Преобразователей солнечной

Комбинации из двух и большего числа взаимно связанных переходов позволяют получить управляемые устройства — транзисторы, которые, в частности, широко используются в качестве усилителей тока, напряжения и мощности. На основе свойств полупроводниковых материалов разработаны новые типы преобразователей различных видов энергии в электрическую, например солнечные батареи и термоэлектрические генераторы. Полупроводниковые устройства нашли широкое применение и для многих других целей: в качестве нагревательных и холодильных элементов, индикаторов магнитного поля и радиоактивных излучений, датчиков температуры и давления и т. д.

Комбинированные цифровые приборы позволяют измерять ряд электрических величин, например напряжений постоянного и переменного тока, сопротивления постоянному току, емкости, индуктивности в их различном сочетании. Как правило, основой комбинированного прибора является ЦВ постоянного тока интегрирующего типа; кроме него прибор содержит ряд преобразователей различных электрических величин в напряжение постоянного тока. Так, при измерении токов в качестве преобразователей применяются шунты, при измерении напряжений переменного тока — ПСЗ или ПДЗ на основе термоэлектрических преобразователей.

Энергия доставляется в цепи переменного тока от систем энергоснабжения, преобразователей различных видов, усилителен п других устройств. Источники энергии могут иметь характеристики реальных источников э. д. с. или тока.

В учебнике изложены основы общей теории измерительных преобразователей, рассмотрены их статические и динамические-характеристики, приведена классификация, описаны принципы преобразования, свойства и области применения преобразователей различных физических величин, даны основы расчета, кон-струирования,и анализа погрешностей в статическом и динамическом режимах их работы.

5. В чем заключается общность теории измерительных преобразователей различных физических величин?

20.1. Приведите основные технические характеристики и области применения пер-вичных преобразователей различных неэлектрических величин.

20.1. Приведите основные технические характеристики и области применения первичных преобразователей различных неэлектрических величин.

Энергия доставляется в цепи переменного тока от систем энергоснабжения, преобразователей различных видов, усилителей и других устройств. Источники энергии могут иметь характеристики реальных источников ЭДС или тока.

Габаритные размеры и масса преобразователей различных типов приведены в табл. 9-7.

ИС 564ИЕ11 и 564ИЕ14 в основном применяются в качестве счетчиков импульсов, адресных счетчиков в различных запоминающих устройствах, при построении счетчиковых арифметических чстройств, аналого-цифровых преобразователей, различных следящих устройств автоматики, помимо этою ИС 564ИЕ14 широко применяется в выходных устройствах, имеющих десятичною индикацию.

Использование стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, низкой стоимостью и набором определенных электрофизических свойств. Так, на примере аморфного кремния в книге описывается, как можно не только получать 99 %-ную экономию дорогостоящего полупроводникового материала, но и значительно улучшать технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей).

10. Структуры ячеек фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе гидрогенизированного аморфного кремния:

ных приборов и преобразователей солнечной и механической энергий в электрическую.

Задача выбора оптимального полупроводникового материала приобретает особое значение при разработке преобразователей солнечной энергии, характеризуемой весьма широким спектром. Этот вопрос мы более подробно рассмотрим ниже при обсуждении параметров фотоэлементов различных типов.

В качестве эффективных преобразователей солнечной энергии в электрическую — фотоисточников электрической энергии — применяются кремниевые элементы, изготавливаемые на основе монокристалла кремния, а также пленочные элементы на основе сульфида кадмия. Основные требования к солнечным элементам заключаются в следующем. Прежде всего их спектральная характеристика должна наиболее полно соответствовать спектру излучения солнца.

Задача выбора оптимального полупроводникового материала приобретает особое значение при разработке преобразователей солнечной энергии, характеризуемой весьма широким спектром. Этот вопрос мы более подробно рассмотрим ниже при обсуждении параметров фотоэлементов различных типов.

В качестве эффективных преобразователей солнечной энергии в электрическую — фотоисточников электрической энергии — применяются кремниевые элементы, изготавливаемые на основе монокристалла кремния, а также пленочные элементы на основе сульфида кадмия. Основные требования к солнечным элементам заключаются в следующем. Прежде всего их спектральная характеристика должна наиболее полно соответствовать спектру излучения солнца.

Помимо использования фотоэлементов как преобразователей солнечной энергии в электрическую, они применяются также в качестве чувствительных датчиков, реагирующих на изменение интенсивности светового потока. Широкое применение для этой цели получили германиевые, меднозакисные, селеновые, сернистосеребря-ные, сернистоталлиевые и другие элементы. Интегральная чувствительность их примерно на 2—3 порядка выше, чем у элементов с внешним фотоэффектом. Для ее повышения фотоэлементы конструируют так, чтобы возможно большее число носителей, возникающих при освещении, достигало р — «-перехода. С этой целью базу элемента w ( 12.10, а) делают как можно тоньше, а полупроводниковый материал выбирают с возможно большей диффузионной длиной носителей L, чтобы выполнялось соотношение w •< L.

Книгу отличает также то, что в ней рассмотрены, хотя и только в общих чертах, некоторые вопросы технологии получения аморфных полупроводниковых материалов, а также приборов на их основе, анализируются возможные пути повышения к.п.д. преобразователей солнечной энергии. Подробнее рассмотрены и такие перспективные области • применения аморфных полупроводников, как полевые транзисторы, высокоскоростные диоды с малыми потерями, оптоэлектронные устройства (фотодатчики, устройства для формирования изображения, оптические модуляторы ЗУ большого объема, малогабаритные высоко-' скоростные копировальные устройства и др.).

Гл. 5 посвящена солнечным элементам на основе аморфного кремния, результатам теоретического анализа их работы и конкретным разработкам некоторых видов преобразователей солнечной энергии. Рассматриваются вопросы оптимизации характеристик и предельных значений к.п.д. солнечных элементов на основе аморфного кремния с p-i-n-переходом, а также на основе гетеропереходов с использованием ряда новых аморфных сплавов (Sii_xC^, Sij_^Nx и т.д.) или поликристаллических полупроводниковых материалов. Обосновывается роль качест-

Книгу отличает также то, что в ней рассмотрены, хотя и только в общих чертах, некоторые вопросы технологии получения аморфных полупроводниковых материалов, а также приборов на их основе, анализируются возможные пути повышения к.п.д. преобразователей солнечной энергии. Подробнее рассмотрены и такие перспективные области • применения аморфных полупроводников, как полевые транзисторы, высокоскоростные диоды с малыми потерями, оптоэлектронные устройства (фотодатчики, устройства для формирования изображения, оптические модуляторы ЗУ большого объема, малогабаритные высоко-' скоростные копировальные устройства и др.).