Проницаемость полупроводника

1. Магнитная проницаемость определяется в соответствии с п. 3 предыдущего расчета. Находим j,2 = 11,53; т= —0,546; К ~ 1,43; N = 2,84; cos ф - 0,911; sin ф = 0,412; Нте = 4,35-106 А/м.

Эта важнейшая физическая константа называется электрической постоянной и имеет значение е„ = 8,85- 1(Г1а Ф/м. Относительная диэлектрическая проницаемость определяется как

•Для точки А (рис, 18.2) нормальная магнитная проницаемость определяется как тангенс угла наклона секущей ОА к оси абсцисс, т. е.

Для точки А ( 18.2) нормальная магнитная проницаемость определяется как тангенс угла наклона секущей ОА к оси абсцисс, т. е.

Для пустоты диэлектрическая постоянная е„ наименьшая. Эта важнейшая физическая константа называется электрической постоянной и имеет значение е0 = 8,85-1(Г12 Ф/м. Относительная диэлектрическая проницаемость определяется как

Kx~Ka~R^' L* Амплитудная проницаемость определяется из соотношений:

В инженерной практике при расчетах электрических цепей используется коэффициент, называемый эффективной индуктивностью L9,j)((,. В соответствии с этой индуктивностью вместо и, вводится расчётная величина, именуемая эффектиш ой магнитной проницаемостью. Эффективная магнитная проницаемость определяется опытным путем как отношение индуктивности катушки с сердечником к индуктивности той же катушки без сердечника. При этом эффективная индуктивность измеряется при пи1 -ании катушки синусоидальным током или синусоидальным напряжением. При известной эффективной индуктивности катушки с семенником ее сопротивление при синусоидальном переменном токе

2. Магнитная проницаемость определяется в соответствии с п. 6 расчета цилиндрического индуктора (§ 5-6).

Все вещества способны поляризоваться, поэтому их диэлектрические проницаемости больше е0. Относительная диэлектрическая проницаемость е,г, или просто диэлектрическая проницаемость, определяется отношением:

териала практически характеризуют кривыми намагничивания В (Н), имеющими сходный характер для всех ферромагнетиков ( 9-5). Относительная магнитная проницаемость определяется по основной кривой намагничивания как отношение индукции В к напряженности магнитного поля Я в данной точке кривой намагничивания с учетом магнитной постоянной ро = 4я- 1СН Гн/м:

Амплитудная проницаемость определяется из соотношений:

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; Ze — заряд ионизированной примеси.

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; ев — электрическая постоянная вакуума; Фг = kTle — температурный потенциал; е — заряд электрона.

где вг — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; «о — электрическая постоянная.

где t/K6 — напряжение смещения коллекторного перехода; Na — концентрация акцепторных атомов в базовой области для случая их равномерного распределения; е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0 — диэлектрическая проницаемость вакуума.

где Ej — Ef— абсолютное значение разности между положением уровня Ферми в объеме полупроводника и серединой запрещенной зоны; е„ — диэлектрическая проницаемость полупроводника; Nu — концентрация примесных атомов в подложке; Со — удельная емкость между затвором и каналом.

а ?/Пр. пл — напряжение пробоя плоского р — п перехода; гко — радиус кривизны металлургического перехода; Lp'_n — ширина плоского р — п перехода при U = ?/пр. пл; е/- — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; сркК— контактная разность потенциалов на коллекторном переходе; УУдк — концентрация доноров в коллекторе.

где Е — напряженность электрического поля вдоль координаты к; е0 — диэлектрическая постоянная; гг — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника.

где еп — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0 — диэлектрическая постоянная; q — заряд электрона; Мл— концентрация доноров в л-подложке.

где гг~,\ — диэлектрическая проницаемость полупроводника (кремния).

где 8л — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0=8,86- 10~12 Ф-м-1; <р — электростатический потенциал.

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; S — площадь р-п перехода; d — ширина р-п перехода.