Проводимости полупроводника

При угловой частоте со ез = \I\JLC индуктивная bL = l/(co?) и емкостная Ь^. = соС проводимости параллельных ветвей одинаковые, аргумент комплексной проводимости цепи у равен нулю, т. е. ф. = = фц, полная проводимость цепи 'у =g и общий ток /, =gf/минимальный.

При угловой частоте со = \j\/LC индуктивная bL = l/(tol) и емкостная Ьс = соС проводимости параллельных ветвей одинаковые, аргумент комплексной проводимости цепи <р равен нулю, т. е. ф{ = = фи, полная проводимость цепи у =g и общий ток / = gUминимальный.

При угловой частоте со ез = \j\jLC индуктивная Ъ^ = l/(coL) и емкостная Ъс = соС проводимости параллельных ветвей одинаковые, аргумент комплексной проводимости цепи <р равен нулю, т. е. t/л =• = фи, полная проводимость цепи у -g и общий ток / =gUминимальный.

Проводимости параллельных ветвей: Yl = — = -—— =

Активные и реактивные проводимости параллельных ветвей: G=G, + G5 = /?I/Z? + /?j/Zf=2/6.32J+ 1/102 = 0,06 См; В= = BI + B2 = XL/Zi — XC/Z\ = 6/6.322 = 9,95/Ю2 = 0,05 См.

Расчет начинается с определения сопротивления участка с параллельными ветвями. Проводимости параллельных ветвей определяются как

Решен ие. Проводимости параллельных ветвей: & = -Г^-Г = ^Лтг = 0.1096 См;

Решение. Проводимости параллельных ветвей!

При параллельном соединении катушки индуктивности и емкости возможен случай, когда эквивалентная реактивная проводимость цепи равна нулю. Это произойдет тогда, когда реактивные проводимости параллельных ветвей будут равны между собой и полностью скомпенсируют друг друга:

Расчет начинается с определения сопротивления участка с параллельными ветвями. Проводимости параллельных ветвей определяются как

Модуль суммарной проводимости параллельных цепей трансформаторов можно принять равным сумме модулей слагаемых:

Этой энергии при напряженности электрического поля ё > 6 МВ/м достаточно для ударного возбуждения атомов полупроводника, т. е. разрыва в них валентных связей и рождения пары "электрон—дырка". Происходит резкое увеличение числа подвижных носителей заряда и, следовательно, удельной проводимости полупроводника. Описанное явление называется лавинным пробоем. Лавинный пробой обратим. Свойства полупроводника восстанавливаются при уменьшении напряженности электрического поля. Этим лавинный пробой отличается от теплового пробоя. Последний наступает за лавинным пробоем при дальнейшем увеличении напряженности электрического поля и вызывает разрушение полупроводника.

Работа фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров основана на явлении внутреннего фотоэффекта, т. е. генерации в полупроводниках избыточных пар носителей заряда — электронов и дырок - под действием излучения. В фоторезисторах это приводит к изменению электрической проводимости полупроводника при его освещении. В фотодиодах избыточность носителей заряда увеличивает потенциальный барьер р-п перехода. Если к освещенному фотодиоду подключить резистор, то в цепи наблюдается ток, т. е. преобразование энергии излучения в электрическую.

Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т. е. изменения электрической проводимости полупроводника под воздействием оптического излучения.

Этой энергии при напряженности электрического поля ? > 6 МВ/м достаточно для ударного возбуждения атомов полупроводника, т. е. разрыва в них валентных связей и рождения пары "электрон-дырка". Происходит резкое увеличение числа подвижных носителей заряда и, следовательно, удельной проводимости полупроводника. Описанное явление называется лавинным пробоем. Лавинный пробой обратим. Свойства полупроводника восстанавливаются при уменьшении напряженности электрического поля. Этим лавинный пробой отличается от теплового пробоя. Последний наступает за лавинным пробоем при дальнейшем увеличении напряженности электрического поля и вызывает разрушение полупроводника.

Работа фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров основана на явлении внутреннего фотоэффекта, т. е. генерации в полупроводниках избыточных пар носителей заряда - электронов и дырок - под действием излучения. В фоторезисторах это приводит к изменению электрической проводимости полупроводника при его освещении. В фотодиодах избыточность носителей заряда увеличивает потенциальный барьер р-п перехода. Если к освещенному фотодиоду подключить резистор, то в цепи наблюдается ток, т, е. преобразование энергии излучения в электрическую.

Этой энергии при напряженности электрического ноля ? > 6 МВ/м достаточно для ударного возбуждения атомов полупроводника, т. е. разрыва в них валентных связей и рождения пары "электрон-дырка". Происходит резкое увеличение числа подвижных носителей заряда и, следовательно, удельной проводимости полупроводника. Описанное явление называется лавинным пробоем. Лавинный пробой обратим. Свойства полупроводника восстанавливаются при уменьшении напряженности электрического поля. Этим лавинный пробой отличается от теплового пробоя. Последний наступает за лавинным пробоем при дальнейшем увеличении напряженности электрического поля и вызывает разрушение полупроводника.

Работа фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров основана на явлении внутреннего фотоэффекта, т. е. генерации в полупроводниках избыточных пар носителей заряда — электронов и дырок — под действием излучения. В фоторезисторах это приводит к изменению электрической проводимости полупроводника при его освещении. В фотодиодах избыточность носителей заряда увеличивает потенциальный барьер р-п перехода. Если к освещенному фотодиоду подключить резистор, то в цепи наблюдается ток, т. е. преобразование энергии излучения в электрическую.

валентной зоны, то достаточно очень небольшой энергии ДЕа = Еа — Еа <С ДЕ (например, за счет теплоты окружающей среды), чтобы электроны с верхних уровней валентной зоны переместились на уровень примеси, образовав недостающие связи. Следствием этого процесса является образование в валентной зоне вакантных энергетических уровней (дырок) и превращение атомов индия в отрицательные ионы, заряд которых начинает проявляться лишь при уходе дырок из микрообъема. При этом очевидно, что такой примесный полупроводник обладает избыточным числом дырок, так как число электронов в зоне проводимости полупроводника по-прежнему определяется собственной электропроводностью. Примесный полупроводник с преобладающим числом дырок называют полупроводником с дырочной электропроводностью или электропроводностью р-типа (р-полу-

Фоторезисторы — это полупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется под воздействием светового потока. При облучени-и световым потоком в полупроводниковом материале возникает избыточная концентрация носителей заряда за счет перехода электронов в зону проводимости, что вызывает изменение проводимости полупроводника.

2.4. Зависимость собственной электрической проводимости полупроводника от температуры

Стационарная фотопроводимость. Изменение электрического сопротивления или проводимости полупроводника, обусловленное действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием, называют фоторезистивным эффектом. Длинноволновая граница собственного фоторезистивного эффекта, связанного с межзонными переходами электронов, совпадает с краем собственного поглощения и для многих полупроводников, таких, как кремний, германий, соединения типа А3В5, находится в инфракрасной и видимой областях спектра.