Проводящих элементов

Это объясняется следующим. Во второй ветви с диодом Д2 ток практически равен нулю, так как для этого полупериода диод включен в непроводящем направлении и его сопротивление велико. В первой ветви диод Д4 для положительного полупериода включен в проводящем направлении, но он начинает пропускать ток только при напряжении

каст э. д. с., для которой диод Д1 оказывается включенным в проводящем направлении, и через входную обмотку (обмотку запиеи) второго сердечника w3aa% пройдет импульс тока, создающий напряженность, достаточную для перемагничивания сердечника // от —Вг до +ВГ. В результате окажется, что информация переместилась е ячейки / на ячейку // и теперь уже состояние первого сердечника соответствует нулю (—Вг), а второго — единице (+бг). Очевидно, что подача считывающего (сдвигающего, тактового) импульса в обмотку считывания второй ячейки wC4Z, после того как на ее сердечнике будет запи-

Из 3.24, виг следует, что в цепь заряда ЕН во время внекоммутационных интервалов последовательно с Сн включены две фазы, а во время коммутационных — две параллельно включенные последовательно с третьей. Поэтому сопротивления резисторов, включенных последовательно с Сн и ограничивающих зарядный ток, различны в коммутационных и внекоммутационных интервалах. Время заряда зависит от соотношения длительностей коммутационных и внекоммутационных интервалов, что, как показывает математическое моделирование (§ 3.4.2), определяется главным образом соотношением активного и индуктивного сопротивлений в цепи до выпрямителя [3.9]. Это соотношение определяет также КПД зарядного процесса r\.t [3.18]. Физически это объясняется следующим образом. При включении в цепь до выпрямителя чисто реактивных элементов, в идеальном выпрямителе (сопротивление в проводящем направлении равно нулю) и идеальном ЕН (без потерь) Лз—Ь так как потерь мощности в реактивных токоограничительных сопротивлениях нет.

где P(t), Pa(t) — расчетные значения мощности, потребляемой от источника питания силовой цепью (якоря), и мощности возбуждения (индуктора); ? — коэффициент, учитывающий наличие отдельной цепи электромагнитного возбуждения: ? = 1 для различных типов МПТ и синхронных ЭМ, ? = () для асинхронных (индукционных) машин и для ЭМ с возбуждением от постоянных магнитов: W^ — накопленная ротором ЭМН кинетическая энергия; WTp — энергия потерь на трение (ротора ЭМН об окружающую среду, в опорах ротора и в подвижных контактах токосъема); W.in — энергия электрических потерь в силовой цепи (обмотке якоря, контактах, токоподводах, а также на сопротивлениях в проводящем направлении полупроводниковых элементов вентильных преобразователей, совмещенных с ЭМН); WM3r — энергия магнитных потерь (на гистерезис и вихревые токи в магнитопроводе); Ws — энергия электрических потерь на возбуждение; ?3 -время зарядного режима (для ЭМН t3 существенно меньше, чем для ЭХН. см. гл. 1),

т. е. в проводящем направлении плотность тока при увеличении U возрастает по экспоненте (правая часть графика йа 1.8). Этот закон изменения характерен тем, что при небольших изменениях U величина / изменяется резко, что является характерной особенностью всех выпрямительных устройств.

По аналогии с контактом металл — полупроводник, свойства которого рассмотрены в гл. 1, несимметричная структура МДМ имеет выпрямительную вольт-амперную характеристику, по форме которой можно судить о физических процессах, протекающих в структуре МДМ. При приложении к этой структуре внешнего напряжения U в проводящем направлении, т. е. когда разность между потенциалами (рг и ф2 начинает возрастать, увеличивается инжек-ция. Это приводит к- возникновению перераспределения концентрации электронов, потенциала и напряженности электрического поля в диэлектрике. В результате возрастает плотность тока / и появляется область токов, ограниченных пространственным зарядом. Величина этого заряда зависит от внешнего электрического поля, т. е. изменяется при изменении величины U.

вает большие значения токов в проводящем направлении и ничтожно малые — в обратном. Такой диод обладает выпрямительными свойствами. Диэлектрические триоды в отличие от диодов .имеют третий электрод, аналогичный сетке в электровакуумном Tpf оде. Этот электрод помещают вне диэлектрика, что обеспечивает изменение распределения потенциала в последнем.

Рассмотрим емкость р — «-перехода для двух случаев: при приложении напряжения в запирающем и проводящем направлении. В запирающем направлении емкость р — «-перехода, называемая барьерной, зависит от величины приложенного напряжения, которое изменяет перераспределение зарядов. Эта зависимость объясняется тем, что изменение объемного заряда, образованного неподвижными атомами примесей, связано с изменением ширины области, занимаемой этим зарядом. Увеличение этой области эквивалентно увеличению расстояния между пластинами конденсатора и уменьшению его емкости.

Барьерная емкость резко уменьшается с увеличением обратного напряжения ( 4.6). При приложении к р — п-переходу напряжения в проводящем направлении большое количество носителей заряда диффундирует через пониженный потенциальный барьер и не успевает при этом рекомбинировать. В области р — «-перехода происходит накопление инжектированных неравновесных носителей и образуемого ими заряда, причем процесс накопления зависит от приложенного напряжения. В результате появляется емкость, которая называется диффузионной, так как она обусловлена диффузионными процессами в переходе. Эту емкость, CD, можно представить как отношение заряда AQo к вызвавшему его к уменьшению напряжения Д?Л

В проводящем направлении ( 4.7, б) дифференциальное сопротивление р — n-перехода на линейном участке вольт-амперной характеристики чрезвычайно мало, и его величиной можно пренебречь по сравнению с г. При работе на .низких частотах емкость С, величина которой в проводящем направлении равна Со, не оказывает влияния на работу р — n-перехода. Это объясняется тем, что емкостное сопротивление 1/соСо на низких частотах велико по сравнению с Гдцф и в этих условиях емкостным сопротивлением в параллельном соединении можно пренебречь ( 4.7, б).

С- возрастанием рабочей частоты емкость CD начинает оказывать влияние на свойства перехода. В проводящем направлении при высоких частотах имеет место соотношение гт$ > 1/соСд, т. е. для этого случая емкость CD должна присутствовать в схеме замещения, так как она практически определяет сопротивление р — п-перехода. Схема замещения для проводящего напряжения в области высоких частот принимает вид, показанный на 4.7, в.

При разрушающем контроле изделие после испытаний вскрывают и проверяют наличие обрывов и коротких замыканий токо-проводящих элементов, следов коррозии, возможные каналы потери герметичности.

фотолитографии и травления алюминия проводящая пленка остается только в областях контактных площадок и проводников (на 2.2, б участки проводящего материала зачерчены). При этом сформированные на предыдущем этапе резисторы не повреждаются. После нанесения поверх проводящих элементов и резисторов защитного слоя стекла проводится еще одна, третья фотолитографическая обработка, в результате которой стекло удаляется из областей над контактными площадками, а также по периметру платы ( 2.2, в) для скрайбирования и последующего разделения подложки на платы. Сформированная таким образом пленочная структура показана на 2.2, г.

Железо и сталь значительно уступают по электропроводности меди и поэтому применяются только для элементов большого сечения электротехнических устройств. Так, например, стальные рельсы используются в электрифицированном транспорте в качестве обратных проводов. Иногда железные провода используются в качестве проводящих элементов в мало ответственных электротехнических конструкциях.

Наилучшим материалом для изготовления муфелей является плавленый кварц, хорошо пропускащий тепло и не обладающий термической инерционностью. Для сохранения чистоты пленки муфель продувается сухим воздухом. Продувку осуществляют за счет небольшого наклона печи или путем подачи воздуха в муфель под давлением. При применении первого способа необходимо, чтобы в потоке воздуха не было примеси хлора, очень сильно влияющего на палладиевосеребряные резисторы. Температура в печи измеряется термопарами, расположенными по ее длине, и регулируется кремниевым терморегулятором постоянного тока. Для вжигания резисторов разброс температуры в печи не должен превышать ±2 °С. Для проводящих элементов, которые менее чув-ствител'ьны к условиям вжигания, допуск на постоянство температуры может быть несколько большим. Для создания в печи неизменных температурных условий в нее предварительно помещают контрольные подложки, при помощи которых создают нужный температурный режим. Лишь после этого в печь закладывают схемы. Число зон в печи зависит от вжигаемых материалов. Для вжигания проводников достаточно иметь две регулируемые зоны, а для вжигания резисторов или диэлектриков — не меньше четырех.

Резисторы делятся на два класса: проволбчные и непроволочные. К проволочным относятся резисторы с проводящими элементами из провода или ленты, к мепроволочным — в которых в качестве проводящих элементов используются специальные объемные структуры физического тела или поверхностные слои, образованные на базовых изоляционных деталях.

Формы и размеры резисторов и их проводящих элементов должны в максимальной степени отвечать конструктивным и технологическим , v > i требованиям.

Следовательно, из двух форм проводящих элементов, целесообразных с точки зрения мощности рассеяния и габаритных размеров, пленочная является наиболее приемлемой для практической реализации.

Микромодульные резисторы изготавливаются без выводов и их параметры определяются свойствами используемых проводящих элементов.

Вафельные резисторы представляют собой плоские квадратные керамические основания толщиной 0,25—0,4 мм с нанесенным на них проводящим элементом из лакопленочных или металлостеклян-ных композиций, а также из осажденных металлических пленок. В последнем случае проводящий элемент имеет змеевидную форму ( 1.12). Иногда на одном керамическом основании размещают два или более проводящих элементов с одной или с двух сторон. ч

В индукционной тигельной электропечи (ИТП) переменное магнитное поле индуктирующей системы наводит в загрузке токи, создающие свое (вторичное) магнитное поле, накладывающееся на первичное. Конфигурация результирующего поля определяет распределение тока по сечению как загрузки, так и проводящих элементов индуктирующей системы.

Электростатические разряды, следующие с проводящих элементов оборудования, по энерго-временным характеристикам адекватны разрядам заряженного конденсатора. В искровом разряде в этом случае может реализоваться энергия, достаточная для воспламенения горючих смесей даже с большой энергией зажигания.