Определяется температурной

Температурный коэффициент емкости Т КС (1/°С) пленочных конденсаторов определяется температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости диэлектрика, которая для большинства используемых диэлектрических материалов'составляет от —60- 10~в до + 500-10~6 \Г С.

Температурный коэффициент сопротивления TK/? = aR вследствие хороших адгезивных свойств резистивных пленок с подложкой, когда температурные изменения длины а/ и ширины оц, резистора зависят от ТК/ подложки а„ (а/ = ск, = а„), определяется температурным коэффициентом удельного поверхностного сопротивления:

Нестабильность L/эь, обусловленная температурным дрейфом параметров фт и /эо, определяется температурным коэффициентом di/эв' dT «—2 мВ/°С. Используя (12.1), легко получить выражение для температурного коэффициента тока

С увеличением температуры поляризованность при электронной поляризации уменьшается за счет расширения тела. Однако в соответствии с малым значением температурного коэффициента расширения диэлектрическая проницаемость при электронной поляризации очень слабо снижается с увеличением температуры. Эта зависимость определяется температурным коэффициентом ДИЭЛСКТрИЧесКОЙ проницаемости:

Температурная стабильность КПЕ зависит от положения подвижной части пластин по отношению к неподвижным пластинам и определяется температурным коэффициентом емкости (ТКЕ), зависящим главным образом от конструкции конденсатора. В большинстве случаев температурный коэффициент КПЕ положителен и не превышает значений (2004-300) • 10~6 1/град. Только у некоторых типов КПЕ с комбинированными диэлектриками (воздух — твердый диэлектрик) ТКЕ превышает указанное значение..

Зависимость индуктивности от температуры для катушек с маг-нитопроводами определяется: температурным коэффициентом индуктивности катушки без магнитопровода (TKH)b = az./; температурным коэффициентом магнитной проницаемости' магнитопровода TKfA = a^ и температурным коэффициентом собственной емкости катушки (ТКИ)с„=ас„г.

Температурный коэффициент диапазонного контура является переменной величиной и определяется температурным коэффициентом КПЕ. Как указывалось в третьей главе, изменение величины ТКЕ -от угла поворота ротора определяется конструкцией КПЕ и вели-чиной kf. Оно тем больше, чем больше /г/. На 5.5 показана за-

Сопротивление металлических проводниковых материалов сильно зависит от температуры: с повышением температуры оно возрастает. Поэтому для уменьшения влияния температуры на точность измерительных приборов их обмртки, добавочные сопротивления и шунты изготовляют из материалов, сопротивление которых мало зависит от температуры (например, манганина). Степень влияния температуры на сопротивление определяется температурным коэффициентом.

Температурная нестабильность конденсаторов определяется температурным коэффициентом емкости (ТК.Е) — относительным изменением емкости конденсатора при изменении температуры окружающей среды на 1 °С. Лучшие по температурной стабильности конденсаторы — слюдяные — имеют ТКЕ, равный (0,5 Ч-~1)- 10~4. Температурный коэффициент индуктивности (ТКИ) катушек того же порядка. Относительное изменение частоты автогенератора при изменении температуры на 1 °С только из-за температурной нестабильности параметров элементов контура определяют по формуле

Сопротивление меди, как и других металлов зависит от температуры и определяется температурным коэффициентом сопротивления. Для определения коэффициента изменения сопротивления можно воспользоваться табл. 1.7. В таблице вертикальный столбец соответствует температуре в десятках градусов, а верхняя горизонтальная строка — в единицах градусов. Изменение сопротивление меди при 15 "С принято за единицу. Коэффициент для произвольной температуры соответствует пересечению соответствующих строки и столбца. Например, изменение сопротивления меди при 86 °С составляет 1,2284. Это означает, что сопротивление проводника, измеренное при 15 °С, работающего при температуре 86 "С, надо умножить на 1,2284.

Температурный коэффициент магнитной проницаемости. Магнитная проницаемость зависит от температуры магнитного материала. Эта зависимость определяется температурным коэффициентом магнитной проницаемости, который характеризует изменение магнитной проницаемости при изменении температуры магнитного материала, °С~1:

Как известно, зависимость между температурой и электрическим сопротивлением определяется температурным коэффициентом сопротивления, который характеризует относительное увеличение (или уменьшение) удельного сопротивления при изменении температуры на1°С. Эта зависимость у платины нелинейна. В работе [22] приведены результаты эмпирического определения значений температурного коэффициента сопротивления платины в диапазоне температур от —200 до +500 °С через каждые 5°С. Среднее значение температурного коэффициента сопротивления платины в диапазоне температур 0...+100°С составляет 3,85 • 10-3/°С. Платиновые термометры сопротивления имеют следующие допустимые отклонения: ±0,3 °С при 0°С; ±0,5 °С при 100 °С и ±1,1 °С при +200 °С.

Температурная зависимость номинального значения сопротивления резистора определяется температурной зависимостью удельной объемной проводимости ov, которая для кремния /г- и р-типов представлена соответственно на 2.32, а, б. Если уровень легирования кремния велик и влиянием на электропроводность электронно-дырочных пар, образующихся за счет тепловой генерации из валентной зоны, можно пренебречь, то концентрация подвижных носителей заряда будет слабо зависеть от температуры. Для кремния р-типа при произвольной температуре удельная проводимость

который определяется температурной зависимостью диэлектрической проницаемости полупроводника ег и контактной разностью потенциалов UK:

Сплавы, обладающие более высоким удельным электрическим сопротивлением, чем чистые металлы, не нашли, однако, применения как материалы чувствительных элементов термопреобразователей из-за сравнительно низкого ТКС, значение которого в значительной степени зависит от количественного и качественного состава примесей. Следует также отметить, что незначительное количество примесей в чистых металлах практически не изменяет характера зависимости их сопротивления от температуры. Дело в том, что согласно правилу Матиссена — Флеминга составляющая сопротивления, вызванная загрязнениями, не зависит от температуры, а, следовательно, характер температурной зависимости металла с незначительным количеством примесей определяется температурной зависимостью основного материала.

Влияние температуры на обратную ветвь ВАХ тиристора определяется температурной зависимостью обратного тока (при относительно малых обратных токах). В области электрического пробоя, т. е. при относительно больших обратных токах, начинает сказываться температурная зависимость напряжения пробоя (см. § 1.3.6).

Основная нестабильность такого мультивибратора определяется температурной зависимостью напряжений отпирания транзисторов.

Температурная зависимость номинального сопротивления резисторов определяется температурной зависимостью удельной объемной проводимости av, которая для кремния П- и р-ТИПОВ представлена соответственно на 2.33, а и б. Если уровень легирования кремния велик и влиянием на электропроводность электронно-дырочных пар, образующихся за счет тепловой генерации из

Электропроводность чистых металлов. Так как в металлах концентрация электронного газа п практически не зависит от температуры, то зависимость удельной электропроводности а от температуры полностью определяется температурной зависимостью подвижности и электронов вырожденного электронного газа. В достаточно чистом металле концентрация примесей невелика и подвижность вплоть до весьма низких температур определяется рассеянием электронов на колебаниях решетки.

Сравнение результатов, полученных в этом параграфе, с результатами предыдущего параграфа показывает, что между металлами и полупроводниками существует принципиально важное отличие. В то время как у металлов концентрация носителей заряда практически не зависит от температуры и температурная зависимость их проводимости целиком определяется температурной зависимостью подвижности носителей, в полупроводниках, наоборот, концентра-

ция носителей весьма резко зависит от температуры и температурная зависимость их проводимости практически полностью определяется температурной зависимостью концентрации носителей. При данной температуре концентрация носителей заряда и проводимость собственных полупроводников определяется шириной их запрещенной зоны. Это наглядно видно и^ данных табл. 7Л, в которой приведена ширина запрещенной зоны и удельное сопротивление элементов IV группы таблицы Д. И. Менделеева, имеющих решетку типа алмаза. С уменьшением ширины запрещенной зоны с 1,12 (кремний) до 0,08 эВ (серое олово) удельное сопротивление при комнатной температуре уменьшается на 9 порядков.

Область be простирается от температуры истощения примеси Ts .до температуры перехода к собственной проводимости Т,-. В этой •области все примесные атомы ионизированы, но .еще не происходит заметного возбуждения собственных носителей, вследствие чего концентрация носителей сохраняется приблизительно постоянной и равной концентрации примеси: п = Nn. Поэтому температурная зависимость проводимости полупроводника в этой области определяется температурной зависимостью подвижности носителей. ЕСЛ.И

где ДЭК1 — потери энергии за время, равное периоду переменного тока частотой /, на единицу поверхности проводника при первом критическом значении индукции магнитного поля (определяются экспериментально); А = = ndnpl — площадь поверхности проводника с внешним диаметром dnp и длиной /; п = 3 при В sg Вк1 и п = 4 при В > BKi. При Т = 4,2 К ДЭК1 я» 1 мкДж/см2 за период. С ростом температуры потери возрастают, причем при В < ВК этот рост определяется температурной зависимостью BKj (см. § 3.3, т. I). Изменение объемных потерь (Вк1 < < В < ВК2) приближенно определяется выражением [41.20]