Определяется содержимым

Можно применить другой метод решения задачи с построением так называемой опрокинутой характеристики одного из элементов цепи. Для этого рассмотрим зависимость изменения тока / цепи, во-первых, от напряжения U2 и, во-вторых, от разности напряжений U — U\. В первом случае эта зависимость определяется собственной характеристикой (см. 2.18, б) одного элемента I(U2), во втором случае при построении характеристики I(U — t/i) для каждого значения тока / необходимо из постоянной абсциссы U вычесть абсциссу характеристики I(U i) первого элемента. Это равносильно построению опрокинутой характеристики элемента /(i/i)onp от точки О', соответствующей напряжению U на 2.19.

В терморезисторах прямого подогрева сопротивление определяется собственной температурой, т. е. выделяемой внутри терми-стора джоулевой теплотой, которая зависит от тока, протекающего через термистор. В терморезисторах косвенного подогрева имеется дополнительная нагревательная обмотка.

Поскольку Д?д «С А?, то количество электронов, переходящих под действием тепловой или какой-либо другой энергии в зону проводимости с примесных уровней, значительно превышает количество электронов, переходящих в зону проводимости из валентной зоны, участвующих в процессе тепловой генерации пар. Следовательно, число электронов в полупроводнике с пятивалентной примесью превышает число дырок, концентрация которых в данном случае определяется собственной электропроводностью и поэтому не изменилась. Такой примесный полупроводник с преобладающим числом

валентной зоны, то достаточно очень небольшой энергии ДЕа = Еа — Еа <С ДЕ (например, за счет теплоты окружающей среды), чтобы электроны с верхних уровней валентной зоны переместились на уровень примеси, образовав недостающие связи. Следствием этого процесса является образование в валентной зоне вакантных энергетических уровней (дырок) и превращение атомов индия в отрицательные ионы, заряд которых начинает проявляться лишь при уходе дырок из микрообъема. При этом очевидно, что такой примесный полупроводник обладает избыточным числом дырок, так как число электронов в зоне проводимости полупроводника по-прежнему определяется собственной электропроводностью. Примесный полупроводник с преобладающим числом дырок называют полупроводником с дырочной электропроводностью или электропроводностью р-типа (р-полу-

Решение. Частота колебаний генератора определяется собственной частотой колебаний контура:

Решение. Частота колебаний генератора определяется собственной частотой колебаний контура:

Отсюда можно, зная параметры воздействующего импульса и собственную частоту амортизированного блока, найти ускорение на блоке. Из (8-46) видно, что ускорение на блоке изменяется по гармоническому закону и определяется собственной частотой блока.

Для того чтобы при мегагерцевой частоте в индукторе (колебательном контур!?) иметь возможность ограничить частоту включения тиратрона только десятками килогерц, в генераторе рассматриваемого типа и используются затухающие колебания. Тиратрон открывается, как показано на диаграмме 3-6, б, положительным импульсом сеточного напряжения ис лишь 1 раз за время 1/F, где F — частота повторения заряда — разряда конденсатора, в то время как колебательный режим по выходной частоте определяется собственной частотой / контура, которая может быть на один-два порядка больше, чем F [Л. 58].

При легировании предварительно очищенного германия примесью пятивалентного элемента (например, мышьяка) атомы примеси замещают в узлах кристаллической решетки атомы германия. При этом четыре валентных электрона атома мышьяка, объединившись с четырьмя электронами соседних атомов германия, образуют систему ковалентных связей ( 3.3 а), пятый же электрон оказывается избыточным. Уже при комнатной температуре избыточные электроны приобретают энергию, равную очень небольшой энергии их связи с атомами примеси, и переходят в зону проводимости. Таким образом, в узлах кристаллической решетки германия, занимаемых атомами примеси, образуются неподвижные положительно заряженные ионы, а в объеме кристалла перемещаются избыточные электроны, имеющие энергию зоны проводимости. Если освободившиеся электроны находятся вблизи своих ионов, то микрообъем в целом остается электронейтральным. При уходе электронов из микрообъема в нем образуется положительный объемный заряд. Число электронов в кристалле при внесении пятивалентной примеси превышает число дырок, концентрация которых при внесении примеси не изменилась, и по-прежнему определяется собственной электропроводностью полупроводника. Такой полупроводник обладает в основном электронной электропроводностью, или электропроводностью n-типа (полупроводник n-типа). Примесь, способную отдавать электроны, называют донорной. В полупроводнике n-типа основными носителями заряда являются электроны, а неосновными — дырки.

тростатического прибора в широком диапазоне. Верхний предел частотного диапазона применения электростатических приборов определяется собственной емкостью измерительной системы совместно с индуктивностью внутренних подводящих проводов (определяющих резонансные явления в цепи прибора) и уменьшением противодействующего момента упругих элементов из-за их нагрева увеличивающимся (с увеличением частоты) емкостным током, протекающим через прибор. Все это вызывает увеличение показаний прибора, начиная с некоторой частоты.

Можно применить другой метод решения задачи с построением так называемой опрокинутой характеристики . одного из элементов цепи. Для этого рассмотрим зависимость изменения тока / цепи, во-первых, от напряжения Ui и, во-вторых, от разности напряжений U-—с/2. В первом случае эта зависимость определяется собственной характеристикой (см. 4.9,6) первого элемента I(U±), во-втором случае при

2. Формат «регистр — индексируемая ячейка» RX. Команда занимает 32-разрядное слово (4 байта). Первый операнд— содержимое общего регистра (или регистра с плавающей точкой, указанного в поле Ri), второй — содержимое ячейки ОП. Адрес этого операнда определяется содержимым базового Bj и индексного Хг регистров и смещением DZ.

Содержимое ячейки памяти, адрес которой определяется содержимым

Содержимое ячейки памяти, адрес которой определяется содержимым указателя СТЕКа SP, используется для восстановления состояния флагов. Содержимое ячейки памяти, адрес которой на единицу больше содержимого указателя СТЕКа, пересылается в аккумулятор. Содержимое указателя СТЕКа увеличивается на 2.

Группа переходов по коду команды. При этих переходах 4—5 старших разрядов поля УА6 ... УА„ определяют вид перехода, остальные разряды этого поля заносятся в соответствующие младшие разряды адреса строки следующей МК (старшие разряды адреса строки сохраняют прежнее значение). Адрес колонки следующей МК формируется следующим образом. При переходе JPR этот адрес определяется содержимым РК; при переходе JLL два старших разряда принимают значение кодовой комбинации 01, остальные два разряда — значение РК3, РК2; при переходе JPL старшие два разряда— II, младшие два разряда адреса колонки — РК,, PKU; при переходе JPX адресом колонки служит действующая на входах К, ... К4 кодовая комбинация. При последнем переходе происходит загрузка РК.

программа активизирует новое слово, то для него нужно освободить какую-то ячейку номер у. Значение •у и определяется содержимым попей УП ячеек БП. Содержимое того или иного поля УП формируется в соответствии с принятой стратегией освобождения ячеек ассоциативной БП. Оптимальная стратегия состоит в следующем: удалению подлежит то слово, которое будет использовано программой позже, чем любое другое из хранящихся в БП. Однако априорной информации об использовании слов в будущем нет. Поэтому оптимальная стратегия может служить эталоном, с которым сравниваются все другие стратегии, например, такая: удалению подлежит то слово БП, к которому не было обращений в течение некоторого промежутка времени. Сложные стратегии требуют больших аппаратурных и временных затрат и не дают существенного выигрыша в быстродействии по сравнению с простыми. Самая простая стратегия удаления заключается в том, что после удаления слова из ячейки у удаляться будет слово из ячейки у+1. Реализуется она так. Имеется кольцевой счетчик, каждый разряд у которого и является полем УП(у) ячейки БП номер у. Перед началом работы в счетчик заносится код 0M0WM...Or..0110. Как видим, в поле УП(0) ячейки номер 0 стоит единица. Она означает, что первым будет удалено слово из этой ячейки, а содержимое кольцевого счетчика сдвигается на один разряд влево. Следующим будет удаляться слово из ячейки номер 1, у которой УП(1 )=1. И опять содержимое кольцевого счетчика сдвигается на один разряд влево. Таким образом, УП(у)=1 означает, что освобождаться будет ячейка 7 БП. Простейшая стратегия чревата промахами, когда из БП может быть удалено самое активное слово.

Режим работы каждого порта А, В, С определяется содержимым Произведя запись управляющего слова в этот регистр, можно перевести микросхему в один из трех режимов работы: режим 0 - простой ввод-вывод; режим 1 - стробируемый ввод-вывод; режим 2 - двунаправленный канал А.

В этом методе объединение отлаживаемой системы с отладочным ПК через интерфейсный блок позволяет многократно производить вышеописанную отладочную процедуру без необходимости вынимать из отлаживаемой системы программируемый элемент (ПЗУ или МК). Вариант интерфейсного блока определяется протоколом, который поддерживается программируемым элементом. Еще совсем недавно практически отсутствовали средства внутрисхемного программирования и соответствующие методики. Это привело к распространению промежуточного варианта реализации, носящего название эмуляция ПЗУ. В основе метода ( 2.18) лежит использование специального оборудования — эмулятора ПЗУ. Базой эмулятора является БИС ОЗУ, содержимое которого загружается из отладочного ПК. В режиме эмуляции, когда разъемный элемент эмулятора вставляется в цоколь схемы ПЗУ (расположенный на отлаживаемой плате), ОЗУ эмулятора выполняет функции удаленного на момент отладки ПЗУ. В зависимости от сложности используемого эмулятора, входящее в его состав дополнительное оборудование позволяет выполнять ряд сервисных функций. В состав отладочных действий может входить, например, сохранение и передача в отладочный компьютер трассы исполняемых команд (их последовательность). Эмулятор может фиксировать значения данных, появляющихся на шинах адреса, и данных отлаживаемой системы, а также формировать сигналы прерывания для отлаживаемой системы при выполнении условий, задаваемых разработчиком из инструментального ПК. Реакция на прерывания при этом определяется содержимым обрабатывающих подпрограмм, временно подставляемых эмулятором.

Если параллельно осуществляется пересылка данных из памяти X и из памяти Y, адресные регистры разделяются на два блока, R0-R3, R4-R7. Содержимое регистров адреса может модифицироваться соответственно режиму адресации. Тип модификации определяется содержимым регистров модификации (Мп). Регистры смещения (Nn) используются для режима адресации "модификация со смещением".

регистром адреса или данных и ячейкой памяти, адрес которой определяется содержимым регистра адреса и 3-битным беззнаковым смещением. MOVE.L (Rn+s15),DR MOVE.L DR,(Rn+s15) Пересылка 32-битного длинного слова между

регистром адреса или данных и ячейкой памяти, адрес которой определяется содержимым регистра адреса и 15-битным знаковым смещением. MOVE.L (Rn+Rr),DR MOVE.L DR,(Rn+Rr) Пересылка 32-битного длинного слова между

регистром адреса или данных и ячейкой памяти, адрес которой определяется содержимым регистра адреса и содержимым второго регистра адреса или смещением. Второй регистр адреса сдвигается влево на 2 бита перед суммированием. Не могут использоваться регистры R8-R15. MOVE.L (EA),DR MOVE.L DR,(EA) Пересылка 32-битного длинного слова между