Объясняется изменением

Некоторые преимущества по надежности имеют схемы первой группы в случае выполнения их в виде фазовых детекторов на диодах или схемы сравнения по абсолютному значению. Это объясняется использованием в схемах второй группы активных нелинейных элементов (транзисторов и др.), непрерывно работающих в режиме циклического переключения, что ускоряет их старание.

Схема реализованного устройства приведена в табл. 19.2, вариант б, и выполняет операцию дифференцирования. Здесь показано, что при подаче на вход дифференциатора синусоидального напряжения на выходе наблюдается косинусоидальное напряжение, дополнительно сдвинутое по фазе относительно входного на 180°. Последнее объясняется использованием при работе инвертирующего входа ОУ и учитывается в формуле, описывающей работу дифференциатора, знаком «минус». Точ-

Стоимость аппаратуры на основе БИС ниже стоимости аналогичной аппаратуры на другой элементной базе. Это объясняется использованием перспективной технологии и уменьшением объема монтажно-сборочных работ. Разработка БИС проводится машинными методами и использует все достижения разработок простых микросхем.

При в < 90° колебательная характеристика имеет вогнутость в начальной части (кривая 2 на 8.3). Физически это объясняется использованием нижнего криволинейного участка анодно-сеточной характеристики, который проходит более полого, чем следующий за ним прямолинейный участок.

Стоимость микросхем превышает стоимость стандартных полупроводниковых приборов. Это в значительной мере объясняется использованием дорогого и порой уникального оборудования, сверхчистых основных и вспомогательных материалов, а главное — невысоким процентом выхода годных микросхем. Однако прогресс в области технологии и укрупнение производства на базе унификации схемных решений дают основание считать, что в ближайшие годы стоимость интегральных схем станет соизмеримой со стоимостью обычных дискретных приборов.

Стоимость микросхем превышает стоимость стандартных полупроводниковых приборов. Это в значительной мере объясняется использованием дорогого и порой уникального оборудования, сверхчистых основных и вспомогательных материалов, а главное — невысоким процентом выхода годных микросхем. Однако прогресс в области технологии и укрупнение производства на базе унификации схемных решений дают основание считать, что в ближайшие годы стоимость интегральных схем станет соизмеримой со стоимостью обычных дискретных приборов.

ности микроэлектронной аппаратуры объясняется использованием при изготовлении интегральных микросхем специальной технологии, при которой применяются особо чистые материалы, а весь процесс изгЪтовления протекает в условиях, исключающих возможность загрязнений. Кроме того, внутренние соединения интегральных микросхем герметичны и защищены прочным покрытием, а их малые габариты позволяют создавать прочные и компактные узлы и блоки аппаратуры, способные выдерживать большие механические нагрузки. Высокая надежность интегральных микросхем обусловлена также меньшим числом соединений.

Схема реализованного устройства приведена в табл. 19.2, вариант б, и выполняет операцию дифференцирования. Здесь показано, что при подаче на вход дифференциатора синусоидального напряжения на выходе наблюдается косинусоидальное напряжение, дополнительно сдвинутое по фазе относительно входного на 180°. Последнее объясняется использованием при работе инвертирующего входа ОУ и учитывается в формуле, описывающей работу дифференциатора, знаком «минус». Точ-

Стоимость аппаратуры на основе БИС ниже стоимости аналогичной аппаратуры на другой элементной базе. Это объясняется использованием перспективной технологии и уменьшением объема монтажно-сборочных работ. Разработка БИС проводится машинными методами и использует все достижения разработок простых микросхем.

Одним из основных недостатков клистронных усилителей яв-яется их узкополосность, что объясняется использованием резо-!)нсных колебательных систем. Рабочая полоса частот определя-:я нагруженной добротностью колебательного контура. Так как [клистроне электроны тормозятся .полем и отдают ему часть ово-кинетической энергии в течение короткого промежутка времени, для улучшения .взаимодействия необходимо увеличивать амлли-цу высокочастотного электрического поля в зазоре резонатора, ая этого увеличивают добротность, что 'Сужает рабочую полосу

На 94 представлены реальные зависимости стоимости от годовой надежности для электродвигателей с начальной надежностью Ро = 0,5. Резкое нарушение характера зависимости при Р>0,75 объясняется изменением серии и габарита машин и не характерно для зависимости A/C = f(P) при электрической разгрузке.

Очевидна резкая нелинейность такой вольт-амперной характеристики, как и в случае МДП-транзисторов. Полученное выражение справедливо для области, находящейся слева от пунктирной линии. В области насыщения отклонение характеристик /c(t/c) ( 1.13, б) от идеального горизонтального положения (что соответствовало бы бесконечному выходному сопротивлению) объясняется изменением эффективной длины канала L из-за расширения области пространственного заряда с ростом L/C-

Изменение р при упругих деформациях объясняется изменением амплитуды колебаний узлов кристаллической решетки металла. При растяжении эти амплитуды увеличиваются, при сжатии — уменьшаются. Увеличение амплитуды колебаний узлов обусловливает уменьшение подвижности носителей зарядов и, как следствие, возрастание р. Уменьшение

Изменение сопротивления проволоки при механическом воздействии на нее объясняется изменением геометрических размеров (длины, диаметра) и удельного сопротивления материала.

Изменение выходного сопротивления генератора сигнала •объясняется изменением глубины обратной связи, существующей в транзисторе.

Реакция якоря в двигательном режиме. При переходе машины из генераторного режима в двигательный изменяется направление действия электромагнитного момента, что объясняется изменением направления тока в якорной обмотке. Ток якорной обмотки в двигательном режиме имеет противоположное направление по отношению к тому, какое было в генераторном. Поэтому реакция якоря в двигательном режиме направлена встречно по отношению к той, какая имела место в генераторном. При расположении щеток на геометрической нейтрали в двигательном режиме возникает поперечная реакция якоря, при которой поток машины и нейтраль смещаются в сторону, обратную направлению вращения. При сдвиге щеток в сторону вращения двигателя возникает продольная намагничивающая реакция якоря, а при сдвиге в сторону, обратную вращению,— продольная размагничивающая. Заметим, что поскольку физическая нейтраль при нагрузке машины сдвигается, то для уменьшения искрения кол-

Реакция якоря двигателя при поперечном токе (ф=я). При переходе машины из генераторного режима в двигательный изменяется направление действия электромагнитного момента, что объясняется изменением направления активной составляющей тока в якорной обмотке. В генераторном режиме поперечный ток Iq совпадает по фазе с э. д. с. ?0 (см. IX .6, а и б). В двигательном режиме поперечный

Нестабильность терморезистивных преобразователей объясняется изменением значений /?0 и W100 вследствие загрязнения чувствительного элемента конструкционными материалами. Погрешности, возникающие за счет изменения R0 и W1W), имеют разные знаки, поэтому имеет место их частичная компенсация.

по фазе между напряжениями и между токами прямой и обратной волн на входных зажимах. Математически колебательный характер объясняется изменением мнимой части комплексного аргумента гиперболического тангенса в выражении (3-36).

Сеточное напряжение в приведенной таблице не указано, так как характеристика зажигания, как это видно из 4-94, б, имеет большой разб Он объясняется изменением температуры катода в процессе его пуска.

Изменение сопротивления проволоки при механическом воздействии на нее объясняется изменением геометрических размеров