Превышает предельно

В запоминающих устройствах достигнуто быстродействие, характеризующееся тактовой частотой 10 МГц, причем средняя потребляемая мощность составляет 5—10 мкВт/бит. По мере дальнейшего совершенствования технологии, в частности процессов фотолитографии, быстродействие запоминающих устройств на ПЗС можно будет повысить примерно на порядок. Плотность записи информации в запоминающих устройствах на ПЗС может достигать 1,5-105 бит/см2, что примерно втрое превышает плотность, достигаемую в полупроводниковых запоминающих устройствах любыми другими методами.

Б области, где ц.г = fir (х, у, г) — const и 7М = rot /И = = rot (jir — 1) Н = (fir — 1) rot H — (лг — 1)У, плотность результирующих макротоков в модели Jf превышает плотность заданных макротоков J в цг раз,

в 25 раз превышает плотность энергии в емкостной машине. На этом основании делают вывод о преимуществе индуктивных машин над емкостными.

При замыкании ключа /С по индуктору 1 ( 6.4,г) проходит ток. Он создает магнитный поток, замыкающийся как по магнитопроводу 2, так и по рабочему зазору б. При указанном на рисунке направлении тока в катушке / поток направлен по ходу часовой стрелки. Этот поток пересекает площадь, охватываемую витком (катушкой) 3. В результате изменения потока, сцепленного с витком 3, в последнем индуцируется ЭДС, создающая ток, направленный противоположно току в катушке. Ток витка вызывает прохождение потока по магнитопроводу и рабочему зазору в направлении против хода часовой стрелки. Таким образом, потоки индуктора / и витка 3 в рабочем зазоре совпадают по направлению, а вне его противоположны и компенсируют друг друга. В результате этого плотность магнитной энергии в зазоре значительно превышает плотность магнитной энергии вне его, что и вызывает ЭДУ, стремящиеся отбросить виток 3 от катушки /.

Кривые на 3-11, а—в относятся к режиму, когда плотность электронного тока, эмиттируемого катодом /э0, превышает плотность тока /а, соответствующую '(в пересчете на сечение столба дуги) анодному току. В этом ре-

ванной сетки, и отрицательное поле в ней усиливается. В результате плотность электронного потока, достигающего сетки, ослабевает, в связи с чем плотность ионного потока превышает плотность электронного потока. Через сеточную цепь проходит в этом режиме ионный сеточный ток lci (в действительности по сеточной цепи движутся в направлении к сетке электроны, рекомбинирующие на поверхности сетки с подходящими к ней ионами).

В запоминающих устройствах достигнуто быстродействие, характеризующееся тактовой частотой 10 МГц, причем средняя потребляемая мощность составляет 5—10 мкВт/бит. По мере дальнейшего совершенствования технологии, в частности процессов фотолитографии, быстродействие запоминающих устройств на ПЗС можно будет повысить примерно на порядок. Плотность записи информации в запоминающих устройствах на ПЗС может достигать 1,5-105 бит/см2, что примерно втрое превышает плотность, достигаемую в полупроводниковых запоминающих устройствах любыми другими методами.

Пленки моноокиси кремния имеют высокое пробивное напряжение (до 150 В/мкм) и диэлектрическую проницаемость 5—6. На свойства пленок моноокиси кремния существенно влияют условия осаждения. Так, плотность пленок, полученных при высоких скоростях •осаждения (2,5—3,0 гам/с), превышает плотность чистой моноокиси кремния, а электронографический анализ таких пленок выявляет наличие твердого раствора кремния. Наиболее стабильные пленки моноокиси кремния можно получить при температурах испарения 1250—1400° С или при более низких температурах, если во время осаждения в камеру добавить водяной пар. Однако в этом случае пленки более гигроскопичны. Следует отметить положительный эффект тепловой обработки пленочных конденсаторов с диэлектриком из моноокиси кремния. На 4.15 приведены

зоне контакта q^ = (1-гЗ,5) -106 Вт/м2, что существенно превышает плотность теплового потока потерь на отжатой части поверхности расплава <70. Соотношение этих плотностей потерь k = q0/qK колеблется от 0,25 (для расплавов с температурой 1300—1400 °С) до 0,5 (для расплавов с температурой 2000 °С и выше).

Изменение скорости газа от первой до второй критической, сопровождаемое сильным расширением слоя, увеличит долю пустот, что в свою очередь катастрофически отразится на плотности кипящего слоя, которая упадет практически до нуля или, вернее, до величины, близкой к плотности газа. Другими словами, если, например, в стадии однородного псевдоожижения плотность слоя, состоящего из применяемой в топках кипящего слоя смеси угля и доломита, существенно превышает плотность воды знаменитого Мертвого моря в Палестине, в котором, не нарушая закона Архимеда, нельзя утонуть, то при псевдоожижении, когда доля пустот начнет приближаться к 70 %, даже профессиональному пловцу вряд ли удастся удержаться на поверхности. В таком море судам пришлось бы постоянно менять ватерлинию в зависимости от скорости фильтрации газа.

Элегаз (SF6 — шестифтористая сера) представляет собой инертный газ, плотность которого превышает плотность воздуха в 5 раз. Электрическая прочность элегаза в 2 — 3 раза выше прочности воздуха; при давлении 0,2 МПа электрическая прочность элегаза сравнима с прочностью масла.

современных насосных и компрессорных станциях нефтепроводов и магистральных газопроводов в качестве приводных двигателей широко применяются синхронные электродвигатели промышленной частоты мощностью 4000 кВт и напряжением до 10 кВ. В ряде случаев частота вращения насосов и нагнетателей значительно превышает предельно возможную при промышленной частоте частоту вращения подобных двигателей, что вызывает необходимость применения промежуточных редукторов.

основном создаются и наиболее быстро пополняются автомобильным транспортом. Полагают, что работа ТЭС является источником от 'Д—7з выбросов окислов азота, связанных с деятельностью человека. Молекулярная концентрация в дымовых газах ТЭС равна примерно 1/3 концентрации двуокиси серы. Медленный процесс превращения двуокиси азота продолжается в атмосфере и только отчасти заканчивается на уровне поверхности земли в местах их наибольшей концентрации. Как следствие общий вклад всех ТЭС центрального управления по производству электроэнергии Великобритании в суммарное среднее содержание двуокиси азота в атмосфере нигде не достигает одной миллиардной доли (млрд-1). Для сравнения можно указать, что среднее летнее содержание окислов азота .в воздухе городов обычно находится в пределах от 20 до 60 млрд"1, а в .некоторых сельских районах опускается до 5 млрд-1. Современные ТЭС вносят очень малый вклад в общую концентрацию окислов азота на уровне земли, и этот вклад ни в одном месте не превышает предельно допустимого значения, опасного для здоровья человека.

Стабилитроны — это полупроводниковые диоды, работающие в режиме лавинного пробоя. При обратном смещении полупроводникового диода возникает электрический лавинный пробой />-л-перехода. При этом в широком диапазоне изменения тока через диод напряжение на нем меняется очень незначительно. Для ограничения тока через стабилитрон последовательно с ним включают сопротивление. Если в режиме пробоя мощность, расходуемая в нем, не превышает предельно допустимую, то в таком режиме стабилитрон может работать неограниченно долго. На 3.5 а показано схематическое изображение стабилитронов, а на 3.5 б приведены их вольт-амперные характеристики.

2. Располагаемая реактивная мощность генераторов допускает возможность поддержания необходимого напряжения U^\ которое, однако, превышает предельно допустимое значение. Следовательно, реализовать требуемый режим не представляется возможным. В этом случае необходимо изменить требования к величине напряжения на шинах станции, для чего следует уменьшить: а) коэффициент трансформации ктл, б) реактивную мощность Q в линии между станцией и подстанцией А, установив на подстанции тот или иной дополнительный источник реактивной мощности QROn. Формулы, определяющие отдельные составляющие в выражении (7-17), показывают, что в обоих этих случаях возможно уменьшение Ux при тех же значениях напряжения UAno на шинах ПО кв подстанции А.

При подсчете zH протяженных заземлителей, длина которых не превышает предельно целесообразную, в формулах (8-34) и (8-35) не учитываются суммы экспоненциальных составляющих и эти расчетные формулы упрощаются:

ных заземлителей, длина которых не превышает предельно целесообразную. Во всех остальных случаях необходимо пользоваться общими выражениями (8-34) и (8-35).

вующим требованиям ГОСТ, если кратковременная или длительная доза фликера, определенная путем измерения в течение 24 ч, не превышает предельно допустимых значений.

Если необходимое значение тока или напряжения превышает предельно допустимое для данного прибора значение, рекомендуется применение более мощного или высоковольтного прибора, а в случае диодов — их параллельное или последовательное соединение. При параллельном соединении необходимо выравнивать токи через диоды с помощью резисторов с небольшим сопротивлением, включаемых последовательно с каждым диодом. При последовательном включении

и т. д.) при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимую температуру окружающей среды.

2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 6 мм от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружением и т. д.) при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимую температуру окружающей среды.