Определяет специфику

теициалов любых двух точек А и В, лежащих на этой поверхности, равна нулю. Уравнение U (х, у, z) = const определяет совокупность точек, лежащих на поверхности равного потенциала, т. е. является уравнением этой поверхности. Следы поверхности равного потенциала на плоскости чертежа называют линиями равного потенциала. Очевидно, линии равного потенциала пересекаются с линиями напряженности поля всюду под прямым углом.

устойчивости. Сепаратрисса определяет совокупность критических возмущений и критических амплитуд колебаний, ограниченных условиями существования пери-одических движений. Отыскание сепаратриссы и определение способов ее расширения на фазовой плоскости являются одной из важных задач исследования и повышения динамической устойчивости электрических систем. Чем шире сепаратриссная поверхность, тем при прочих равных условиях выше уровень динамической устойчивости электрической системы, т. е. тем большие возмущающие воздействия допускаются в ней (например, вызываемые более длительными или тяжелыми короткими замыканиями).

Здесь в отличие от (8.1) введен демпферный коэффициент Рц, с*, пропорциональный скорости изменения угла 6. Наличие демпфирования является характерным свойством работы синхронной машины в электрической системе. Оно накладывает ряд особенностей на динамические свойства электрической системы. Проиллюстрируем эти качественные особенности фазовыми траекториями и кривыми протекания переходных процессов во времени. Фазовые траектории на фазовой плоскости ( 8.3) имеют разомкнутый вид. Се-щщатоисса (кривая /) проходит через точку О2 типа седла, определяющую точку неустойчивого равновесия. При возмущениях, ограниченных сепаратриссой, фазовые траектории приближаются к точке Oi типа фокус — точке устойчивого равновесия, т. е. все переходные процессы, вызванные возмущением, затухают (кривая 2 на 8.3,6). При возмущениях, соответствующих изображающим точкам, лежащим на фазовой плоскости вне сепаратриссы, возникает апериодически нарастающее движение, отображающееся фазовой траекторией 3 ( 8.3, а) и кривой 3 процесса во времени ( 8.3, б). Сепаратрисса определяет совокупность критических возмущений, разделяющих два вида движения — периодически затухающее и апериодически нарастающее. Нелинейные свойства, появляющиеся при больших, но меньше критических возмущениях, остаются такими же, как и в примере 8.1, — появление ангармоничности и потеря изохронности.

Действующая в настоящее время программа курса ТОЭ, утвержденная учебно-методическим управлением по вузам МВиОСО СССР в 1960 г. для инженерно-технических специальностей высших учебных заведений, определяет совокупность вопросов, составляющих содержание курса. В программе оговорено, что порядок расположения в ней материала не предопределяет очередности изложения отдельных разделов курса. Курс ТОЭ должен читаться в соответствии с методикой, принятой кафедрой ТОЭ данного вуза, причем в зависимости от имеющихся специальностей и учебных планов института отдельные разделы программы могут излагаться более расширенно или более сжато; очередность разделов курса может варьироваться. Требуемая степень детализации изложения тех или иных вопросов устанавливается кафедрой ТОЭ по согласованию со специальными кафедрами данного вуза.

Действующая в настоящее время программа курса ТОЭ, утвержденная учебно-методическим управлением по вузам Минвуза СССР в 1964 г. для инженерно-технических специальностей высших учебных заведений, определяет совокупность вопросов, составляющих содержание курса. Курс ТОЭ должен читаться в соответствии с методикой, принятой кафедрой ТОЭ данного вуза, причем в зависимости от имеющихся специальностей и учебных планов института отдельные разделы программы могут излагаться более расширенно или более сжато; очередность разделов курса может варьироваться. Требуемая степень детализации изложения тех или иных вопросов устанавливается кафедрой ТОЭ по согласованию со специальными кафедрами данного вуза.

Таким образом, всякая задача при постановке на ЭВМ определяет совокупность вычислительных алгоритмов, отличающихся друг от друга порядком выполнения арифметических операций. Несмотря на математическую эквивалентность этих модификаций в точном смысле, различие в вычислительном аспекте может быть чрезвычайно большим, в особенности с точки зрения численной устойчивости. Среди всех модификаций существует такая, которая обеспечивает наиболее точное решение задачи.

значения К.\п и K.zn по уравнениям а' (10.28), прочертим кривую D-разбие- кп ния. Применив правила штриховки, найдем области статической устойчивости. Область статической устойчивости определяет совокупность коэффициентов усиления по производным (параметров устройства стабилизации), обеспечивающих статическую устойчивость исходного режима электрической системы, заданной всеми своими параметрами. Построив области статической устойчивости для серии расчетных режимов, найдем общий участок областей, определяющий

напряженности поля, мы будем иметь U = const, т. е. будем оставаться на поверхности равного потенциала. Линии напряженности поля нормальны к поверхностям равного потенциала. Уравнение U (х, у, z) = const определяет совокупность точек, лежащих на поверхности равного потенциала, т. е. является уравнением этой поверхности. Следы поверхностей равного потенциала в плоскости чертежа называют линиями равного потенциала. Линии равного потенциала пересекаются с линиями напряженности поля всюду под прямым углом. • '

которое определяет совокупность точек, лежащих на линиях равного потенциала. Так как потенциальная функция и(х,у) является решением уравнения Лапласа в случае двухмерной задачи, то она является гармонической функцией. Для этой функции существует другая гармоническая сопряженная функция v(x, у), связанная с функцией и(х, у) известными условиями Коши-Римана:

Если направление перемещения dl составляет прямой угол (а = тс/2) с вектором Е, то cos а = 0 и dU/dl = 0. Следовательно, мысленно перемещаясь в направлении, нормальном к направлению линий напряженности поля, будем иметь U = const, т. е. будем оставаться па поверхности равного потенциала. Линии напряженности поля нормальны к поверхностям равного потенциала. Уравнение U(x, у, z) = const определяет совокупность точек, лежащих на поверхности равного потенциала, т. е. является уравнением этой поверхности. Следы поверхностей равного потенциала в плоскости чертежа называют линиями равного потенциала. Линии равного потенциала пересекаются с линиями напряженности поля всюду под прямым углом.

лов любых двух точек А и В, лежащих на этой поверхности, равна нулю. Уравнение Щх, у, z) - const определяет совокупность точек, лежащих на поверх-

Выделим основные особенности диапазона СВЧ, определяющие единый подход к конструированию устройств СВЧ. Длина волны электромагнитного сигнала, как правило, соизмерима или много меньше размеров изучаемого объекта. Это является принципиальными конструктивными и технологическими особенностями СВЧ-элементов РЭА и отличает физику их работы от аналогичных радио- и низкочастотных (НЧ) устройств. Так, в СВЧ-диапазоне: 1) теряют физический смысл обычные элементы с сосредоточенными параметрами LCR, а все СВЧ-устройства являются устройствами с распределенными параметрами; 2) конструкции линий передач строго определяются физическими процессами передачи СВЧ-энергии и имеют свои особенности для каждого поддиапазона частот; 3) электрические токи протекают в очень тонком наружном слое металлических проводников, это явление поверхностного эффекта накладывает жесткие ограничения на чистоту обработки токонесущих поверхностей, на выбор защитных покрытий, появляется возможность применения технологии изготовления токонесущих проводников путем металлизации поверхности диэлектрических или керамических деталей; 4) из-за большой инерции электронов и длительной рекомбинации свободных носителей в СВЧ-диапазоне неприменимы обычные электровакуумные и полупроводниковые приборы; 5) параметры и свойства материалов: диэлектриков, магнитодиэлектриков и проводников в СВЧ-диапазоне, существенно отличаются от их номинальных значений. Все это определяет специфику конструирования и изготовления СВЧ-устройств, которая заключается в жесткой зависимости их радиотехнических характеристик от параметров самой конструкции (формы, размеров) и радиофизических свойств материалов (вида обработки токонесущих поверхностей, используемых покрытий и т. д.). В радиочастотной РЭА эти зависимости проявляются в значительно меньшей степени, а в НЧ-аппара-туре практически отсутствуют. 6

ЭВМ Единой системы первоначально создавались в основном как однопроцессорные универсальные по назначению машины, содержащие большой набор периферийных устройств. В этих ЭВМ используется иерархия разнообразных интерфейсов для связи между различными группами устройств (см. § 11.3), что определяет специфику построения многомашинных и многопроцессорных комплексов (ММК и МПК) в ЕС ЭВМ.

Классификация по функциональному назначению часто является доминирующей, так как объект установки РЭС в решающей степени определяет специфику конструкции (защита от дестабилизирующих факторов, масса, форма, габариты, энергопотребление, стоимость, надежность).

Разнообразие применений РЭС, наличие в них подсистем и отдельных устройств определяет специфику и большое число вариантов конструкции

В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электропроводности. Такой режим является наиболее важным и определяет специфику характеристик МДП-транзистора.

Измеряемая величина ионного тока является мерилом содержания молекул определенного газа или пара в смеси. Для масс-спектрометрического газоанализатора рабочим условием является разрежение не ниже 10~4 тор (мм. рт. ст.), которое определяет специфику техники ис-

В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электропроводности. Такой режим является наиболее важным и определяет специфику характеристик МДП-транзистора.

Рост пленок на подложке при ионном распылении. Атомы, выбитые из мишени при ионном распылении, могут обладать значительной энергией (порядка десятков электрон-вольт), причем относительная доля таких атомов увеличивается с ростом энергии бомбардирующих ионов. Это определяет специфику процесса конденсации атомов на подложке при ионном напылении — отсутствие критической температуры и критической плотности атомного пучка. Вследствие высокой энергии бомбардирующих атомов они практически при любой температуре и любой плотности пучка «вбиваются» в поверхность подложки и застревают там. По мере напыления доля напыляемых атомов в поверхностном слое непрерывно растет и в конце концов на поверхности образуется пленка из чистого материала мишени.

дается порядком коммутации ключей К а, Кв, Кс-Этот порядок определяет специфику конкретного режима электропривода. Однако принципы построения математических моделей системы ТПН—АД не зависят от порядка коммутации ключей и сохраняются при исследовании любых режимов.

В составе блочных SOPC с процессорными ядрами можно выделить четыре основные части: процессор, FPGA, интерфейс между ними и интерфейс с внешней средой. В первую очередь, именно интерфейсы различаются друг от друга в SOPC разных фирм, и, главным образом, это определяет специфику тех или иных микросхем. Различия, имеющиеся во внутренней организации процессоров и FPGA, вторичны и при проектировании на основе SOPC проявляют себя в меньшей степени.

Обработка информации микропроцессорной системой. МПС обладает следующими информационными ресурсами: результатами опроса датчиков, информацией, вводимой с пульта оператора, предварительно записанной программой обработки. Задачи обработки этой информации можно разделить на четыре типа: логические, модуляционные, упорядочение массивов, вычислительные. Редко на практике реализуется какой-либо один тип задач, однако преобладание одного из них определяет специфику алгоритма.

В зависимости от характера этих процессов телемеханика подразделяется на две основные части, причем характер применения определяет специфику принимаемых технических решений.