Определяются величиной

Как видно из (3.22), вид частотной характеристики и устойчивая работа схемы определяются величинами произведений, входящих в формулу. Значения сопротивлений и емкостей, входящих в схему активных фильтров, лежат обычно в пределах, легко реализуемых в ИМС. Однако для обеспечения повторяемых параметров фильтра и устойчивой работы схемы точность выполнения этих элементов должна быть довольно высокой, часто порядка десятых долей процента. Это ограничивает возможности конструктивного исполнения активных фильтров в виде однородных полупроводниковых микросхем и вынуждает выбирать гибридно-пленочный вариант конструкции фильтров. Такое конструктивное исполнение допускает более точное изготовление элементов R, С или подгонку резисторов, которая возможна с точностью вплоть до 0,01%.

Границы, заключающие среднее значение полной совокупности е, согласно критерию Стыодента (Госсета), определяются величинами

Индуктивные сопротивления клеток определяются величинами потоков рассеяния Фа2, сцепленных с их стержнями. Так как пусковая клетка расположена близко к поверхности ротора, то сцепленные с

Ток возбуждения /в,ном при номинальном режиме соответствует абсциссе точки А, а ЭДС генератора Енои при номинальной нагрузке — ординате точки В. Ее можно определить по характеристике холостого хода, если уменьшить ток возбуждения /в.ном на величину отрезка ВС, учитывающего размагничивающее действие реакции якоря. При построении внешней характеристики 3 ее точки a' и Ь, соответствующие холостому ходу и номинальной нагрузке, определяются величинами напряжений U0 и ?/исы. Промежуточные точки с, с! и т. д. получают, проводя прямые А1 С1 , Л" С11, Л111 С111 и т. д., параллельные гипотенузе АС, до пересечения с вольт-амперной характеристикой 2 в точках А1 , Л11, Л111 и т. д., а также с характеристикой холостого хода / в точках С1 , С11, С111 и т. д. Ординаты точек Л1 , Л", Л111 и т. д. будут соответствовать напряжениям при токах нагрузки /01, /02, /аз и т. д., величины которых определяются из соотношения

свободных колебаний. Искажения заднего фронта импульса определяются величинами LI, C'z и RZ. Когда напряжение входного импульса уменьшится до нуля ( 10.11), в индуктивности L\ запасается некоторое количество энергии, которое затем передается Cz и R2', что вызывает задержку в достижении импульсом нулевой величины. В течение этого времени конденсатор заряжается, а затем разряжается через L\ и RZ', вызывая изменение полярности напряжения. При малых активных потерях в цепи возникают затухающие колебания.

22.50р. Шар из несовершенного диэлектрика, свойства которого определяются величинами ft и Ей., расположен в реальной среде,

22.50р. Шар из несовершенного диэлектрика, свойства которого определяются величинами ft и Ей., расположен в реальной среде,

Мощности испытательных трансформаторов определяются величинами испытательных напряжений, а также длительно протекающих по обмоткам токов.

Диапазоны регулирования скоростей подач на токарных станках составляют SO—300 и определяются величинами максимальных и минимальных подач:

Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a-Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни (^птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации (Sn, 5p) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj(a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j(a, Ka)/7j(a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Детальный анализ спектров т? (а, ^а)/т?(а, 0) показал, что со стороны низкого поглощения они главным образом определяются величинами M«rn + + грТр и Sn X Sp, а в области более высокого поглощения — отношением ИпТп/ИрТр и параметром эффективной поверхностной рекомбинации на лицевой стороне [11, 13]. Если получены экспериментальные зависимости *?(<*, Ka)/7?(a, 0) по крайней мере для двух приложенных напряжений в областях низкого и высокого поглощения, то могут быть подсчитаны значения ^птп, ^рТр, $п и 5р. Пример такой процедуры показан на 5.1.10 [12]. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал Vb составляет 0,9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны — 1,0 и 0,4 В. Подобные графики для случая падения света на n-слой можно легко получить только перестановкой индексов п и р на 5.1.10, б. Прежде всего, как можно видеть из 5.1.10, а, экспериментально полученные величины г)(а, Ka)/7j(a,0) в области более слабого поглощения (где a = 1,0 • 104 см'1) используют да определения ИпТп + ИрТр и Sn X5p. Затем, как указывается на< 5.1.10, а рассчитываются значения цптп + МрТр и Sn путем сравнения экспериментальных данных TJ(a, Ka)/7j(a, 0) в области более высокого

Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a-Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни (^птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации (?„, 5Р) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj(a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j(a, Ka)/7j(a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Детальный анализ спектров TJ (a, Ka)/7j(a, 0) показал, что со стороны низкого поглощения они главным образом определяются величинами цптп + + r-рТр и Sn X Sp, а в области более высокого поглощения — отношением '^nTnl^pTp и параметром эффективной поверхностной рекомбинации на лицевой стороне [11, 13]. Если получены экспериментальные зависимости *?(<*, Ka)/7?(a, 0) по крайней мере для двух приложенных напряжений в областях низкого и высокого поглощения, то могут быть подсчитаны значения ^птп, ^рТр, $п и 5р. Пример такой процедуры показан на 5.1.10 [12]. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал V^ составляет 0,9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны — 1,0 и 0,4 В. Подобные графики для случая падения света на n-слой можно легко получить только перестановкой индексов п и р на 5.1.10, б. Прежде всего, как можно видеть из 5.1.10, а, экспериментально полученные величины т?(а, Кд)/77(а,0) в области более слабого поглощения (где a = 1,0 • 104 см'1) используют да определения ИпТп + ИрТр и $п Х5р. Затем, как указывается на- 5.1.10, а рассчитываются значения цптп + МрТр и Sn путем сравнения экспериментальных данных TJ(a, Va)lr)(a, 0) в области более высокого

Предельные режимы определяются величиной t/06P mar — максимального (предельного) обратного напряжения на диоде любой формы и периодичности — и величиной /np max — максимального (предельного) прямого и постоянного или импульсного тока при длительной работе. Некоторые параметры импульсных диодов приведены в табл. 5.2.

Динамические свойства полевых транзисторов в основном определяются величиной зарядных емкостей переходов, которые заряжаются через сопротивления каналов. Среднее сопротивление канала равно Якан = 0,5pL/bw. Барьерная (зарядная) емкость равна

При выборе другой точки электрической цепи с нулевым потенциалом разности потенциалов на соответствующих участках цепи не изменяются, так как они определяются величиной тока и величиной сопротивления. Если принять потенциал точки 3 цепи фз = 0, то ось абсцисс переместится в точку 3 потенциальной диаграммы (пунктирная линия), т. е. потенциалы всех точек цепи уменьшаются на величину потенциала ф, равного отрезку ОК = 2,3 В.

Из этого выражения видно, что величина и направление вращающего момента определяются величиной и направлением тока якоря и тока возбуждения, так как Ф=/(/в). Поэтому для изменения направления вращения двигателя необходимо изменить направление тока или в обмотке возбуждения, или в обмотке якоря. При одновременном изменении направления тока в обеих обмотках якорь будет вращаться в том же направлении.

Искажения импульсных сигналов определяются величиной изменения формы импульсов (длительность фронтов, спад вершины импульса и т. д.).

Из (IX.17) и (IX.18) получим, что при одинаковой фильтруемой мощности Р„ размеры и масса дросселя (определяются величиной энергии

5. Рассматривая выражения (XI.39) и (XI.39, б) с учетом пропорции (XI.38), приходим к заключению, что потери Рэ1р и РЭ2 и мощности РМ)- Рэм определяются величиной соответствующих отрезков, перпендикулярных диаметру круга, которые могут быть найдены по круговой диаграмме:

пределение определяются величиной и распределением термоупругих напряжений (см. 4.40). Если т «Тир, то размножения дислокаций не происходит и их количество и распределение определяются источниками гетерогенного зарождения и процессами, протекающими на фронте кристаллизации, например захватом твердых включений или газовых пузырьков, вокруг которых концентрируются напряжения. При т<ткр монокристалл в общем случае растет бездислокационным, а образование дислокаций происходит вследствие отмеченных выше процессов, протекающих на фронте кристаллизации.

Индуктивные сопротивления клеток определяются величиной потоков рассеяния Ф02, сцепленных с их стержнями. Так как пусковая клетка расположена близко к поверхности ротора, то сцеп-

Для импульсных диодов указывают также величину постоянного прямого напряжения (Упр при протекании постоянного тока /пр и величину обратного тока /Обр при заданной величине обратного напряжения ?/обр. Предельные режимы определяются величиной максимально допустимого постоянного обратного напряжения ^обР.тах, максимально допустимой величиной импульсного обратного напряжения ?/<>бр. и. шах; а также величинами максимально допустимого постоянного прямого тока /пр. тах и максимально допустимого ИМПУЛЬСНОГО ПрЯМОГО ТОКа /пр. и. max •

Потери мощности в стали определяются величиной и часто-'той изменения магнитного потока и от нагрузки не зависят. Потери в стали называются постоянными потерями. '