Обеспечить одинаковую

В случае аварийного выхода одного из трансформаторов оставшийся в работе должен обеспечить нормальную нагрузку подстанции с учетом перегрузки (40%) на время максимумов общей суточной продолжительностью до 6 ч, но не более 5 сут; при этом коэффициент заполнения суточного графика нагрузки трансформатора должен быть не более 0,75.

При ответственных потребителях в случае аварий на одном из трансформаторов оставшийся должен обеспечить нормальную нагрузку подстанции с учетом его перегрузки. Ориентировочно можно принять, что

Бак с радиаторами при естеств'енном охлаждении может обеспечить нормальную теплоотдачу для трансформатора мощностью до 10000—16000 кВ-А. При больших мощностях периметр гладкого бака оказывается недостаточным для размещения необходимого числа радиаторов. В этом случае выходом из положения является переход от естественного к форсированному охлаждению, которое может осуществляться путем ускорения движения масла или воздуха.

ются одна над другой. Расположение труб в шахматном порядке менее выгодно, так как при этом затрудняется движение воздуха и уменьшается теплоотдача. На 9-12 показана одна из конструкций стенки трубчатого бака. Все трубы имеют радиус изгиба /?. Трубы могут быть круглого сечения или овального. Шаги груб в рядах ti и между рядами ty могут быть различными. Применение овальных труб позволяет разместить в ряду большее число труб и обеспечить нормальную теплоотдачу бака при одном-двух рядах труб там, где трубы круглого сечения приходится располагать в два-три ряда. В нормальных сериях трансформаторов в СССР применяются трубы круглого сечения 05,1/4,8 см с толщиной стенки 0,15 см и овальные трубы с размерами поперечного сечения 7,2X2,0 см при толщине стенки 0,15 см. Сравнительные данные тех и других труб приведены в табл. 9-7. Эта же таблица позволяет выбрать число рядов труб для трансформаторов различных мощностей.

Чтобы обеспечить нормальную работу усилителя 140УД12 в широком диапазоне изменения напряжений источников питания (от ±1,2 до ±18 В), в ИМС предусмотрена регулировка токов смещения с помощью внешнего источника, подключаемого к выводу 8. Источники стабилизированного тока Tg, Tg, Тц, TW взаимосвязаны через стабилизирующий транзистор

Герметизация РЭА в разъемном корпусе. Для защиты блоков ремонтируемой РЭА от влаги, морского тумана, брызг и пыли применяют герметизацию в разъемном корпусе. Часто герметизацию применяют для уменьшения габаритов бортовых передатчиков. При уменьшении атмосферного давления электрическая прочность воздуха падает и, чтобы обеспечить нормальную работу, необходимо увеличивать расстояния между деталями, находящимися под высоким потенциалом, исходя из электрической прочности воздуха при пониженном давлении. Избежать этого можно, используя герметизацию блока.

Чтобы обеспечить нормальную работу входных транзисторов, на

Аккумуляторная батарея может работать в режиме разряда на длительно включенную нагрузку. При этом напряжение на элементах снижается, и, чтобы обеспечить нормальную работу батареи при аварийном набросе нагрузке, ее необходимо заряжать 1 раз в двое суток. Заряд осуществляется от преобразовательного агрегата двигателя-генератора. Вследствие частых зарядов работа батареи в режиме заряд — разряд приводит к быстрому износу пластин аккумуляторов. Усложняется также эксплуатация батареи. Поэтому в настоящее время от такого режима отказались. На электростанциях и крупных подстанциях аккумуляторные батареи работают в режиме постоянного подзаряда. В схеме аккумуляторной батареи предусматриваются зарядно-подзарядное устройство или отдельные зарядный и подзарядный агрегаты. Последнее решение принимается в том случае, если емкость батареи велика и мощность зарядного устройства оказывается значительной. Аккумуляторные батареи, устанавливаемые на электростанциях, имеют устройство для регулирования числа элементов, присоединенных к шинам.

вертикальному движению воздуха с высокой удельной теплоотдачей, обладающие высокой прочностью и позволяющие устанавливать на них вентиляторы для форсирования движения охлаждающего воздуха. Бак с радиаторами при естественном охлаждении может обеспечить нормальную теплоотдачу для трансформатора мощностью до 10000—16000 кВ'А. При больших мощностях периметр гладкого бака оказывается недостаточным для размещения необходимого числа радиаторов. В этом случае выходом из положения является переход от естественного к форсированному охлаждению, которое может осуществляться путем ускорения движения масла или воздуха. На рис, 9.6 показано форсированное охлаждение бака с радиаторами при по-

быть различными. Применение овальных труб позволяет разместить в ряду большее число труб и обеспечить нормальную теплоотдачу бака при одном-двух рядах труб там, где трубы круглого сечения приходится располагать в два-три ряда.

Диоды смещения (ТД4 и ТД5) должны обладать возможно большим напряжением отпирания L/OT (это способствует повышению помехоустойчивости элемента), малым сопротивлением в проводящем состоянии и сравнительно большим временем рассасывания носителей с тем, чтобы ускорить запирание транзистора Т [151. Указанным требованиям удовлетворяет диодный ключ, построенный на параллельно включенных эмиттерном и коллекторном переходах транзисторной структуры, (см. пример 8). Применив два диода смещения, можно обеспечить нормальную работу элемента при помехах отпирающей полярности с амплитудой

Уменьшение поля машины при переходе на переменный ток необходимо для того, чтобы обеспечить одинаковую частоту вращения двигателя при номинальном моменте независимо от рода питающего напряжения ( 11.22, б).

Если рассеиваемая мощность в переходе вызывает повышенный нагрев отдельных участков структуры, то последующий рост обратного тока и дальнейшее локальное повышение температуры могут вызвать необратимый тепловой пробой с оплавлением материала или возникновением металлических мостиков. Этот вид пробоя наиболее часто встречается в сплавных германиевых диодах, где не удается обеспечить одинаковую плотность тока по всей площади перехода.

Недостаток рассмотренного ЦАП, ограничивающий его применение в случае многоразрядных цифровых сигналов, — очень большой диапазон изменения сопротивления взвешенных резисторов: если, к примеру, необходимо преобразовывать 12-разрядный цифровой сигнал, а резистор в цепи старшего значащего разряда равен jR = 1 кОм, то в младшем разряде сопротивление должно быть в 2"-1 = 2й = 2048 раз больше, т. е, 2048 кОм. По интегральной технологии изготовить такую резистивную матрицу практически невозможно, а в случае дискретной сборки —• трудно обеспечить одинаковую температурную стабильность всех резисторов. Поэтому в современных ЦАП применяются несколько иные резисторные матрицы, в которых используются одинаковые или отличающиеся в 2—4 раза резисторы. Наиболее часто применяются матрицы R—2R ( 119, в), составленные из резисторов всего двух номиналов R и 2^, что делает изготовление матрицы очень технологичным и позволяет выполнять ее в интегральном исполнении, вместе со всеми необходимыми активными элементами (электронными ключами и схемами их управления, суммирующими операционными усилителями и т. д.). Особенностью матрицы R—2R является постоянство сопротивления в узлах: если цепочка резисторов R—2R замкнута на резистор с сопротивлением 2R со стороны младшего разряда ( 119, в), то в любом ее узле (объединяющем два резистора R и один резистор 2R) сопротивление слева и справа будет равно 2R (если ключи справа и слева замкнуты на землю). Вследствие этого токи /1( ..., /л, как и в предыдущей схеме, отличаются в 2' раз: /х = /о/21, ..., /„ = /с/2'1, где /0 = U0JR, а суммарный ток Is строго пропорционален коду входного цифрового сигнала.

Требование равнотолщинности вытекает из необходимости обеспечить одинаковую скорость заполнения пресс-формы материалом при формообразовании детали. Однако здесь абсолютно одинаковой толщины не требуется, более того, она не всегда полезна. Например, толщина дна коробчатой детали должна быть немного большей, чем-стенок. Толщину сплошных сечений не рекомендуется брать превышающей 10 мм. Правильно сконструирована такая деталь, у которой толщина стенок отличается не более чем на 30 % ( 2-22).

Другая задача заключается в создании молекулярного пучка такой формы, которая обеспечила бы максимальную направленность движения молекул вещества к подложке. При этом для образования на подложке конденсата, равномерного по толщине, необходимо обеспечить одинаковую плотность падающего пучка по всей поверхности подложки.

Д. Уравнители третьего рода [Л. 631. В сложных петлевых обмотках важно не только соединить отдельные цепи простых обмоток друг с другом, но и обеспечить одинаковую индуктивность короткозамкнутых контуров, что имеет особое значение для получения хорошей коммутации, особенно в машинах большой мощности. Если произвести с помощью уравнительных соединений разделение напряжения каждой секции обмотки, то тогда при вращении якоря будет коммутироваться контур не целой секции, а только ее половины. Если бы машина имела неполное число уравнителей второго рода, то иногда коммутировалась бы полная секция, а иногда ее половина; поэтому такие уравнители поставленные в ограниченном „ „ г* г - количестве, не могут выполнить в доста-

Очевидно, что для правильного приема кодовых комбинаций необходимо обеспечить одинаковую скорость работы передающего и приемного распределителей, т. е. синхронно, и в одинаковой фазе, т. е. синфазно. Поэтому такой метод передачи и приема двоичных сигналов называется синхронным. Для поддерживания режима синхронизма и синфазности в приемнике ОУ используются специальные устройства синхронизации и фазирования (см. гл. 4). Наиболее просто синфазность работы распределителей обеспечивается в так называемых стартстопных системах передачи, в которых в промежутках между передачей сообщений передающий и приемный распределители не работают (стоят на «стопе»). Перед передачей сообщений подается сигнал начала передачи («старт»), под воздействием которого распределители запускаются, обеспечивая передачу одной кодовой комбинации. По ее окончании оба распределителя останавливаются «на стопе», при этом расхождение по фазе, накопившееся за время передачи кодовой комбинации, ликвидируется.

Другая задача заключается в создании молекулярного пучка такой формы, которая обеспечила бы максимальную направленность движения молекул вещества к подложке. При этом для образования на подложке конденсата, равномерного по толщине, необходимо обеспечить одинаковую плотность падающего пучка по всей поверхности подложки.

Отдельные схемы мостов могут быть пригодны для измерения нескольких параметров электрических цепей, но не всегда могут обеспечить одинаковую точность и удобство измерений. Поэтому в так называемых универсальных мостах применяют несколько мостовых схем, структурно близких по элементам, используемым в их плечах. Универсальные мосты служат для измерения ряда пара-

1. Если иена на нефть составляет 293 долл/т, по какой цене следует продавать природный газ для того, чтобы обеспечить одинаковую цену на оба топлива в условном исчислении? Дайте ответ в долларах за 1000 м3. Сравните полученный ответ с ценой, по которой газ продается в вашем районе. Проделать тот же расчет для электроэнергии, используя соответствующие единицы.

Для второго случая показано, что аккомодация деформации роста путем двоиникования может сопровождаться вращением кристаллической решетки, вызывая изменение первоначальной ориентировки кристалла. Предполагается, что в процессе облучения это обстоятельство способно обеспечить одинаковую скорость роста кристаллов в направлении общей анизотропии материала и тем самым обеспечить наблюдаемую скорость роста поликристалла в целом. Согласно этому механизму изменение начальной ориентировки кристаллов при аккомодации деформации роста путем двоиникования является необходимым условием для радиационного роста поликристаллов. Однако при таком объяснении неясно, каким образом должен осуществляться радиационный рост урана, когда процесс двоиникования затруднен или отсутствует. Например, в работе [42] отмечается, что даже при —196° С только 10% приспосабливающей пластической деформации проходит путем двоиникования, а подавляющая часть деформации связана со скольжением. Поэтому можно ожидать, что переориентировка кристаллов в процессе облучения не является единственной причиной, обеспечивающей одинаковую скорость деформации всех кристаллитов в направлении роста поликристалла.