Проводимость осуществляется

2) краевые потоки равны нулю и магнитная проводимость определяется по упрощенной формуле

Следовательно, данная проводимость определяется геометрическими размерами паза.

У полупроводниковых кристаллов проводимость определяется прежде всего количеством электронов, преодолевших запрещенную зону и проникших в зону проводимости. Поэтому сопротивление полупроводников уменьшается с увеличением температуры. Кристаллы с удельным сопротивлением 10 — 10~8 Ом-м относят к проводникам, а с сопротивлением 108—1013 Ом-м — к изоляторам (диэлектрикам). Удельное сопротивление полупроводников от 10~5 до 107 Ом-м.

Проводимости рассеяния демпферной системы складываются из проводимости рассеяния для пазовой части А,дп и проводимости рассеяния для лобовой части Клл.Первая проводимость определяется по формуле (5-15г) для круглого паза ( 5-3, г), а вторая проводимость может определяться по формуле:

Полная проводимость определяется по ранее полученному выражению (1.71) и для ее расчета удобно использовать функцию (2.17), которая в данном случае равна ул — Ylg. Аргумент ХА рассчитывается по формуле

На 4-16 изображена векторная диаграмма ;,ля этой цепи для случая l/(coL) >> соС. Ток в первом участке совпадает по фазе с напряжением, ток в конденсаторе опережает по фазе на угол л/2 напряжение, а ток в катушке отстает по фазе на угол л/2 от напряжения. То обстоятельство, что b образуется как разность bL и Ьс, объясняется тем, что токи в конденсаторе и в катушке сдвинуты относительно друг друга на угол л, т. е. в любой момент времени направлены по отношению к общим зажимам второй и третьей ветвей в противоположные стороны. Эти токи сдвинуты относительно тока в первой ветви на угол л/2, вследствие чего полная проводимость определяется не арифметическим сложением g и Ь, а формулой

Полная проводимость определяется выражением

Проводимость технически чистого трансформаторного масла составляет ga = 10-19-ИО-10 Ом-1 • м-1, что во много раз больше, чем для газов. Проводимость определяется перемещением ионов, которые образуются вследствие диссоциации молекул жидкости или примесей, а также из-за ионизационных процессов. Степень диссоциации молекул жидкости тя (отношение числа дис- 4.30 социированных молекул пя к общему

При температуре около 200° С проводимость определяется в основном уже движением положительных ионов натрия, их переносом на катод. Усиленное тепловое движение,

Физическая прирбда электропроводности диэлектриков. Удельная проводимость определяется числом носителей заряда п (м~3) в единице объема вещества, зарядом q (Кл) и подвижностью ц (ма/В-с) носителя заряда:

Радиационная проводимость определяется строением диэлектрика и мощностью поглощенной дозы и при изотермических условиях равна

При собственной проводимости концентрация электронов и' дырок в полупроводнике одинакова. На практике обычно приходится сталкиваться с полупроводниками, обладающими так называемой примесной проводимостью. В таких полупроводниках электрическая проводимость осуществляется в основном за счет движения зарядов одного знака — электронов или дырок. Чтобы получить электронную или дырочную проводимость, достаточно ввести один атом примеси на 108 атомов полупроводника. Атомы примеси в кристаллической решетке германия и кремния обычно замещают часть основных атомов в узлах решетки. Результаты такого замещения зависят от материала примеси.

ся свободным. При комнатной температуре практически все электроны фосфора, не образующие ковалентных связей с атомами кремния, становятся свободными и участвуют в электрической проводимости. Атом фосфора, потерявший один электрон, превращается в неподвижный положительно заряженный ион. Свободные электроны примеси добавляются к собственным электронам полупроводника, вызванным термогенерацией, поэтому проводимость полупроводника становится преимущественно электронной. Примеси, вызывающие в полупроводнике преобладание числа электронов над числом дырок, т. е. обусловливающие преимущественно электронную проводимость, называются донорными («отдающими» электроны). По отношению к германию и кремнию донорами помимо фосфора могут быть сурьма, мышьяк и некоторые другие элементы пятой группы таблицы Менделеева. Таким образом, в кремнии с примесью фосфора число свободных электронов всегда превышает число дырок и электрическая проводимость осуществляется за счет движения свободных электронов. В этих условиях электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. Полупроводники, у которых основными носителями заряда являются электроны, называются полупроводниками типа п.

Таким образом, в кремнии с примесью алюминия число дырок всегда превышает число свободных электронов и электрическая проводимость осуществляется за счет перемещения дырок. В этих условиях дырки являются основными носителями заряда, а электроны — неосновными. Полупроводники, у которых основные носители заряда дырки, называются полупроводниками типа р.

Электронными приборами называются приборы, в которых проводимость осуществляется, посредством электронов или ионов движущихся в вакууме, газе или полупроводнике.

Электровакуумный прибор — это прибор, в котором проводимость осуществляется посредством электронов или ионов, движущихся между электродами через вакуум или газ. Электровакуумные приборы подразделяются на электронно-управляемые, газоразрядные и электронно-лучевые приборы (ЭЛП).

Электровакуумные приборы — это электронные приборы, в которых проводимость осуществляется посредством электронов или ионов, движущихся между электродами через вакуум или газ.

Электрический ток в металлах представляет собой движение электронов проводимости. К проводящим веществам относятся также уголь и электролиты. В электролитах проводимость осуществляется положительными и отрицательными ионами.

Для обеспечения надежной работы контактов следует предусмотреть разрушение поверхностных пленок механическими способами или путем электрического пробоя. При толщине пленки (104-30) х X 10~~10 м проводимость осуществляется благодаря туннельному эффекту (см. § 3.4). Некоторые пленки являются полу проводящими, и при достижении соответствующего напряжения происходит их тепловой пробой. Для разрушения толстых поверхностных пленок в KOI струкции аппарата обычно предусматривается взаимное перемещение контактирующих элементов в момент включения, вследствие чего происходит их самоочистка. При этом следует иметь в виду, что пленки, как правило, имеют хрупкую структуру, и в процессе соударения контактов частицы этих пленок могут вдавливаться в контактный материал, в результате чего при многократном срабатывании аппарата на рабочей поверхности контактных элементов могут образоваться участки, через которые ток не проходит. Это в конечном счете может привести к чрезмерному нагреву и полному нарушению электрического контакта. С возрастанием тока в контактном соединении увеличивается число микроповерхностей, через которые осуществляется прохождение тока, поверхностный слой вследствие диффузии и ионной проводимости разрушается, и сопротивление контактов снижается. Чем больше подвижность ионов в поверхностном слое, тем интенсивнее он разрушается.

Органические полупроводники охватывают широкий круг химических соединений, в которых проводимость осуществляется электронами или дырками, а не ионами. Все они отличаются пренебрежимо малой ионной проводимостью. Удельная проводимость этих соединений составляет 10~16 -т- 1СГ1 I/OM.-GM, т. е.1 находится по преимуществу в интервале значений проводимости полупроводников; проводимость с ростом температуры увеличивается. У некоторых веществ проявляются эффект Холла (полифталоцианин меди) и фотоэффект, т. е. явления, присущие полупроводнику.

В отличие от собственных полупроводников, в которых проводимость осуществляется одновременно электронами и дырками, в примесных полупроводниках проводимость обусловливается в основном носителями одного знака: электронами в полупроводниках донорного типа и дырками в полупроводниках акцепторного типа. Эти носители называются основными.

Электронные приборы — это приборы, в которых проводимость осуществляется посредством электронов или ионов, движущихся в вакууме, газе или полупроводнике. Электронные приборы используют лишь в качестве составных частей аппаратуры, не подлежащих сборке, разборке и ремонту в процессе производства и эксплуатации.