Пропорциональна абсолютной

Датчики Холла нашли широкое применение в измерительной технике, автоматике, радиотехнике. Прямая пропорциональная зависимость между э. д. с. Холла и произведением тока на магнитную индукцию [уравнение (10.1)1 используется для измерения мощностей на постоянном и переменном токе.

В активной области работают все линейные усилительные схемы, поскольку между входными и выходными сигналами существует почти пропорциональная зависимость.

Если между потокосцеплением W и током I катушки существует прямо пропорциональная зависимость ( 3.18), то

Фазовой характеристикой называют зависимость фазы выходного сигнала ср (по отношению к фазе выходного сигнала на средней или резонансной частоте) от частоты / ( 4.1,г). В большинстве случаев идеальной зависимостью ср от f является прямо пропорциональная зависимость, когда большой частоте соответствует больший сдвиг фазы.

ротора п и синхронной скорости вращения п,. Если бы скорость вращения двигателя была неизменной, то полезный момент Мг изменялся пропорционально мощности Ра. Поскольку скольжение при увеличении Рг растет, а пропорциональная зависимость нарушается, момент Л72 возрастает несколько быстрее.

Так как температура перегрева Л0 добавочного сопротивления при заданной выделяемой в ней мощности Р определяется поверхностью охлаждения, то расчет добавочных сопротивлений начинают из определения необходимой поверхности охлаждения. Отметим, что между температурой перегрева и выделяемой в добавочном сопротивлений мощностью существует прямая пропорциональная зависимость

т. е. между током / усилителя и измеряемым напряжением Ur существует пропорциональная зависимость, и по значению тока / можно судить об U х. Однако коэффициент пропорциональности зависит от чувствительности S (коэффициента преобразования) усилителя постоянного тока. Нестабильность параметров усилителя приводит к появлению погрешности. Если подобрать значения /?0.с и S таким образом, чтобы R0.CS Js> 1, то выражение (5.22) примет вид:

Световая характеристика фототранзистора — зависимость тока коллектора от светового потока /к=г)(Ф) — линейна только при малых потоках. С увеличением светового потока и ростом концентрации неравновесных носителей в базе повышается вероятность их рекомбинации, снижаются коэффициенты переноса и инжекции фототраизис-тора (см. § 4.3). Прямо пропорциональная зависимость коллекторного тока от светового потока нарушается.

Как показывает опыт эксплуатации, существует прямая пропорциональная зависимость между коэффициентом аварийности работы поверхности теплообмена qn и ее размером F : дп = дп0Р/Р$, в которой ^по — коэффициент аварийности работы поверхности теплообмена F0.

В твердых однородных'диэлектриках по резкому возрастанию tg б 'при повышении напряженности поля судят о наличии газовых включений. Кривая ионизации газа ( 1.9) таким образом состоит из трех частей: 1) при напряжении от 0 до 0,006 в — пропорциональная зависимость тока от напряжения; 2) при напряжении от 0,006 в до напряжения начальной точки ионизации — независимость от напряжения; 3) при напряжении

средние периоды ошибок слежения. Между этими величинами и Гер наблюдается обратно пропорциональная зависимость ^ '

Итак, вблизи резонанса обобщенная расстройка прямо пропорциональна абсолютной частотной расстройке До». При Q>1 •формулой (5.47) можно пользоваться для приближенного вычисления нормированной проводимости контура

обратно пропорциональна давлению газа. Зависимость К от температуры значительно более сложная, так как 0эф зависит от скорости электрона, а следовательно, и от температуры газа. Однако если температура изменяется в относительно узких пределах (например, температура окружающего воздуха), приближенно можно считать ааф — const, и тогда А, прямо пропорциональна абсолютной температуре.

Для пробоя газа в однородном поле характерны зависимости электрической прочности от плотности газа и расстояния между электродами. Плотность газа прямо пропорциональна давлению и обратно пропорциональна абсолютной температуре.

Полученную энергию анод рассеивает главным образом за счет лучеиспускания, мощность которого согласно закону Стефана—Больцмана пропорциональна абсолютной температуре в четвертой степени. Таким образом, величина Ря ограничивается допустимой температурой, значение которой зависит от ряда факторов. Прежде всего следует указать, что температура анода не должна быть выше той, при кото- • рой происходило обезганшвание элементов лампы. В противном случае выделение остатков газа анодом может привести к нарушению работы прибора. В результате лучеиспускания возможен дополнительный нагрев катода лампы. Перегрев катода, как уже отмечалось выше, вызывает увеличение эмиссии с отдельных участков, интенсивное испарение активирующего вещества и уменьшает срок службы катода.

Отсюда видно, что при заданном и неизменном отношении Аа/Ах{ амплитуда помехи на выходе частотного детектора пропорциональна абсолютной величине расстройки Q,, = со,,. — со01. Полезно напомнить, что в случае амплитудной модуляции и амплитудного детектирования напряжение помехи на выходе приемника не зависит от частоты й„.

Полученную энергию анод рассеивает главным образом за счет лучеиспускания, мощность которого согласно закону Стефана—Больцмана пропорциональна абсолютной температуре в четвертой степени. Таким образом, величина Ря ограничивается допустимой температурой, значение которой зависит от ряда факторов. Прежде всего следует указать, что температура анода не должна быть выше той, при кото- • рой происходило обезганшвание элементов лампы. В противном случае выделение остатков газа анодом может привести к нарушению работы прибора. В результате лучеиспускания возможен дополнительный нагрев катода лампы. Перегрев катода, как уже отмечалось выше, вызывает увеличение эмиссии с отдельных участков, интенсивное испарение активирующего вещества и уменьшает срок службы катода.

Подвижность носителей в полупроводниках с атомной решеткой. В полупроводниках с атомной решеткой рассеяние носителей заряда происходит на тепловых колебаниях решетки и на ионизированных примесях. Эти два механизма рассеяния приводят к появлению двух участков в температурной зависимости подвижности. При рассеянии носителей на тепловых колебаниях решетки средняя длина свободного пробега /ср одинакова для носителей заряда с различными скоростями и обратно пропорциональна абсолютной температуре полупроводника. Это следует из того, что рассеяние носителей заряда должно быть прямо пропорционально поперечному сечению того объема, в котором колеблется атом, а оно пропорционально квадрату амплитуды колебания атома, определяющему энергию решетки, которая с температурой растет, как известно, по линейному закону. Поэтому, так как и формуле (8-11) /ср ~ l/T, a t»T ~ У Т, то

Разрядные напряжения воздушных промежутков зависят от метеорологических факторов: относительной плотности воздуха и его абсолютной влажности. Относительной плотностью воздуха называется отношение плотности при давлении р и температуре t к плотности воздуха при стандартных условиях (ра = 760 мм рт. ст., to = 20° С). Так как плотность воздуха прямо пропорциональна давлению р и обратно пропорциональна абсолютной температуре Т, можно записать, что относительная плотность воздуха б равна

где ст — постоянная Стефана — Больцмана, равная 5,67-10~8 Вт/(м2-К4). Подставив в (6.19) плотность потока солнечной радиации и кажущуюся площадь солнечного диска, можно определить эффективную температуру видимой поверхности Солнца (5800 К). Для любой реальной поверхности остается справедливым правило, согласно которому интенсивность излучения пропорциональна абсолютной температуре в четвертой степени, однако сама интенсивность зависит от вида материала:

Температурная компенсация усиления. Транзистор Т2 компенсирует изменения падения напряжения (7Я, в транзисторе Т1? связанные с изменением температуры окружающей среды, однако изменение наклона графика зависимости напряжения U6) от тока /к не компенсируется. В разд. 2.10 мы установили, что зависимость «60 мВ/декада» пропорциональна абсолютной температуре. Выходное напряжение в нашей схеме иллюстрируется графиком, представленным на 4.36. Идеальная компенсация обеспечивается в том случае, когда входной ток равен /,, коллекторному току транзистора Т2. Изменение температуры на 30 С вызывает изменение угла наклона графика на 10% и сопровождается появлением соответствующей ошибки в выходном напряжении. Единственный выход из положения состоит в том, чтобы заменить резистор /?, последовательным соединением обычного резистора и резистора с положительным температурным коэффициентом. Зная температурный коэффициент резистора (например, температурный коэффициент