Проводимость полупроводника

и одновременно проводимость параллельного участка цепи

сумма величин, обратных сопротивлениям участков параллельных ветвей электрической цепи (сумма проводимостей ветвей цепи); /?к — сопротивление параллельного участка цепи; Сзк — эквивалентная проводимость параллельного участка цепи, Оэн =

Суммарная активная проводимость параллельного участка цепи: G2 = G\ + G2 = 0,046 + 0,05 = 0,096 См.

Общая реактивная проводимость параллельного участка цепи: В,2 = В, + Й2 = — 0,0308 — 0,05 = — 0,081 См.

Полная проводимость параллельного участка цепи: Х2 = = YG?2 + fi?2 = V(0,096)z + (—0,081 )z = 0,125 См. Полное сопротивление этого участка цепи: Zn= 1/K2= 1/0,125 = 8 Ом.

Полная проводимость параллельного участка / — 2 цепи:

Из (2.73) следует, что эквивалентная активная проводимость параллельного соединения цепи равна арифметической сумме активных проводимостей отдельных параллельно включенных ветвей:

Эквивалентная реактивная проводимость параллельного соединения цепи равна алгебраической сумме реактивных проводимостей отдельных параллельно включенных ветвей:

проводимость параллельного соединения равна сумме проводимостей всех параллельных ветвей. Следовательно, эквивалентное сопротивление будет меньше самого малого из параллельно соединенных сопротивлений.

где Оз = 1//?з; УК — проводимость параллельного контура. Учитывая, что проводимость УН = G + /о>оСЧ> , [v = (со2 — соо)/шосо] , перепишем найденную комплексную передаточную функцию в следующем виде:

15.28. Доказать, что проводимость параллельного соединения двухполюсников а и б, показанных на 15.8, равна постоянной величине ' G = 1/R, если ZZ2 = #2.

удельная объемная проводимость 'полупроводника п-типа

электронов из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок (собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. Хотя ?кр и зависит от концентрации примесных носителей, определяющим параметром для нее является ширина запрещенной зоны (чем шире запрещенная зона, тем больше и /хр). Так, если для кремния г1р«330°С, то для германия Гкряй 100°С.

Эти выражения можно записать в виде / = аЕ, где а = о.пцп+ удельная проводимость полупроводника. Обратная ей величина р = = 1/а = 1/(апцп+qpfjip) есть удельное сопротивление полупроводника [Ом-см] .

При наличии избыточной концентрации электронов Дга и дырок Ар удельная проводимость полупроводника

Удельная электрическая проводимость полупроводника в отсутствие внешнего воздействия на него, в том числе и света, определяется равновесной концентрацией свободных носителей заряда п0 и р0, генерируемых за счет тепловой энергии решетки:

?. = С/. при С/с = const: /.= С/./Л, + 6'ДС/С. Динамическую анодную характеристику триода /а([/а) при ^а > 0 можно получить из уравнения Ua=Ea — RJa, записанного для цепи анодного тока: /а= ?а//?а— ?/а//? а, откуда видно, что она не зависит от параметров /?,, S и ц триода. Электронные полупроводниковые приборы основаны на явлениях электропроводности, свойственных полупроводниковым материалам, которые определяются валентными электронами, не прочно связанными с ядрами и не участвующими в создании электропроводности электронами. Электронно-дырочная проводимость возникает в результате разрыва валентных связей, являясь собственной проводимостью, которая обычно невелика. Воздействие на полупроводники электрического поля, температуры и других внешних факторов оказывает большее влияние на их свойства, чем на проводники и изоляторы. Введение незначительного количества инородных примесей значительно увеличивает электрическую проводимость полупроводника, при этом оказывается, что в зависимости от рода примеси можно получить как полупроводник п-типа, так и полупроводник р-типа. При сплавлении полупроводников различных типов создается область по обе стороны от границы раздела, называемая электронно-дырочным или р-п -переходом. При включении p-n-перехода под прямое напряжение полярность приложенного напряжения Um будет обратна полярности напряжения изап запирающего слоя. С возрастанием внешнего напряжения сопротивление p-n-перехода снижается, а ток возрастает. При обратном включении р-л-перехода полярность внешнего напряжения Um соответствует полярности напряжения t/эап запирающего слоя. Обратный ток, обусловленный неосновными носителями заряда, оказывается во много сотен или тысяч раз меньше прямого тока. В полупроводниковых диодах

f — "дельная проводимость полупроводника; I — коэффициент вторичной эмиссии; тд — время пролета носителей от эмиттера к коллектору; а — половина начальной ширины канала полевого

Решение. Удельная проводимость полупроводника a определяется из уравнения

Вычислим удельную проводимость полупроводника п-типа:

6.51. Эксперимент показывает, что удельная проводимость полупроводника зависит от температуры по закону, показанному на 6.1. Объясните форму кривой. Чем различаются области АВ и ВС?

Решение. Удельная проводимость полупроводника