Пропорционально отношению

вая может быть разбита на три участка: участок Оа, на котором магнитная индукция возрастает почти пропорционально напряженности поля, участок аб, на котором рост магнитной индукции замедляется и который часто называют коленом кривой намагничивания, и участок за точкой б, где зависимость В от И становится почти

Рассмотрим другой вид электрического тока, именуемый электрическим током переноса, под которым понимают явление переноса электрических зарядов движущимися в свободном пространстве заряженными частицами или телами. Ток переноса отличается от тока проводимости тем, что его плотность не может быть представлена соотношением J = уЕ, где удельная проводимость у есть определенная величина, характеризующая среду, проводящую ток. В случае свободного движения обладающих электрическим зарядом частиц или заряженных тел в электрическом поле их скорость не пропорциональна напряженности поля Е. Действительно, сила, действующая на частицу с зарядом q в электрическом поле, равна qE. Ускорение такой частицы пропорционально напряженности поля. Соответственно движение ее в свободном пространстве будет равноускоренным, так как отсутствует сопротивление среды.

На 10.1 показано прямолинейное возрастание индукции Во по мере увеличения напряженности Я. Складывая ординаты кривой / и прямой Во, получим кривую намагничивания В = =f (Я). Кривую намагничивания можно разделить на три участка: 1) прямолинейный участок Оа, который показывает, что магнитная индукция растет почти пропорционально напряженности поля; 2) участок аб — колено кривой, который характеризует замедление роста магнитной индукции; 3) участок магнитного насыщения — участок, расположенный выше точки б. Здесь зависимость между величинами В и Я снова прямолинейна, но рост магнитной индукции замедлен значительно по сравнению с первым участком Оа. Рассмотренная нелинейная зависимость указывает на то, что абсолютная магнитная проницаемость ферромагнитных материалов (ia = В/Я непостоянна и зависит от напряженности магнитного поля, а следовательно, и от поля намагничивающей катушки.

чивания может быть разбита на три участка: участок Ой, на котором магнитная индукция возрастает пропорционально напряженности поля [Л (Я) имеет прямолинейный характер], так как ферромагнитный материал не насыщен; участок ab, называемый коленом кривой намагничивания, который характеризуется все большим насыщением ферромагнитного материала, вследствие чего темп роста магнитной индукции уменьшается, а также уменьшается значение магнитной проницаемости ца, и участок Ы, где зависимость В (Я) становится почти прямолинейной, имеющей небольшой угол наклона к оси абсцисс, — этот участок соответствует значительному насыщению ферромагнитного материала; следовательно, в этом случае увеличение напряженности поля приводит лишь к незначительным приращениям магнитной индукции.

Если рассмотреть магнитное поле в пустоте или с достаточным практическим приближением в воздухе, то можно начертить магнитные линии по путям перемещений, которые испытывает в поле единичный магнитный полюс. Значение силы, действующей в каждой точке на единичный северный полюс, пропорционально напряженности магнитного поля.

Падение напряжения -UR на безреактивном образцовом сопротивлении г0 от намагничивающего тока, протекающего по обмотке wlt пропорционально напряженности Ht

Зависимость намагниченности J от напряженности поля Н показана на 6-2 пунктирной кривой. На том же рисунке показана линейная зависимость В„ — ]i0H. Складывая ординаты кривой ]i0J (Н) и прямой В0 (Н), получим ординаты новой кривой В (Я) — кривой начального намагничивания ( 6-2). Кривую В (Н) можно разделить на четыре участка: 1) начальный прямолинейный участок Оа, соответствующий малым напряженностям поля, показывает, что магнитная индукция увеличивается относительно медленно и почти пропорционально напряженности поля; 2) прямолинейный участок аб, на котором магнитная индукция растет также почти пропорционально напряженности поля, но значительно быстрее, чем на начальном участке; 3) участок бе — колено кривой намагничивания, который характеризует замедление ррста В\ 4) участок магнитного насыщения — участок, расположенный выше точки в, здесь зависимость снова линейная, но рост В очень сильно замедлен по сравнению со вторым участком. Магнитная индукция, которая соответствует

Для большинства диэлектриков Р пропорционально напряженности

Рассмотрим другой вид электрического тока проводимости, именуемый электрическим током переноса, под которым понимают явление переноса электрических зарядов движущимися в свободном пространстве заряженными частицами или телами. Ток переноса отличается от тока проводимости в проводниках тем, что его плотность не может быть представлена соотношением J = уЕ, где удельная проводимость у есть определенная величина, характеризующая среду, проводящую ток. В случае свободного движения обладающих электрическим зарядом частиц или заряженных тел в электрическом поле их скорость не пропорциональна напряженности поля Е. Действительно, сила, действующая на частицу с зарядом q в электрическом поле, равна qE. Ускорение такой частицы пропорционально напряженности поля. Соответственно, движение ее в свободном пространстве будет равноускоренным, так как отсутствует сопротивление среды.

*; Если смотреть по направлению оси двигателя. (Прим. пер.) **) Датчик Холла — прибор, чувствительный к внешнему магнитному полю, имеющий четыре контакта. К двум из них подводится э. д. с. постоянного тока, а с двух других снимается выходное напряжение. Это напряжение пропорционально напряженности воздействующего на датчик магнитного поля и зависит от его направления, а также от силы и направления постоянного тока. (Прим. пер.)

ный с витками обеих обмоток трансформатора и определяющий в них результирующие э. д. с. eiH ez- Отношения величин напряжений ujuz и токов ijiz определяются отношением чисел витков первичной и вторичной обмоток. Как будет показано в последующих параграфах, у трансформатора отношение напряжений Ui/uz приблизительно прямо пропорционально отношению чисел витков wjwz, а отношение токов iji2 обратно пропорционально этой величине. При этом закон изменения токов и напряжений во времени оказывается практически одинаковым для обеих обмоток. В частности, при синусоидальном напряжении источника питания ток и напряжение во вторичной цепи также имеют синусоидальную форму. Величина

Как известно, отклонение подвижной части логометра пропорционально отношению двух токов в подвижных рамках прибора. Поэтому, если под действием изменения напряжения U ток в рамке /, включенной в цепь измерительной диагонали моста, изменится, то ток в рамке 2, включенной, как показано на 16.15, параллельно диагонали питания, изменится тоже, и для линейного моста отношение токов в рамках прибора останется неизменным.

Диффузионные резне то ры образуются объемным сопротивлением диффузионной области, создаваемой в процессе базовой или эмиттерной диффузии ( 1.18). Для нормальной работы диффузионных резисторов в электрической схеме необходимо, чтобы ограничивающий диффузионную область р — «-переход все время находился под обратным смещающим напряжением. Объемное сопротивление полупроводника в диффузионной области изменяется от наименьшего значения у поверхности подложки до практически бесконечного у границы обедненной области. Поэтому часто оперируют сопротивлением слоя полупроводника, выражающим интегральный эффект. При постоянной толщине слоя. сопротивление резистора пропорционально отношению длины резистора L к ширине w. В самом деле,

Для окружной скорости v0 и давления ра, выбранных из условия прочности ротора и статора на разрыв соответственно, значение г\к обратно пропорционально отношению /)/§: для увеличения т\к необходимо уменьшать D/5. Увеличение немагнитного зазора 8 при выбранном диаметре расточки D приводит к росту МДС возбуждения F и, как следствие, к увеличению энергии возбуждения W0 и потерь энергии в обмотках. Энергия возбуждения 1У0 может достигать 20% энергии нагрузки WH.

ных пропорционально отношению Ео/Е.

К наиболее распространенным активным полупроводниковым элементам СВЧ можно отнести транзисторы, диоды с отрицательным сопротивлением различных типов: диоды Ганна (ДГ), лавинно-пролетные диоды (ЛПД), диоды с переносом заряда (ДПЗ), а также диоды с нелинейной зависимостью емкости />-и-перехода от напряжения, например параметрические диоды, варакторы и диоды с накоплением заряда. В диапазоне СВЧ мощность активных полупроводниковых приборов и узлов с увеличением частоты уменьшается пропорционально отношению максимальной частоты /max к квадрату действующей частоты /: /max//2. Так, для транзисторов при /-500МГц Р=100Вт; при 3 ГГц Р = 5 Вт; при 5ГГц Р=\ Вт ( 7.16). При этом уменьшается и КПД: при/=30...300 МГц он составляет 60...70%, при /=0,3...3 ГГц 30...50%; при /=З...ЗОГГц 5...20%. Уменьшение мощности и КПД с увеличением частоты объясняется влиянием реактивных параметров полупроводниковой структуры. Уменьшение КПД требует интенсификации теплоотвода. Конструктивные особенности полупроводниковых СВЧ-элемен-тов иллюстрирует 7.17. Характерными для них являются хороший теплоотвод за счет использования в конструкции корпуса металла или керамики (22ХС, брокерит-9), большая площадь теплового контакта (в частности, благодаря использованию резьбовых стержней на корпусе), минимальные активные и реактивные сопротивления выводов и межвыводных паразитных параметров благодаря уменьшению их длины (шариковые и балочные выводы, бескорпусное исполнение). Планарные внешние выводы хорошо согласуются с МПЛ по волновым параметрам.

634. Отклонение указателя частотомера с логометричес-ким измерительным механизмом пропорционально отношению измеряемой и эталонной частоты, которая равна 50 Гц. Определить положение указателя прибора при частотах 48; 50; 52 Гц, если его шкала длиной 50 мм отградуирована от 44 до 56 Гц.

8.14. Покажите, что в активном режиме в транзисторе р-п-р отношение дырочного и электронного токов 1рЭ/1пэ, протекающих через змиттерный переход, прямо пропорционально отношению удель-колжктор ных проводимостей материа-Р лов р- и «-типа.

Если принять, что отношение турбулентных касательных напряжений к ламинарным пропорционально отношению соответствующих толщин пограничных слоев в степени 0,3, получим при 6о = 0,05

На участке ах автотрансформатора проходит ток 1ах = /2(1 — I/ft), поэтому сечение провода на этом участке может быть выбрано меньшим, чем во вторичной обмотке двухобмоточного трансформатора — пропорционально отношению токов, проходящих по участку ах и вторичной обмотке:

Как видно из этого выражения значение заряда при поперечном пьезоэффекте зависит от размеров пьезоэлемента и пропорционально отношению у/х, соответствующим выбором которого можно регулировать чувствительность пьезоэлектрического преобразователя.