Проводимости рассеяния

1. В чем отличие механизма электропроводности полупроводников от механизма электропроводности проводников и диэлектриков? 2. Как изменяется удельное сопротивление полупроводников при добавлении в него примеси другого элемента? 3. На чем основывается механизм проводимости полупроводников? 4. Какие полупроводники называют собственными? 5. Что называют дыркой проводимости и какой заряд ей приписывают? 6. В чем сущность процесса генерации пар электрон проводимости — дырка проводимости? 7. Какие полупроводники называют донорными и какие акцепторными? 8. Что называют электронно-дырочным переходом? 9. Чем отличается плоскостной р-ге-переход от точечного? 10. Какие токи проходят через р-п-пере-ход при прямом и обратном смещениях перехода? 11. Что представляет собой обедненный слой р-п-перехода? 12. Как изменяется потенциальный барьер при прямом и обратном смещениях перехода? 13. Объясните вольт-амперную характеристику р-п-перехода. 14. В чем сущность явления односторонней проводимости р-п-перехода?

ты различных полупроводниковых приборов необходимо знать •основы теории твердого тела и 5i механизм электрической проводимости полупроводников.

Изменение проводимости полупроводников от изменения температуры или приложенного напряжения используется для создания терморезисторов и вари с тор о в. Проводимость полупроводников зависит также от механических воздействий, что позволяет создавать тензорезисторы, используемые для измерения механических деформаций, давлений, усилий, перемещений и т. д.

2) приборы с фоторезистивным эффектом, основанные на увеличении проводимости полупроводников под воздействием света?

Такая особенность приводит к исключительной чувствительности проводимости полупроводников к различным примесям, включая избыток или недостаток атомов одного из элементов, образующих полупроводниковые химические соединения: кислорода в окислах, углерода в карбидах, серы в сульфидах и т. д.

Увеличение проводимости полупроводников происходит при воздействии на них лучистой энергии. Объясняется это тем, что энергия кванта света—фотона превосходит ширину запретной зоны большинства даже чистых полупроводниковых элементов. Зависимость проводимости полупроводников от освещенности может быть, выражена формулой

Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников соответствует уравнению

Величиной, численно характеризующей изменение удельной проводимости полупроводников при определенном виде деформации, является тензочувствителвность

Флуктуации в процессе заполнения носителями ловушек приводят к изменению проводимости полупроводников и скорости поверхностной рекомбинации. Появляется поверхностный шум.

смотрим 2.4, на котором изображено несколько одних и тех же атомов, расположенных вдоль полупроводника, в различные моменты времени. Пусть в некоторый начальный момент времени в крайнем атоме /, расположенном слева, появилась дырка вследствие того, что из этого атома «ушел» электрон. В этом случае атом становится заряженным положительно и может притянуть к себе электроны соседнего атома. При наличии электрического поля, направленного слева направо, электрон атома 2, двигаясь против сияовых линий поля, заполнит дырку в первом атоме, но зато образуется новая дырка в атоме 2 ( 2.4, б). Последовательно переходя от одного атома к другому, дырка через некоторое время образуется в крайнем правом атоме 6 ( 2. 4, е). Таким образом, проводимость полупроводника обусловлена перемещением как свободных электронов, так и дырок. В первом случае носители зарядов отрицательны (негативны), во втором — положительны (позитивны). Соответственно различают два вида проводимости полупроводников — электронную, или проводимость типа п (от слова negative — отрицательный), и дырочную, или проводимость типа р (от слова positive — положительный).

2. Какова температурная зависимость проводимости полупроводников и чем она обусловлена? ' . .

Эффективность процесса преобразования энергии в ЭДН, как это следует из дифференциальных уравнений, описывающих эти процессы, в значительной степени зависит от величины и характера изменения индуктивностей и взаимной индуктивности обмоток, а также величины и характера нагрузки. Выраженные через магнитные проводимости рассеяния А! >2 и взаимной индукции Лт индуктивности и взаимная индуктивность для сосредоточенных обмоток примут вид:

Коэффициент проводимости рассеяния:

Коэффициент проводимости рассеяния:

Как правило, двигатели с прямоугольными открытыми пазами ротора и со сварной клеткой выполняются без скоса пазов; поэтому kCK=0 и А,ск=0. Коэффициент проводимости рассеяния прямоугольного открытого паза

Для учета насыщения путей потоков рассеяния все рассчитанные магнитные проводимости статора и ротора (А,п, Яд и Хл) подразделяют на две части. К первой относятся все проводимости, зависящие от насыщения, т. е. переменные — часть проводимости пазового рассеяния (рассеяния клиновой части и шлица пазов статора и ротора, мостиков закрытых пазов ротора), проводимости дифференциального рассеяния статора и ротора. Ко второй части — все проводимости, не зависящие от насыщения, т. е. постоянные — оставшаяся часть проводимости пазового рассеяния, проводимости рассеяния лобовых частей обмоток статора и фазного ротора, проводимости рассеяния короткозамыкающих колец и проводимость рассеяния скоса пазов.

Коэффициент проводимости рассеяния прямоугольного открытого паза ротора

Коэффициент проводимости рассеяния нижней части клетки А«н.п = I g,r i »— 25СтГ,Г

Улучшению условий коммутации машин содействует уменьшение проводимости рассеяния паза путем допустимого снижения высоты и увеличения ширины паза якоря, а также уменьшение шС2 в машинах со всыпной обмоткой путем допустимого увеличения количества коллекторных пластин.

Коэффициенты Ct и Cq Коэффициент магнитной проводимости рассеяния лобовых частей демпферной обмотки по продольной оси То же, по поперечной оси Коэффициент магнитной проводимости рассеяния демпферной обмотки по продольной оси

Кщ; ЯпГ, Ап2',— коэффициент проводимости рассеяния соответствен-Яск; Яг, А,2 но короткозамыкающих колец ротора, лобовых частей обмотки статора, паза статора, паза ротора и якоря, скоса пазов, обмотки статора, обмотки ротора

В асинхронных машинах индуктивное сопротивление фазы обмотки статора обозначают xlt а обмотки ротора х2 • В синхронных машинах индуктивное сопротивление рассеяния обмотки статора обозначают *ffl. В машинах постоянного тока индуктивное сопротивление обмотки якоря непосредственно не рассчитывают, однако коэффициенты магнитной проводимости рассеяния определяют для расчета реактивной ЭДС секций обмотки.