Пропорционально квадратному

В (5.45) первое слагаемое соответствует составляющей напряжения на частоте тока, ее амплитуда пропорциональна толщине обедненного слоя х0. Второе слагаемое, характеризующее напряжение на удвоенной частоте, обратно пропорционально концентрации примеси на границе области объемного заряда. Третье слагаемое определяет постоянную составляющую напряжения, возникающую на структуре.

В случае, когда электроны зоны проводимости и электроны не полностью заполненной валентной зоны за счет света переходят внутри зоны с одного уровня на другой, происходит поглощение света свободными носителями заряда. Это поглощение пропорционально концентрации свободных носителей за-

При подаче в измерительные камеры газа с другой теплопроводностью это равновесие нарушается вследствие изменения температуры чувствительных элементов и вместе с этим и сопротивлений R1 и R3. Значение тока в измерительной диагонали моста пропорционально концентрации исследуемого газа. Для многих смесей характерна нелинейная зависимость теплопроводности и концентрации анализируемого газа. Поэтому необходимо снимать градуировочную кривую, по Которой должна изготовляться шкала измерительного прибора ИП.

При подаче в измерительные камеры газа с другой теплопроводностью это равновесие нарушается вследствие изменения температуры чувствительных элементов и вместе с этим и сопротивлений R1 и R3. Значение тока в измерительной диагонали моста пропорционально концентрации исследуемого газа. Для многих смесей характерна нелинейная зависимость теплопроводности и концентрации анализируемого газа. Поэтому необходимо снимать градуировочную кривую, по которой должна изготовляться шкала измерительного прибора ИП.

носителей заряда (электронов или дырок). Удельное сопротивление обратно пропорционально концентрации носителей заряда ( 13.5). Удельная теплопроводность слагается из теплопроводности кристаллической решетки х,, и электронной теплопроводности к3„\ Х = ХР + ХЭЛ. Удельная теплопроводность решетки в первом приближении не зависит от концентрации носителей заряда, а удельная электронная теплопроводность пропорциональна их концентрации.

При рекомбинации на ловушках возможны две последовательности переходов. Для полупроводника р-типа уровень Ферми расположен вблизи валентной зоны ( 1.16,6) значительно ниже уровня ловушек, поэтому почти все ловушки свободны. Первая стадия процесса рекомбинации заключается в переходе электрона из зоны проводимости на уровень ловушки, т.е. захват электрона (неосновного носителя) ловушкой. Это относительно медленный процесс,так какой определяется столкновением электронов с ловушками, а концентрация электронов в полупроводнике р-типа мала. На втором этапе электрон переходит с уровня ловушки в валентную зону. Это относительно быстрый процесс, так как он определяется столкновением дырок с ловушками (захватом дырки), а концентрация дырок в полупроводнике р-типа велика. Скорость рекомбинации и время жизни Тп определяются первой стадией, причем время жизни т„ обратно пропорционально концентрации свободных ловушек.

Схема устройства жидкостного реостата приведена на 17-7. Резистив-ным материалом здесь служит электролит 2 (например, водный раствор соды 8-10%-ной концентрации). Значение сопротивления обратно пропорционально концентрации раствора и прямо пропорционально расстоянию между электродами 1. Электроды изолированы друг от друга, и каждый из них соединен с фазой ротора электродвигателя (сети). Регулирование сопротивления — плавное за счет изменения глубины погружения электродов или уровня электролита. Охлаждение электролита — жидкостное или воздушное через теплообменник (радиатор).

железа или другим катионам переменной валентности. Такие электроны могут под влиянием теплового движения переходить от. иона железа Fe2+ к иону Fe3+; последний превращается в двухвалентный ион Fe2+ и сохраняет эти свойства некоторое время. Слабосвязанные электроны ведут себя подобно свободным электронам в метал-• лах и придают ферритам свойства электронного полупроводника. Процессы электронного обмена предопределяют величину проводимости, а также диэлектрической проницаемости е. Удельная проводимость Y возрастает пропорционально концентрации ионов Fe2+ в феррите; с ростом их концентрации уменьшается также энергия активации. Так, при концентрации ионов Fe2+ 0,02 вес% у одного из ферритов 7= 1,6-10~9 1/ом-см, а при концентрации 0,24% у = = 6,2-10~4 1/ом-см. Рост температуры сопровождается резким повышением проводимости из-за увеличения числа перемещающихся электронов. Температурная зависимость проводимости феррита выражается следующим образом: у = 4(}e~w/kT, где k — постоянная Больцмана, а W — энергия активации. Для ферритов энергия активации находится в пределах от 0,1 до 0,5 $в. Концентрация двухвалентных ионов Fe2+ зависит от состава феррита и его режима обжига. Для снижения концентрации ионов Fea+ вводят различные добавки. В ферритах-гранатах, содержащих почти только ионы Fe3% проводимость очень мала 10"11 1/ом -см.

Из всех схем на биполярных транзисторах наибольшее распространение получили микросхемы планарио-эпитакеиального типа с изолирующими р-п-переходами и диэлектрической изоляцией. Это объясняется тем, что планарно-апитакс'иалыная структура транзистора имеет ряд преимуществ леред пленарной как по электрическим параметрам, так и по технологии изготовления. Использование зпитаксиального слоя упрощает технологический процесс формирования транзисторной структуры (вместо трех (при пла-нарной производятся две диффузии), а также позволяет существенно улучшить параметры транзистора и микросхемы в целом,, (уменьшается средняя задержка и повышается помехоустойчивость). Что касается сравнения конструкций планарно-энитакси-ального типа по методу изоляции, то 'микросхемы с изолирующими переходами более технологичны, так как их технология проще. Однако изолирующие р-л-шереходы таких микросхем должны находиться IB состоянии обратного смещения, что достигается подведением к подложке р-типа самого низкого отрицательного потенциала. Использование изоляциоиных p-n-переходов приводит к возникновению четырехслойных структур, к появлению положительных обратных связей, что отрицательно влияет на работу схемы и ограничивает ее частотный диапазон. Кроме того, пробивное напряжение обратно пропорционально концентрации примесей в изоляционных областях, которая, в свою очередь, должна быть минимальной во избежание слишком больших токов утечки.

Число рекомбинаций ионов в 1 см3 за 1 сек при прочих равных условиях пропорционально числу встреч ионов, а это число, в свою очередь, пропорционально концентрации ионов в 1 см3. Если концентрация ионов обоих знаков одинакова и равна п, то убыль ионов вследствие рекомбинации в 1 см3 в единицу времени можно выразить уравнением

не зависит от интенсивности возбуждения и определяется степенью легирования полупроводника (л0 + р0), убывая обратно пропорционально концентрации легирующей примеси. Наибольшего значения т достигает в собственных полупроводниках, для которых «о = Ро = «г- Подставив это в (6.47), получим

Следует иметь в виду, что с ростом рабочей частоты коэффициент фазы линейно нарастает, в то время как коэффициент ослабления либо в первом приближении остается неизменным, либо, как это будет показано в гл. II, растет пропорционально квадратному корню из частоты. Поэтому с увеличением рабочей частоты отношение а/р уменьшается и, несмотря на абсолютный рост погонного затухания, на высоких частотах все с большим основанием можно принимать математическую модель линии с малыми потерями.

Выражения (11-24) и (11-25) неудобны для практического использования ввиду их громоздкости. Существует ряд приближенных расчетных формул для вычисления вторичных параметров линии, учитывающих, что в области высоких частот (порядка 1 Мгц и выше) сопротивление г весьма мало по сравнению с coL, а проводимость g ничтожно мала по сравнению с <вС. Первое допущение (coL > г) обусловлено тем, что индуктивное сопротивление прямо пропорционально частоте, между тем как сопротивление проводов г пропорционально квадратному корню из частоты вследствие поверхностного эффекта (см. § 11-1). Второе допущение справедливо для высокочастотных фидеров, которые, будучи «длинными» по сравнению с длиной волны, имеют весьма малую физическую длину и поэтому могут иметь надежную изоляцию между проводами. Особенно ничтожно мала проводимость g кабельных линий.

Выражения (11-24) и (11-25) неудобны для практического использования ввиду их громоздкости. Существует ряд приближенных расчетных формул для вычисления вторичных параметров линии, учитывающих, что в области высоких частот (порядка 1 МГц и выше) сопротивлением весьма мало по сравнению с coL, а проводимость g ничтожно мала по сравнению с «С. Первое допущение (a>L !> г) обусловлено тем, что индуктивное сопротивление прямо пропорционально частоте, между тем как сопротивление проводов г пропорционально квадратному корню из частоты вследствие поверхностного эффекта (см. § 11-1). Второе допущение справедливо для высокочастотных фидеров, которые, будучи «длинными» по сравнению с длиной

Из выражения 10.30 видно, что при неизменных конструктивных параметрах трансформатора индукция в магнитопроводе растёт пропорционально квадратному корню из мощности трансформатора. Для уменьшения индукции достаточно увеличить площадь сечения магнитопровода Sc или площадь сечения меди, заполняющей окно 5М.

В § 2.10 отмечалось, что к разновидности внутренних помех относится шум, причиной которого являются тепловое движение частиц .материи и различные другие процессы, происходящие в усилительных элементах, и что степень влияния этих помех удобно оценивать величиной коэффициента шума {ф-лы (2.13) и (2.15)]. Там же было показано, что отношение напряжения сигнала к напряжению шума обратно пропорционально квадратному корню из коэффициента шума. Отсюда следует, что с целью повышения отношения сигнал/шум необходимо добиваться снижения коэффициента шума, зависящего от многих факторов.

Для составления решаемой системы дифференциальных уравнений могут быть использованы, по крайней мере в принципе, соответствующие величины g, кинетические уравнения, подходящие для данного рН и начальных условий (исключая Н2 или О2), совместно с уравнениями материального баланса и диссоциации НОг. Дженкс [2] сообщил о применении этого метода к расчету разложения воды в HFIR (High Flux Intensity Reactor — реактор с большим потоком нейтронов), и далее этот метод будет кратко рассмотрен в связи с низкотемпературными реакторами. Аналитический метод ограниченно применим к силовым реакторам, где константы скорости и величины g менее определенны. Как можно ожидать из данных уравнений, при постоянной мощности поглощенной дозы или мощности дозы облучения будут устанавливаться стационарные концентрации продуктов. Гормли [6] экспериментально показал, что суммарное разложение воды пропорционально квадратному корню из мощности дозы *. Шварц [7] экспериментально подтвердил результаты Гормли и показал, что эти результаты можно ожидать в системах, где протекают бимолекулярные реакции. Гормли [6] и Шварц [7] показали, что стационарное состояние, такое же, как при непрерывном облучении, достигается и при прерывистом 'облучении одинаковой интенсивности, если время импульса порядка 10~3 сек или больше. Эти результаты получены при высокой интенсивности ионизации (облучение током электронов), но могут быть применимы к излучению реактора высокой интенсивности. Таким образом, вся

Термоэлектрический эффект. Были проведены измерения коэффициента Зеебека в зависимости от температуры. Знак коэффициента Зеебе-ка положительный, т.е. потенциал при высоких температурах ниже, чем при низких. Он возрастает пропорционально квадратному корню из

Термоэлектрический эффект. Были проведены измерения коэффициента Зеебека в зависимости от температуры. Знак коэффициента Зеебе-ка положительный, т.е. потенциал при высоких температурах ниже, чем при низких. Он возрастает пропорционально квадратному корню из

Извлечение корня в электрической части устройства может быть выполнено следующим образом. Если в системе компенсационного типа преобразователь обратной связи реализует возведение в квадрат, т. е. если значение сигнала на выходе цепи обратной связи пропор» ционально квадрату значения величины, подаваемой на ее вход, то значение выходной величины системы пропорционально квадратному корню входной величины.

т. е. обратно пропорционально квадратному корню из полосы пропускания BR.

Из выражения (3.6) следует, что ширина W обедненного слоя уменьшается при увеличении концентрации примеси и увеличивается пропорционально квадратному корню напряжения. Выражение для максимальной напряженности поля Ео у границы раздела имеет вид:

пропорционально квадратному корню из суммы длины волны и величины зазора, ограничено величиной около 2 мкм. Конечно, и возможные повреждения фотошаблона также нельзя не принимать в расчет.