Проводимости называется

частоты магнитного потока, так и от удельной электрической проводимости материала и конструкции магнитопровода, Вихревые токи /„ вызывают дополнительные потери энергии и нагрев магнитопровода. Кроме того, вихревые токи оказывают размагничивающее действие в магнитопроводе. Поэтому прежнее значение магнитного потока, а значит, и индукции при учете вихревых токов получается при большем намагничивающем токе, а значит, и при большей напряженности магнитного поля.

проходные-стеклянные изоляторы 7, через которые проходят выводы эмиттера 10 и коллектора 5. Баллон приваривается к ножке электросваркой или холодной сваркой. Пространство под баллоном заполняется сухим воздухом, инертным газом или в нем создается вакуум. Вывод :базы 9 имеет электрический контакт с корпусом транзистора. Материалом для базового контакта служит олово или золото с небольшим количеством донорной или акцепторной примеси в зависимости от типа проводимости материала базы.

ной структуры ( 7.8). При этом пренебрегают величиной объемных сопротивлений кристалла полупроводника на участках между концами и контактами истока и стока, а также зависимостью удельной проводимости материала канала от напряженности электрического поля.

Переменный магнитный поток вызывает в магнитопроводе вихревые токи, которые зависят от частоты, проводимости материала магнито-провода и его формы. Помимо потерь энергии вихревые токи размагничивают магнитопровод, вытесняя магнитный поток к поверхности.

Удельная теплопроводность представляет собой величину, аналогичную удельной объемной электрической проводимости материала.

аналогичная удельной объемной электрической проводимости материала, называется удельной теплопроводностью (коэффициентом теплопроводности) материала и измеряется в ваттах на метр-кель-вин — Вт/(м-К) или в ваттах на метр-градус Цельсия — Вт/(м-°С). Для определения теплопроводности Я различных материалов используются как относительные, так и абсолютные методы. Теплопроводность определяется при установившемся процессе теплопередачи (стационарный способ) и в условиях переходного, неустановившегося процесса (нестационарный способ).

Площадь петли гистерезиса, как указывалось, в общем случае отличается от площади статической петли гистерезиса. Действительно, при изменяющемся во времени магнитном потоке в магнитопроводе индуктируются вихревые токи /в ( 8.9, а), которые зависят как от частоты магнитного потока, так и от удельной электрической проводимости материала и конструкции магнитопровода. Вихревые токи 1В вызывают дополнительные потери энергии и нагрев магнитопровода. Кроме того, вихревые токи оказывают размагничивающее действие в магнитопроводе. Поэтому прежнее значение магнитного потока, а значит, и индукции при учете вихревых токов получается при большем намагничивающем токе, а значит, и при большей напряженности магнитного поля.

Площадь петли гистерезиса, как указывалось, в общем случае отличается от площади статической петли гистерезиса. Действительно, при изменяющемся во времени магнитном потоке в магнитопроводе индуктируются вихревые токи /в ( 8.9, а), которые зависят как от частоты магнитного потока, так и от удельной электрической проводимости материала и конструкции магнитопровода, Вихревые токи i'B вызывают дополнительные потери энергии и нагрев магнитопровода. Кроме того, вихревые токи оказывают размагничивающее действие в магнитопроводе. Поэтому прежнее значение магнитного потока, а значит, и индукции при учете вихревых токов получается при большем намагничивающем токе, а значит, и при большей напряженности магнитного поля.

В 1911 г. голландский ученый Г. Каммерлинг-Оннес обнаружил, что при охлаждении до температуры 4,2 К сопротивление кольца из замороженной ртути внезапно падает до очень малой, практически не измеряемой величины. Это исчезновение электрического сопротивления, т. е. появление бесконечной удельной проводимости материала, было названо сверхпроводимостью, а критическая температура охлаждения, при которой совершается переход вещества в сверхпроводящее состояние, — температурой сверхпроводникового перехода ТКР. Переход в сверхпроводящее состояние является обратимым; с повышением температуры до ТКР материал приобретает нормальное (не сверхпроводящее) состояние с конечным значением удельной проводимости у.

Основные дестабилизирующие факторы: 1) изменение контактной разности потенциалов р — n-перехода затвор — канал (для полевых транзисторов с р — «-переходом), это напряжение уменьшается приблизительно на 2 мВ/1°С с ростом температуры и, таким образом, способствует увеличению тока стока; 2) изменение собственной проводимости материала канала, определяемой различной подвижностью носителей; подвижность с ростом температуры падает, что вызывает уменьшение тока стока. Действия этих двух основных факторов, таким образом, противоположны и частично компенсируют друг друга, стабилизируя в конечном счете режим усилительного каскада на полевом транзисторе. Следует отметить, что температурные изме-

В общем случае надо рассматривать сопротивление системы двух электродов, разделенных проводящей средой, с удельной проводимостью, значительно меньшей проводимости материала электродов. Для нахождения сопротивления необходимо предварительно рассчитать электрическое поле в проводящей среде исследуемой системы.

При получении дополнительной энергии (например, при повышении температуры, освещении, приложении электрического поля и т. д.) электроны внешней оболочки теряют жесткую связь с определенным 'атомом и начинают свободно перемещаться в объеме. Такие электроны называются свободными носителями заряда. Свободная зона, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны, называется зоной проводимости. Зона,, ближайшая к зоне проводимости, называется валентной. При температуре абсолютного нуля она полностью заполнена. При изменении температуры происходит обмен между валентной зоной и зоной проводимости. Все существенные процессы в полупроводниковых приборах можно изучить, рассматривая только две соседние зоны: валентную и зону проводимости.

электронов из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок (собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. Хотя ?кр и зависит от концентрации примесных носителей, определяющим параметром для нее является ширина запрещенной зоны (чем шире запрещенная зона, тем больше и /хр). Так, если для кремния г1р«330°С, то для германия Гкряй 100°С.

вблизи «дна» зоны проводимости. Минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донор-ном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости, называется энергией ионизации донора. Энергия ионизации доноров AWe=>Wc—WA значительно меньше ширины запрещенной зоны и не превышает 0,01—0,05 эВ. При комнатной температуре число электронов, переходящих от доноров в зону проводимости, намного превышает число электронов, переходящих в зону проводимости из валентной зоны вследствие термогенерации. Поэтому в общем количестве носителей заряда будут преобладать электроны.

размерность проводимости, называется крутизной характеристики лампы и имеет весьма важное значение. Схема IX.3 особенно удобна при применении пентодов, которые имеют столь большие значения внутреннего сопротивления Rt (порядка мегом), что ветвь внутреннего сопротивления по сравне-

Величина, обратная удельной проводимости, называется удельным сопротивлением (обозначение Q):

Электропроводность всякого изотропного вещества характеризуется так называемой удельной электрической проводимостью, равной отношению величины плотности тока проводимости к величине напряженности электрического поля. Величина, обратная удельной электрической проводимости, называется удельным электрическим сопротивлением.

Электропроводность всякого изотропного вещества характеризуется так называемой удельной электрической проводимостью, равной отношению плотности тока проводимости к напряженности электрического поля. Величина, обратная удельной электрической проводимости, называется удельным электрическим сопротивлением.

ветвях, равных нулю). Величина, обратная входной проводимости, называется входным сопротивлением:

Входные и взаимные проводимости ветвей могут быть использованы при расчете цепей методами наложения и контурных токов, а также при выводе основных уравнений четырехполюсников и т. д. При передаче сигналов в электрических цепях с одним источником питания важными параметрами, характеризующими режим работы цепи, являются коэффициенты передачи по напряжению и току. Коэффициентом передачи по напряжению называется отношение напряжения приемника к напряжению источника э. д. с. цепи, а коэффициентом передачи по току — отношение тока в приемнике к току источника тока цепи.

Процесс образования пары «электрон проводимости — дырка проводимости» называется генерацией пары носителей заряда (1 на 16.6). Можно сказать, что собственная электропроводность полупроводника — это электропроводность, вызванная генерацией пар «электрон проводимости — дырка проводимости». Образовавшиеся электронно-дырочные пары могут исчезнуть, если дырка заполняется электроном: электрон станет несвободным и потеряет возможность перемещения, а избыточный положительный заряд иона атома окажется нейтрализованным. При этом одновременно исчезают и дырка, и электрон. Процесс воссоединения электрона и дырки называется рекомбинацией (2 на 16.6). Рекомбинацию в соответствии с зонной теорией можно рассматривать как переход электронов из зоны проводимости на свободные места в валентную зону. Отметим, что переход электронов с более высокого энергетического уровня на более низкий сопровождается высвобождением энергии, которая либо излучается в виде квантов света (фотоны), либо передается кристаллической решетке в виде тепловых колебаний (фононы).

На 16.7,6 показана диаграмма энергетических зон полупроводника с донорной примесью. В запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости создается разрешенный энергетический уровень (примесный, донорный), на котором при температуре, близкой к О К, располагаются «лишние» электроны. Для перевода электрона с примесного уровня в зону проводимости требуется меньше энергии, чем для переиода электрона из валентной зоны. Расстояние от донорного уровня до дна зоны проводимости называется энергией ионизации (активации) доноров