Проводящего состояния

В большинстве случаев применяются алюминиевые шины, а стальные — только в установках с токами не выше 200 А. Алюминиевые шины могут быть однополосными и многополосными прямоугольного сечения с размерами полосы примерно 120 х 10 мм. Для больших переменных токов часто устанавливаются шины коробчатого сечения ( 16.1). Их преимущества — механическая прочность и простота монтажных работ. Кроме того, благодаря расположению проводящего материала по периферии общего сечения в коробчатых шинах при переменном токе мало сказываются поверхностный эффект и эффект близости, уменьшающие активное сечение проводника. Шины укрепля-

Величина А определяется диаметром трубки, ее длиной и свойствами жидкости, аналогично тому как сопротивление резистивного элемента г определяется его размерами и свойствами проводящего материала.

Явление Томсона заключается в следующем: внутри каждого элемента проводящего материала при наличии в нем градиента температуры выделяется или поглощается (в зависимости от направ-

где тт _ коэффициент Томсона, зависящий от физической природы проводящего материала.

В большинстве случаев применяются алюминиевые шины, а стальные — только в установках с токами не выше 200 А. Алюминиевые шины могут быть однополосными и многополосными прямоугольного сечения с размерами полосы примерно 120 х 10 мм. Для больших переменных токов часто устанавливаются шины коробчатого сечения ( 16.1). Их преимущества - механическая прочность и простота монтажных работ. Кроме того, благодаря расположению проводящего материала по периферии общего сечения в коробчатых шинах при переменном токе мало сказьшаются поверхностный эффект и эффект близости, уменьшающие активное сечение проводника. Шины укрепля-

В большинстве случаев применяются алюминиевые шины, а стальные — только в установках с токами не выше 200 А. Алюминиевые шины могут быть однополосными и многополосными прямоугольного сечения с размерами полосы примерно 120 х 10 мм. Для больших переменных токов часто устанавливаются шины коробчатого сечения ( 16.1). Их преимущества — механическая прочность и простота монтажных работ. Кроме того, благодаря расположению проводящего материала по периферии общего сечения в коробчатых шинах при переменном токе мало сказываются поверхностный эффект и эффект близости, уменьшающие активное сечение проводника. Шины укрепля-

фотолитографии и травления алюминия проводящая пленка остается только в областях контактных площадок и проводников (на 2.2, б участки проводящего материала зачерчены). При этом сформированные на предыдущем этапе резисторы не повреждаются. После нанесения поверх проводящих элементов и резисторов защитного слоя стекла проводится еще одна, третья фотолитографическая обработка, в результате которой стекло удаляется из областей над контактными площадками, а также по периметру платы ( 2.2, в) для скрайбирования и последующего разделения подложки на платы. Сформированная таким образом пленочная структура показана на 2.2, г.

Конструкция постоянных резисторов. Основанием для тонкослойного или пленочного резистора служит керамический стержень или трубка, на поверхности которого нанесен тонкий слой проводящего материала. Для подключения резистора к схеме на стержень напрессовывают два металлических колпачка, выводы которых могут быть припаяны в аппаратуре. Для защиты токопроводящего слоя от воздействия влаги и механических повреждений резистор покрывают слоем эмали. Наиболее часто встречающаяся конструкция тонкослойного или пленочного резистора показана на 5.2, а.

Высокоомные резисторы на базе углерода или металлов можно получать только за счет существенного уменьшения толщины пленки. Такие резисторы не обладают достаточной надежностью при работе в различных режимах и условиях эксплуатации. От этих недостатков свободны композиционные резисторы, у которых можно получать большое значение сопротивлений даже при объемной конструкции токопро-водящего слоя. Недостатком композиционных резисторов является ббльшая, чем у резисторов групп С1 и С2, зависимость значения сопротивления от приложенного напряжения. Кроме того, из-за крупнозернистой структуры проводящего материала композиционные резисторы имеют большую э.д.с. шумов.

Временная нестабильность сопротивления резистора характеризуется относительным изменением сопротивления за определенное время (обычно за год) и определяется свойствами проводящего материала, конструкцией и, в значительной степени, технологией изготовления резистора.

Основные разновидности. В основе принципа работы тензорези-сторов лежит явление тензоэффекта, заключающееся в изменении электрического сопротивления проводящего материала при его механической деформации. Основной характеристикой чувствительности материала к механической деформации является коэффициент относительной тензочувствительности k, определяемый как отношение относительного изменения сопротивления к относительному изменению длины проводника:

При активной нагрузке RH и бесконечной мощности источника в любой момент времени проводят ток два диода: один из четной группы, который имеет наибольшее положительное напряжение, а другой из нечетной группы, у которого наименьшее напряжение (наибольшее отрицательное напряжение). На 3.24, б показаны фазные напряжения источника iiA, uB, uc. От точки а до точки b работают диоды 2 и 3, а диоды 1, 4, 5,6 отключены, затем диод 2 выходит из проводящего состояния, а диод 6 открывается, так что проводят ток диоды 3 и 6 и т. д. Переключение диодов происходит в точках пересечения синусоид фазных напряжений. Так как любые два диода включены на линейное напряжение, выпрямленное напряжение на нагрузке получается как разность кривых фазных напряжений на участках (сплошные кривые на 3.24,6), на которых в проводящем состоянии находятся соответствующие вентили и показаны номера диодов, проводящих ток. Выпрямленное напряжение имеет шестикратные

Кроме того, в инверторах рассмотренного типа (инверторах напряжения) возможны очень большие пики тока при малых частотах вращения двигателя. Это объясняется тем, что минимальная длительность приложения напряжения T«in довольно велика, так как она определяется временем перезаряда коммутирующего конденсатора. При малой частоте вращения двигателя ЭДС вращения в обмотке статора практически отсутствует и за период проводящего состояния инвертора ток в обмотке возрастает по закону:

После момента времени 1 1 (когда завершается переключение тока /о в эмиттер опорного транзистора элементов II группы) изменение выходного напряжения элемента I группы приближенно можно оценить по (7.39). В действительности в моменты времени t > fi при определении выходного напряжения C/Buxi(0 надо учитывать изменение входной емкости Свх нагрузочных транзисторов (так как они переходят из проводящего состояния в закрытое). Однако емкость Свх не так существенно влияет на крутизну изменения выходного напряжения, так как благодаря включению эмиттерного повторителя ее влияние ослабляется в Рдг раз [см. (7.40) для т]. Аналогично после момента времени t2 можно считать, что дальнейшее нарастание выходного напряжения элементов II группы происходит по экспоненте с постоянной времени т.

Особой разновидностью полупроводниковых диодов являются высокочастотные и импульсные диоды, при создании которых достигнуты малые значения внутренних емкостей и малое время переключения из проводящего состояния в непроводящее и обратно.

9.7. Временные диаграммы тока, напряжения и интервала проводящего состояния вентилей в схеме 9.6 при регулировании выходного напряжения

Из 16.2,6 видно, что с изменением фазового сдвига между напряжениями на сетке и аноде тиратрона меняется длительность его проводящего состояния и, следовательно, величина среднего тока через нагрузку. Такие схемы применяются в различных устройствах автоматики в качестве мощных выходных каскадов, выпрямителях со стабилизацией и т. д.

ТП — тиристор, проводящий в обратном направлении (параметры обратного проводящего состояния не нормируются);

ТД — тиристор-диод (тиристор, проводящий в обратном направлении, параметры обратного проводящего состояния нормируются);

Так как распространение проводящего состояния происходит при насыщении структуры, можно считать, что ток

Тогда изменение напряжения на тиристоре во время распространения проводящего состояния описывается:

реключеныи из проводящего состояния в непроводящее. Появляющаяся погрешность связана с тем, что после окончания этапа рассасывания заряда (/д=0 или ФБ=О) изменение обратного тока в этих моделях определяется только барьерной емкостью Сбар. Реально (см. § 1.3.7) спад обратного тока происходит также за счет экстракции неосновных носителей из базы диода (особенно существенно этот эффект сказывается в диодах с широкой базой). Для повышения точности моделирования подобных режимов эксплуатации диодов зарядное уравнение по окончании этапа рассасывания представляют в виде