Проводимость транзистора

Приближенно магнитная проводимость рассеяния для этого случая может быть представлена выражением

Ф8п и по ярму ротора, образуя поток взаимной индукции Фт1 ( 6.15, а). Суммарная проводимость рассеяния (проводимость рассеяния вокруг лобовых частей обмоток считается постоянной и здесь не рассматривается) определяется как сумма проводимостей пазовых участков и межполюсного промежутка по ширине зазора Л.1 = Л.п1+\п2 + Л&„.

время при неизменной окружной скорости ротора с уменьшением р увеличивается длительность импульса тока в нагрузке. В настоящее время рассматриваются три основных типа активных зон ЭДН: с гладким магнитопроводом, в пазах которого уложена однофазная или многофазная обмотка, с зубчатым (явнополюсным) магнитопроводом и с беспазовым гладким магнитопроводом, на поверхности которого закреплена обмотка ( 6.17, а—в соответственно). Здесь же для этих случаев показан характер изменения магнитных проводимостей рассеяния и взаимной индукции от 9. При неизменных габаритах активных зон наибольшая магнитная проводимость рассеяния при 0 = 0 имеет место в пазовой конструкции магнитопровода ( 6.17, а). Наибольший поток рассеяния замыкается по пазам и с головок зубцов. Для уменьшения пазового потока рассеяния в пазах магнитопровода размещают пластины из высокоэлектропроводного материала, например меди ( 6.18, а). В переходном режиме в пластинах наводятся вихревые токи, препятствующие проникновению через них магнитного потока. Допускается полное экранирование проводников в пазу ( 6.18, 5) с тем условием, что экран, окружающий проводники, должен иметь ограниченную длину, например в пределах осевой длины ЭДН. Однако оба решения задачи являются частичными, так как приводят к существенному уменьшению коэффициента заполнения паза, увеличению тепла,

ное сжатие магнитного потока и тем самым уменьшение магнитной проводимости участков магнитной цепи по сравнению с ЭДН без экранов. Глубина проникновения магнитного потока в тело экрана зависит от электропроводности материала экрана и времени воздействия магнитного потока на экран. В предельном случае сверхпроводникового экрана, находящегося в сверхпроводящем состоянии, весь магнитный поток вытесняется в зазор 5 и проводимость рассеяния во всем диапазоне 0 будет постоянной и минимальной: A!=AIO.

Проводимость рассеяния лобовых частей обмотки зависит от количества пазов на полюс и фазу, длины лобовой части катушки и от укорочения шага обмотки.

Для учета насыщения путей потоков рассеяния все рассчитанные магнитные проводимости статора и ротора (А,п, Яд и Хл) подразделяют на две части. К первой относятся все проводимости, зависящие от насыщения, т. е. переменные — часть проводимости пазового рассеяния (рассеяния клиновой части и шлица пазов статора и ротора, мостиков закрытых пазов ротора), проводимости дифференциального рассеяния статора и ротора. Ко второй части — все проводимости, не зависящие от насыщения, т. е. постоянные — оставшаяся часть проводимости пазового рассеяния, проводимости рассеяния лобовых частей обмоток статора и фазного ротора, проводимости рассеяния короткозамыкающих колец и проводимость рассеяния скоса пазов.

Проводимость рассеяния овального полузакрытого паза (см 10-20) "

Здесь &mi — ширина открытия паза (при открытых пазах bui\=bni); kK — коэффициент, учитывающий влияние открытия пазов статора на магнитную проводимость рассеяния между коронками зубцов, определяемый в зависимости от коэффициента зуб-цовой зоны статора ( 11-16)

Удельная проводимость рассеяния между внутренними поверхностями сердечников полюсов

Удельная проводимость рассеяния между внутренними поверхностями полюсных наконечников

Удельная проводимость рассеяния между торцевыми поверхностями

напряжению. Его значения лежат в пределах 0,002—0,0002. Как показывает анализ устройств на транзисторах, в большинстве практических расчетов им можно пренебречь, т. е. полагать равным нулю. Параметр /I2j3 —безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по току) свойства транзистора при постоянном напряжении на коллекторе. Параметр /122э имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при постоянном токе базы. Н- параметры транзистора позволяют достаточно просто создать его схему замещения, в которой присутствуют только резисторы и управляемый источник тока (см. 1.23, б). Приращения напряжений и токов в схеме на 1.23, б связаны системой управлений (1.8) при Л12=0.

5.4. Каскад транзисторного апериодического усилителя задан схемой замещения коллекторной цепи ( 5.3). Определить проводимость нагрузки <7Н, необходимой для получения коэффициента усиления K(2nf)= 14 на частоте /= I МГц. Крутизна проходной характеристики транзистора S=5Q мА/В, суммарная паразитная емкость С0 = 40 пФ, выходная проводимость транзистора G, = 1,5 • 10~4 См.

5.5. Транзисторный каскад резонансного усилителя с общим эмиттером задан схемой замещения коллекторной цепи ( 5.4). Контур в коллекторной цепи настроен на частоту входного сигнала /0 = 500 кГц, индуктивность контура L = 0,65 • 10~4 Гн, выходная проводимость транзистора G, = 2.5 • 10~4 См, крутизна 5'=50мА/В. Определить добротность контура, необходимую для

Параметр Лп имеет размерность сопротивления и представляет собой входное сопротивление биполярного транзистора RI. Безразмерный коэффициент hi2 определяет внутреннюю обратную связь по напряжению. Для биполярных транзисторов он пренебрежимо мал, на практике принимают Н12 к 0. Безразмерный коэффициент h2l характеризует передачу по току, коэффициент h22 имеет размерность проводимости, он определяет выходную проводимость транзистора при постоянном токе базы.

где h\\ — входное сопротивление транзистора при корот-козамкнутой выходной цепи, Ом; h\i — безразмерный коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутой входной цепи; h2\ — безразмерный коэффициент передачи тока при короткозамкнутой выходной цепи; /Z22 — выходная проводимость транзистора при разомкнутой входной цепи, См.

#ii5 — : входная проводимость транзистора при коротком замыкании выходной цепи; //12б — проводимость обратной связи при корот-

fee — выходная проводимость транзистора при коротком замыкании входной цепи.

где hu6 — входное сопротивление транзистора при коротком замыкании выходной цепи; Л12б — коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе входной цепи; /1216 — коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании выходной цепи; /г22б — выходная проводимость транзистора при холостом ходе входной цепи. Все эти режимы могут быть легко осуществлены практически, поэтому /i-параметры измерить легче, а необходимые у- или г-пара-метры можно получить путем пересчета. По входным и выходным характеристикам /i-параметры можно определить с помощью характеристического треугольника, как показано на 3.37, е, ж. По входным характеристикам из треугольника abc находят входное сопротивление

б) по выходным характеристикам (п. 3) определить параметры hz\ — коэффициент усиления по току и h^ — выходную проводимость транзистора; характеристические треугольники строить на линейных участках характеристик;

характеристических треугольников, построенных на семействе входных и выходных характеристик (см. 6.1.5 и 6.1.6). Параметры, найденные по характеристическому треугольнику, являются малосигнальными, так как они справедливы только для прямолинейных участков характеристик. Из характеристического треугольника определяют входное сопротивление транзистора Ли = ' A6/6/A/6k'K = const и коэффициент обратной связи h\i = = Д?/б/ЛС/к1/в= const. Из семейства статических выходных характеристик определяют коэффициенты усиления по току AJI = = А/ к/ A/ell/, = const и выходную проводимость транзистора h^ = = A/K/A?/K/e = const. Параметры транзисторов зависят от схемы включения (табл. 6.1-). На 6.J.7 представлены зависимости коэффициентов усиления Kt, Ки, КР от сопротивления RH нагрузочного резистора. Характер изменения коэффициента усиления по мощности КР для различных схем включения транзистора иллюстрирует 6.1.8. На 6. 1.9, а представлена зависимость входного /?вх сопротивления от сопротивления R«, а на 6.1.9, б — зависимость выходного сопротивления У?вых транзистора от внутреннего сопротивления /?г генератора входного сигнала при различных схемах включения транзистора. Для низких частот

. Выходная проводимость транзистора: /iz? = д^- = -^ =