношением

На начальной стадии решение дифференциального уравнения (6.53) можно представить приближенным соотношением

Аналогично можно анализировать переходный процесс при формировании среза выходного импульса, когда входной сигнал, постепенно уменьшаясь, спадает от уровня Umm до t/BXQ. Время задержки во входной цепи, в течение которого транзистор Тр остается закрытым, определяется приближенным соотношением

можно пользоваться приближенным соотношением

Аналитически зависимость тока стока 7с от напряжений на электродах прибора определяется следующим приближенным соотношением [24]:

2. Описание переходных процессов -экспоненциальной функцией. При монотонных процессах функцию, описывающую переходные процессы, можно представить приближенным соотношением

3 Снижение степени характеристического уравнения. Если некоторые корни характеристического уравнения В(р) = Ьпрп -+• + bn-iPn~l + ... + Й! р + Ь0 = 0 по абсолютной величине значительно больше остальных, то функцию, описывающую переходный процесс в течение нарастания фронта, можно с достаточной точностью представить приближенным соотношением

Аналитически зависимость тока стока 7с от напряжений на электродах прибора определяется следующим приближенным соотношением [24]: