Пропорциональна интенсивности

Плотность электронного диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации: jno = "qDn (dn/dx), где Dn — коэффициент диффузии электронов; dn/dx — градиент концентрации электронов.

где цп — подвижность электронов, an — их концентрация. Плотность тока, обусловленного диффузией электронов, пропорциональна градиенту концентрации:

Напряженность электрического поля пропорциональна градиенту температуры и магнитной индукции:

Плотность тока, обусловленного диффузией электронов, пропорциональна градиенту их концентрации:

Отсюда следует, что вторичная завихренность, ориентированная вдоль линии тока, пропорциональна градиенту давления на входе в канал, радиусу канала и обратно пропорциональна второй степени относительной скорости.

Французский ученый Фурье установил, что плотность теплового потока пропорциональна градиенту температуры:

Увлажнение загрязненных поверхностей изоляторов в электрических аппаратах значительно снижает их электрическую прочность. При этом возможны перекрытия изоляторов не только при перенапряжениях, но и при рабочем напряжении. Слой загрязнения на поверхности изоляторов образуется в результате выпадения из потоков воздуха твердых или жидких взвешенных частиц. Интенсивность этого процесса пропорциональна градиенту скорости воздушного потока у поверхности изолятора. При резком уменьшении скорости, вызываемой препятствиями в виде вертикальных ребер и других, загрязнение изоляторов происходит более интенсивно, чем при ламинарном потоке по гладким поверхностям.

Плотность теплового потока q прямо пропорциональна градиенту температуры:

Волновой процесс перераспределения градиентов. В момент включения обмотки в каждом витке происходит разделение зарядов, которые распределены вдоль провода в соответствии с 13-29 (расстояние между точками равно длине витка). Величина заряда в каждой точке обмотки пропорциональна градиенту напряжения, так как q = K'du/dx. Такое распределение напряжения вдоль провода является неустойчивым, и эти заряды начинают растекаться по проводу в обоих направлениях. При этом практически

Следовательно, скорость заряженных частиц в направлении поля прямо пропорциональна градиенту потенциала в нем, длине свободного пробега (т. е. обратно пропорциональна давлению) и зависит от температуры газа.

Очевидно, что величина плотности диффузионного тока должна быть пропорциональна градиенту концентрации носителей. Для одномерного случая, в котором концентрация изменяется только в одном направлении (х), выражение для плотности диффузионного тока электронов имеет вид

В фотоэлектрических пирометрах использован» свойство фотоэлемента образовывать под действием ярко накаленного тела фотоэлектрический ток, величина которого пропорциональна интенсивности падающего па фотоэлемент светового потока.

+ e°n или ер + е°р. При низкой температуре, когда скорость теплового испускания невелика, легко выполняется условие е°п>еп или е°р>ер, поскольку скорость испускания при оптических переходах пропорциональна интенсивности светового потока и не зависит от температуры. Преимущество оптических способов изменения степени заполнения уровней заключается в непосредственном измерении энергии уровня по энергии фотонов.

Опыт показывает, что потеря интенсивности d/x на бесконечно малом пути Ах луча пропорциональна интенсивности в дайной точке и зависит от свойств газа; математически это можно записать так ( 7-9):

Для измерения инфракрасного излучения с плоскости используется сканирующий радиационный пирометр [Л. 11-2], принципиальная схема которого представлена на 11-19. От сканирующего зеркала СЗ излучение исследуемого объекта направляется с помощью рефлекторной оптической системы Р на рефлекторный болометр Б. После усиления напряжение болометра подается на лампу накаливания, яркость свечения которой про-пропорциональна интенсивности инфракрасного излучения. На фотопластинку ФП линзой Л проектируется картина температурного поля.

где /г„ — концентрация равновесных носителей зарядов (электронов) до облучения (темповая), пф — дополнительная концентрация неравновесных носителей, вызываемая фотонами, тпф — постоянная времени — отрезок времени, за который концентрация фотоносителей (электронов) уменьшается в е = 2,7 раза. Это время тпф называют временем жизни неравновесных носителей; оно составляет для фотоэлектронов (или фотодырок) величину порядка 1(Г3 -=- 1(Г7 сек. При непрерывном облучении полупроводника появляются все новые фотоносители; в среднем такое же количество рекомбинирует, в результате устанавливается динамическое равновесие. Фотопроводимость ^Ф пропорциональна интенсивности освещения Ф, подвижности фотоносителей «п и ир и среднему времени их жизни тяф и трф:

где 0 — угол между векторами Н и Jm. Будучи вынесенным из магнитного поля, ферромагнетик остается намагниченным. Наличие на его внешних поверхностях полюсов ( 11.10,-а) приводит к возникновению внутреннего поля Нь направленного против вектора намагниченности Jm. Это поле стремится размагнитить ферромагнетик, поэтому называется размагничивающим. Его напряженность Ht пропорциональна интенсивности намагничивания Jm и зависит от формы и размера тела

Считается, что возможными причинами быстрой релаксации являются Оже-рекомбинация, ступенчатая рекомбинация или релаксация к локализованным состояниям. Если быстрая релаксация связана с Оже-реком-бинацией, интенсивность дифракции светового зонда пропорциональна интенсивности возбуждающего света в третьей степени [166]. В случае ступенчатой рекомбинации время релаксации зависит от длины волны возбуждающего излучения [139]. В модели релаксации к локализованным состояниям интенсивность дифракции сильно зависит от температуры образца. Для распознавания этих процессов проводились эксперименты, призванные выявить влияние температуры и интенсивности возбуждающего света на составляющие быстрого и медленного спада. Удалось

На 4.4.3 показана зависимость темновой проводимости, нормированной фотопроводимости (т)дт) и энергии активации проводимости от отношения мольных долей NH3 и SiH4 (^NH3/^siH4) ПРИ осаждении пленок a-SixNi-jc: Н. В предположении, что рекомбинация в пленках носит мономолекулярный характер, величина фотопроводимости пропорциональна интенсивности внешней подсветки. С увеличением содержания в газовой смеси аммиака вплоть до значения Л^Н}/^81Н4 = 0,26 темно-вая проводимость и фотопроводимость проявляют тенденцию к возрастанию. В пленках, полученных из газовой смеси состава ^NHa/^SiH, = = 0,1, величина фотопроводимости особенно велика, а оптическая ширина запрещенной зоны составляет 1,85 эВ. В диапазоне концентрацией jVNH /yVsiH > 0,26 с увеличением в газовой смеси содержания МН3 тем-новая проводимость и фотопроводимость осажденных пленок падают

Считается, что возможными причинами быстрой релаксации являются Оже-рекомбинация, ступенчатая рекомбинация или релаксация к локализованным состояниям. Если быстрая релаксация связана с Оже-реком-бинацией, интенсивность дифракции светового зонда пропорциональна интенсивности возбуждающего света в третьей степени [166]. В случае ступенчатой рекомбинации время релаксации зависит от длины волны возбуждающего излучения [139]. В модели релаксации к локализованным состояниям интенсивность дифракции сильно зависит от температуры образца. Для распознавания этих процессов проводились эксперименты, призванные выявить влияние температуры и интенсивности возбуждающего света на составляющие быстрого и медленного спада. Удалось

На 4.4.3 показана зависимость темновой проводимости, нормированной фотопроводимости (TJ/JT) и энергии активации проводимости от отношения мольных долей NH3 и SiH4 (WNH3/^siH4) ПРИ осаждении пленок a-SijcNi-jc: Н. В предположении, что рекомбинация в пленках носит мономолекулярный характер, величина фотопроводимости пропорциональна интенсивности внешней подсветки. С увеличением содержания в газовой смеси аммиака вплоть до значения Л^н}/^8Ш4 = 0>2^ темно-вая проводимость и фотопроводимость проявляют тенденцию к возрастанию. В пленках, полученных из газовой смеси состава ^NH3/^SiH4 = = 0,1, величина фотопроводимости особенно велика, а оптическая ширина запрещенной зоны составляет 1,85 эВ. В диапазоне концентрацией /VNH /yVsiH > 0,26 с увеличением в газовой смеси содержания NH3 тем-новая проводимость и фотопроводимость осажденных пленок падают

Таким образом, производительность печи прямо пропорциональна интенсивности нагрева.