Проведенного рассмотрения

отказывать в действии при повреждении через Rn в начале линии. При других видах КЗ допустимые пределы изменения ФР max ч выявляются аналогичным образом. Проведенное рассмотрение работы схемы при разных видах и местах

Проведенное рассмотрение позволяет ответить на вопрос, поставленный в § II.4: как работает выпрямитель в тот момент, когда э. д. с. двух соседних фаз равны друг другу (точки Ь и е на V.8, б)? В реальном выпрямителе — при учете L, — с этого момента обе фазы начинают работать параллельно в течение времени, соответствующего углу у*.

Проведенное рассмотрение справедливо не только для триода. Если тетрод или пентод используется в усилительной схеме, то цепи экранирующей и защитной сеток заземлены по переменной составляющей. Защитная сетка обычно соединена с катодом и через большую емкость, шунтирующую резистор смещения в цепи катода, подключена к земле. Экранирующая сетка также через большую емкость обычно соединяется с землей. Поэтому в цепях этих электродов не выделяются переменные напряжения. Входной цепью усилителя на тетроде или пентоде, так же как и усилителя на триоде, является цепь управляющей сетки. Усиленное напряжение снимается с анодной нагрузки, и анодная цепь лампы оказывается выходной. Таким образом, схемы 5-4 могут служить также эквивалентными схемами для тетрода или пентода.

Проведенное рассмотрение справедливо не только для триода. Если тетрод или пентод используются в усилительной схеме, то экранирующая и защитная сетки заземлены по переменной составляющей. Защитная сетка обычно соединена с катодом, который через большую емкость, шунтирующую резистор в цепи катода, связан с землей. Экранирующая сетка обычно также через большую емкость соединяется с землей. Поэтому на этих электродах отсутствуют переменные напряжения. Входной цепью усилителя на тег-роде или пентоде, так же как и усилителя на триоде, является цепь управляющей сетки. Усиленное напряжение снимается с анодной нагрузки, и анодная цепь лампы оказывается выходной. Таким образом, схемы на 10.13 могут служить также эквивалентными схемами для тетрода или пентода.

Проведенное рассмотрение охватывает случай относительно медленного и «узкополосного» изменения частоты, не выходящего за пределы полосы прозрачности цепи.

Хотя проведенное рассмотрение относится к гармоническому (немодулированному) сигналу, полученные выводы можно полностью распространить на обработку прямоугольных импульсных радиосигналов на фоне помех, когда импульс на выходе детектора есть приращение постоянной составляющей выпрямленного напряжения в промежутке времени, равном длительности импульса.

Проведенное рассмотрение справедливо не только для триода. Если тетрод или пентод используется в усилительной схеме, то цепи экранирующей и защитной сеток заземлены по переменной составляющей. Защитная сетка обычно соединена с катодом и через большую емкость, шунтирующую резистор смещения в цепи катода, подключена к земле. Экранирующая сетка также через большую емкость обычно соединяется с землей. Поэтому в цепях этих электродов не выделяются переменные напряжения. Входной цепью усилителя на тетроде или пентоде, так же как и усилителя на триоде, является цепь управляющей сетки. Усиленное напряжение снимается с анодной нагрузки, и анодная цепь лампы оказывается выходной. Таким образом, схемы 5-4 могут служить также эквивалентными схемами для тетрода или пентода.

Оценка и область применения. Проведенное рассмотрение дает возможность. :делать следующие общие выводы по первым и вторым ступеням зашиты, а также по защите в целом, включаемой на полные токи фаз.

Проведенное рассмотрение работы схемы при всех основных видах к. з. (К(3), К(2), К(1)) дает возможность сделать следующие выводы.

Проведенное рассмотрение показало, что надежность устройства в значительной степени зависит от надежности входящих в его» состав элементов. Отсюда ясно, что одним из способов снижения отказов является повышение долговечности деталей — транзисторов, диодов, ламп, резисторов, конденсаторов, переключателей, контактных разъемов и пр., а также рациональное конструирование,, имеющее целью уменьшение количества компонентов; с этой точки» зрения целесообразно использование интегральных схем, надежность которых значительно выше, чем аналогичных блоков, выполненных на дискретных элементах.

Особенностью МП серии К584 является совмещение во времени процессов выполнения одной микрокоманды и выборки кода следующей. Поэтому признаки результата выполнения данной микрокоманды могут быть использованы только через одну микрокоманду. Чтобы преодолеть это ограничение, значение анализируемого в данном такте признака надо подавать на младший адресный разряд Л0 ПЗУ микрокоманд. При этом упрощается и ускоряется обработка признаков ценой появления пустых ячеек ПЗУ, так как коды микрокоманд, в которых не осуществляются условные переходы, будут записываться а ПЗУ через строчку. Проведенное рассмотрение позволяет составить следующий формат микрокоманды: К1 — К9--код МК, подаваемый на ШМК ЦПЭ; КЮ — К12 — управление входом переноса АЛУ (П), входом счетчика команд (ПСТ) и инкрементом (УИ); К13—К16 — поле для кодирования сигналов, управляющих записью и использованием признаков, а также обменом информацией с внешними устройствами.

ч) <90°, должен удовлетворять условию О<—фртохчОО0. При фр max ч=0 (a=0) схема могла бы отказывать в действии при повреждении через Rn в начале линии. При других видах КЗ допустимые пределы изменения фр max ч выявляются аналогичным образом. Проведенное рассмотрение работы схемы при разных видах и местах

Из проведенного рассмотрения следует, что изменение напряжения на сетке лампы приводит к существенному изменению картины поля в междуэлектродном пространстве, в особенности в про,-странстве сетка—катод. Таким образом, на потенциальный барьер вблизи катода и, следовательно, на объемный заряд оказывает влияние некоторое результирующее поле, определяемое напряжениями на аноде и сетке лампы.

Как следует из проведенного рассмотрения, высокочастотные параметры обусловлены допустимым уменьшением коэффициента передачи тока до того или иного значения. В свою очередь уменьшение коэффициента передачи тока с повышением частоты —'• следствие инерционности ряда физических процессов в транзисторе, среди которых одну из важных ролей играет величина t^ — среднего времени диффузии инжектированных носителей — дырок в базе, при условии, что w -^ Lp [см. (9-121)]. Поэтому в литературе высокочастотные параметры часто выражают через время tD:

Из проведенного рассмотрения следует, что на работу транзистора в переключающих схемах влияют те же физические величины, которые определяют его инерционность при работе с сигналами высокой частоты: емкости переходов Сэ, Ск, коэффициент диффузии дырок в базе Dp, их время жизни в базе тр и др.

нения Матье и, тем более, устойчивым решениям уравнения (11.61). 11.21, по существу, является изображением в увеличенном масштабе одного «языка» диаграммы 11.20 в окрестности точки 6 = 1, е = 0. На основании проведенного рассмотрения нетрудно определить все параметры свободного колебания в параметрическом контуре.

(10.74). 10.26 по существу является изображением в увеличенном масштабе одного «языка» диаграммы 10.25 в окрестности точек б = 1, в = 0. На основании проведенного рассмотрения нетрудно определить все параметры свободного колебания в параметрическом контуре.

Из проведенного рассмотрения следует, что изменение напряжения на сетке лампы приводит к существенному изменению картины поля в междуэлектродном пространстве, в особенности в про,-странстве сетка—катод. Таким образом, на потенциальный барьер вблизи катода и, следовательно, на объемный заряд оказывает влияние некоторое результирующее поле, определяемое напряжениями на аноде и сетке лампы.

Как следует из проведенного рассмотрения, высокочастотные параметры обусловлены допустимым уменьшением коэффициента передачи тока до того или иного значения. В свою очередь уменьшение коэффициента передачи тока с повышением частоты —'• следствие инерционности ряда физических процессов в транзисторе, среди которых одну из важных ролей играет величина t^ — среднего времени диффузии инжектированных носителей — дырок в базе, при условии, что w -^ Lp [см. (9-121)]. Поэтому в литературе высокочастотные параметры часто выражают через время tD:

Из проведенного рассмотрения следует, что на работу транзистора в переключающих схемах влияют те же физические величины, которые определяют его инерционность при работе с сигналами высокой частоты: емкости переходов Сэ, Ск, коэффициент диффузии дырок в базе Dp, их время жизни в базе тр и др.

Образование кристаллитов коррозионной пленки из раствора предполагает образование наружных осадков или шлама в объеме жидкости за счет роста на существующих ядрах или гомогенного образования центров кристаллизации. Образование шлама за счет эрозии поверхностных осадков в динамической системе, конечно, не исключено. Из проведенного рассмотрения следует, что продукты коррозии могут существовать в четырех формах:

Из проведенного рассмотрения ясно, что применение вспомогательных синхронных генераторов может быть оправдано лишь на АЭС, построенных по схеме моноблока и использующих в качестве ГЦН малоинерционные бессальниковые циркуляционные насосы. При двух турбогенераторах на реактор даже при допустимой потере всего одной трети общего числа ГЦН схема с ВСГ не имеет решающих преимуществ, в особенности при наличии в районе АЭС станции, один из агрегатов которой можно выделить для питания одного из рабочих трансформаторов с. н. АЭС.

Из проведенного рассмотрения следует сделать важный вывод: в трехуровневых квантовых системах частота накачки всегда должна превышать частоту сигнала.