Определяет максимальное

Фоторезисторы обладают значительной инерционностью, обусловленной временем генерации и рекомбинации электронов и дырок, происходящих при изменении освещенности фоторезистора. Время установления стационарного значения фотопроводимости называют временем фотоответа фоторезистора. Оно определяет максимально допустимую частоту модуляции светового потока, т. е. частотный диапазон работы фоторезистора.

В технических условиях указываются номинальный и предельный режимы работы лампы. Номинальный режим характеризует условия работы, на которые рассчитан данный прибор. Предельный режим определяет максимально или минимально допустимые значения параметров режима. Если к электродам лампы подключены источники постоянного напряжения, то параметры режима являются неизменными. Такой режим работы называется статическим.

Коэффициент объединения по выходу т определяет максимальное число логических выходов. Увеличение т расширяет логические возможности ИМС за счет выполнения функций с большим числом аргументов на одном типовом элементе. Для создания сложного устройства в этом случае обычно требуется меньше схем. Однако увеличение т ухудшает быстродействие, помехоустойчивость и нагрузочную способность ИМС. В существующих сериях схем реализуется небольшое число входов (т = 2 -г- 8).

Статическая помехоустойчивость /С™ определяет максимально допустимое напряжение статической помехи. Различают помехоустойчивость закрытой ИМС по отношению к отпирающим помехам

Важную роль играют конструктивно-технологические параметры и характеристики ЛЭ: площадь, занимаемая ЛЭ на кристалле (при заданном минимальном топологическом размере), и количество основных технологических операций, используемых при изготовлении микросхемы. Площадь ЛЭ наряду с потребляемой мощностью определяет максимально достижимую степень интеграции, а количество основных технологических операций — процент выхода годных микросхем и их стоимость. Для уменьшения площади ЛЭ стремятся упростить их электрическую схему, уменьшить число используемых в ней транзисторов, диодов и резисторов. При проектировании топологии и структуры ЛЭ для снижения его площади уменьшают число карманов, размещая там, где это возможно, несколько транзисторов или резисторов в одном кармане. Используют поликремниевые пленочные резисторы, сформированные на поверхности кристалла над транзисторами. Применяю! совмещение областей транзисторов; в этом случае одна область кристал ла может использоваться для нескольких транзисторов, например как база одного и коллектор другого биполярного транзистора (см. § 7.5).

При этом величина тока /в принимается равной значению частичного тока записи 1Р при выбранном значении полного тока Ут, когда на совмещенных осциллограммах иl/i и d\'z ( 4-5) максимуму сигнала uV\ соответствует сигнал dVz, составляющий 2% от максимума uV\. Последнее условие связано с тем, что всегда предпочтительнее считывать максимальный полезный и минимальный паразитный сигналы. Очевидно, что при максимальном разрушении информации полезный сигнал uV\ и паразитный сигнал dVz имеют такие; значения для данного /„, в момент tp. Тогда /в определяет максимально допустимую величину тока частичного возбуждения.

Затем в схеме следует группа действий для вычисления суммы всех членов уравнения кроме диагонального. В начале программы с перфокарты прочитано число МАХ, которое определяет максимально допустимое число итераций.

Специальными стандартами или техническими условиями устанавливаются номинальный и предельный режимы работы электровакуумных приборов. Номинальный режим характеризует условия работы, на которые рассчитан данный прибор. Предельный режим определяет максимально или минимально допустимые значения параметров режима.

При условии, что Еф -+ Ес величина Nc определяет максимально возможную концентрацию плектронов в невырожденном полупроводнике. Поскольку По/Лс — отношение равновесной концентрации электронов к максимально возможной, экспоненциальный множитель в (9-50) имеет смысл вероятности нахождения свободных электронов в зоне проводимости.

Аналогично предыдущему случаю (9-50) экспоненциальный множитель в (9-52) имеет смысл вероятности нахождения дырок в валентной зоне, а величина Nv определяет максимально возможную концентрацию дырок в невырожденном полупроводнике при условии Еф -^ Ev.

Вертикальный отрезок DE, ограничивающий ОБР по напряжению, определяет максимально допустимое значение напряжения коллектор — эмиттер f/кэо. Оно задается при разомкнутой цепи базы, т. е. в наиболее опасных условиях (см. § 2.2.10). Даже незначительное и кратковременное превышение значения ?/кэо приводит к разрушению транзистора.

Число подканалов определяет максимальное число одновременно работающих с данным каналом ПУ. Физически подканал реализуется в виде участка памяти, в котором хранятся параметры операции ввода-вывода, выполняемой данным устройством: текущие значения адреса и счетчика данных, код и указатели операции ввода-вывода, адрес следующего УСК и др. В качестве памяти для хранения этих параметров может использо; ваться либо специальная память, встроенная в мультиплексный канал, либо участок ОП машины.

В процессе разработки полупроводниковой ИМС необходимо учитывать, что заданный температурный коэффициент сопротивления резистора в значительной степени определяет максимальное значение номинального сопротивления, которое может быть получено при строго ограниченных геометрических размерах резисторов. Действительно, использование для резистора наиболее низко-омного материала с меньшим температурным коэффициентом сопротивления требует увеличения площади, занимаемой резистором. Более того, поскольку изготовление резистора производится совместно с формированием базовой области транзисторной структуры, возможности изменения удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя являются крайне ограниченными.

Коэффициент объединения по выходу т определяет максимальное число логических выходов. Увеличение т расширяет логические возможности ИМС за счет выполнения функций с большим числом аргументов на одном типовом элементе. Для создания сложного устройства в этом случае обычно требуется меньше схем. Однако увеличение т ухудшает быстродействие, помехоустойчивость и нагрузочную способность ИМС. В существующих сериях схем реализуется небольшое число входов (т = 2 -г- 8).

2. Коэффициент объединения по входу &0б определяет максимальное число входов ЛС. Базовые логические элементы выполняются с небольшим числом входов: &0бИ=2-М, побили = — 2—4. Для увеличения числа входов в отдельных логических элементах предусматривают специальные входы для подключения расширителя, обеспечивающего увеличение k06 до 10 и более.

Эффективность переноса определяется соотношением г\ •-- Qn(>+i)''Qnf i где Q,,i, Qnd+D — зарядовые пакеты в г-м элементе до переноса и в следующем (i + 1)-м элементе после переноса. Вследствие потери части зарядового пакета при переносе т] < 1. Допустимое уменьшение зарядового пакета при многократных переносах зависит от типа устройства. При заданном допустимом уменьшении зарядового пакета эффективность переноса определяет максимальное число элементов, через которые может быть передан зарядовый пакет. При анализе процессов переноса часто используют величину п -•- 1 — п., называемую коэффициентом потерь. Для сложных устройств на ПЗС с большим числом переносов требуемые значения т) — 0,999...0,99999 и соответственно п —- 10~3...10~в.

Количество подканалов определяет максимальное число одновременно работающих с данным каналом пе-

Так как числитель SRa определяет максимальное усиление, то из предъявленного выше требования к амплитудно-частотной характеристике вытекает условие

Так как Фу пропорционально гоку нагрузки, то неравенство (7-15) определяет максимальное значение тока, при котором счетчик продолжает учитывать электроэнергию с необходимой точностью. В связи с непрерывным ростом потребления электроэнергии это значение тока необходимо иметь как можно большим.

В районах с длительной мерзлотой заземляющие устройства электроустановок — это сложные и дорогостоящие сооружения. Поэтому эффективность расчета параметров заземлителей зависит от выбора их оптимальной конструкции и геометрических размеров с учетом реальной структуры грунта. Специфика природно-климатических условий этих районов определяет максимальное использование естественных заземлителей при минимуме сооружения искусственных. В качестве естественных заземлителей в последнее время используют надземные технологические коммуникации. Однако при использовании последних в качестве заземляющих устройств необходимо проводить оценку условий взрывобезопас-ности, поскольку из-за постоянной связи с искусственными заземлителями подстанций имеет место вынос потенциала в трубопроводы с горючими газами. Использование технологических коммуникаций в качестве заземляющих устройств для систем питающего напряжения 6 — 35 кВ дает возможность получить значительную экономию за счет расходов на дополнительные искусственные заземлители.

Амплитуда напряжения на нагрузке, которая определяет максимальное значение напряжения, прикладываемого к тиристорам, составляет

Применительно к последовательностным устройствам (триггерам, счетчикам и др.) используются некоторые дополнительные временные параметры, обусловленные принципом действия, как то: время задержки переключения, максимальная частота переключений и некоторые другие. Коэффициент разветвления по выходу (коэффициент нагрузки) Краз характеризует нагрузочную способность микросхемы. Этот параметр определяет максимальное число входов элементов данной серии, которым можно нагружать выходы микросхемы без нарушения ее нормального функционирования.