Проводимость материала

Как влияют дефекты кристаллической решетки на проводимость кристалла?

Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при Г=0 К?

Как влияют дефекты кристаллической решетки на проводимость кристалла?

Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и; полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при T-Q К?

Легко понять, что проводящие свойства кристалла зависят от ширины запрещенной зоны, разделяющей валентную зону и зону проводимости. Чем шире запрещенная зона, тем меньше (при заданной температуре) количество электронов, которые проникнут в зону проводимости, тем меньше проводимость кристалла.

Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при 7" = 0 К? Нулю 111

Переход носителей заряда в свободное состояние при наличии примесных уровней существенно облегчается, так как сокращается участок запрещенной зоны, который электронам надо преодолеть. Проводимость кристалла возрастает.

Как влияют дефекты кристаллической решетки на проводимость кристалла?

то движение свободных электронов и дырок через пограничный слой облегчится и проводимость кристалла сильно увеличится.

Наоборот, если внешнее поле направлено одинаково с полем в переходе Э — Д ( 4-16, б), то движение электронов и дырок через границу еще более затруднится, ширина непроводящего запирающего слоя как бы увеличится и проводимость кристалла будет очень мала.

Если теперь в полупроводник IV группы таблицы Менделеева ввести элемент III группы, например алюминий, то все три валентных электрона примесного атома будут участвовать в образовании ковалентных связей, одна из четырех связей с ближайшими атомами основного вещества окажется незавершенной ( 8.1, в). В незаполненную связь около атома алюминия за счет тепловой энергии может перейти электрон от соседнего атома основного вещества. При этом образуются отрицательный ион алюминия и свободная дырка, перемещающаяся по связям основного вещества и, следовательно, принимающая участие в проводимости кристалла. Примесь, захватывающая электроны, называется акцепторной. Для образования свободной дырки за счет перехода электрона от атома основного вещества к атому примеси требуется значительно меньше энергии, чем для разрыва ковалентных связей кремния. В силу этого количества дырок может быть значительно больше количества свободных электронов и проводимость кристалла будет дырочная.

от со^га электротехнической стали и конструкции магнитопровода; / — частота; G — масса магнитопровода; т — удельная проводимость материала; Вт — амплитуда магнитной индукции.

где В — индукция магнита, Тл; Н — напряженность намагничивающего поля, кА/м; g — удельная проводимость материала' магнита, Ом~1-м~1; D — эффективный диаметр магнита, м.

где / — длина линии, м; у — удельная проводимость материала провода или жилы кабеля, м/(Ом-мм2); s — сечение провода или жилы кабеля, мм2.

где f — частота, Гц; стх и ст2 — проводимость материала полоски и основания, 1/(Ом -• м).

где d—характерный размер поперечного сечения проводника, ст—проводимость материала (например, для меди при ^=0,1 м имеем т0«0,3 с).

где ав - коэффициент вихревых токов, значение которого зависит от copra электротехнической стали и конструкции магнитопровода; / - частота; С - масса магнитопровода; у - удельная проводимость материала; Вт — амплитуда магнитной индукции.

где а — коэффициент вихревых токов, значение которого зависит от со^га электротехнической стали и конструкции магнитопровода; / — частота; G — масса магнитопровода; ? — удельная проводимость материала; Вт — амплитуда магнитной индукции.

где /натр — ток нагрузки, А; I — длина магистральной линии, м; ДU — допустимые потери напряжения, В; у — удельная проводимость материала проводов, м/(мм2Х ХОм).

где со = 2л/— угловая частота, с"1; D — ширина коробки прямоугольного экрана или диаметр цилиндрического и сферического экрана, см; d—толщина стенок экрана, см; т—коэффициент формы экрана (т = 1 для прямоугольного, т = 1 для цилиндрического и т = 3 для сферического экрана); а — удельная проводимость материала экрана, См-мм"1 • 103; ц0 = 1,256 -10 8 Гн/см—магнитная постоянная (магнитная проницаемость вакуума).

Решение. Собственная удельная проводимость материала Oi=«;e(^n+o,p), где Пг — собственная концентрация носителей, а д, — подвижность. Если подвижности остаются постоянными, то HI — только один параметр, меняющийся с температурой Т по закону

Если проводимость материала тела велика, то напряженности электрического поля на поверхности проводящего тела будут малы по сравнению с напряженно-стями в диэлектрике, из которого волна падает на проводящее тело, а токи, индуктируемые в поверхностном слое, будут создавать напряженности магнитного поля на поверхности тела, приблизительно равные и направленные в обратную сторону по отношению к напряженностям поля падающей волны. Процесс отражения волны в этом случае подобен отражению волны от конца короткозамкнутой линии.