Определяется различием

Из соотношения (2.766) и условия (2.77) следует, что угловая частота, при которой наблюдается резонанс напряжений, определяется равенством

Установившееся отклонение подвижной части определяется равенством вращающего и противодействующего моментов.

примет значение, превышающее некоторое данное значение хо2 («/, ««т — практические и теоретические частоты распределения). Это распределение табулировано, и по значению х2 и числу степеней свободы и можно найти вероятность Р(х2)- Число степеней свободы определяется равенством

Плоская конструкция наиболее простая и позволяет создавать диоды с рабочей поверхностью в несколько квадратных миллиметров. Ее недостатками является низкий к.п.д. Наиболее эффективна полусферическая конструкция диода. Технологически она сложнее пло0-кой, но выигрыш в эффективности делает ее предпочтительной для целгй оптоэлектроники. Это объясняется тем, что в плоской конструкции угол выхода излучения 6В = 26 ограничивается полным внутренним отражением от границы раздела полупроводник — среда. Величина угла зависит от коэффициентов преломления полупроводника и среды. Критический угол, при котором наступает полное внутреннее отражение, определяется равенством

— — ~ — [р определяется равенством (3.10)], (4.15)

Из соотношения (2.766) и условия (2.77) следует, что угловая частота, при которой наблюдается резонанс напряжений, определяется равенством

Из соотношения (2.766) и условия (2.77) следует, что угловая частота, при которой наблюдается резонанс напряжений, определяется равенством

Конденсаторы. В качестве конденсаторов полупроводниковых ИМС используют емкости обратно включенных p-n-переходов (барьерные емкости) биполярных транзисторов или емкости МОП-транзисторов, которые изготовляют в изолированных от других элементов островках в едином технологическом цикле с другими транзисторными структурами. Барьерная емкость определяется равенством (2.1).

2.14, б), получают эквивалентную схему ( 4.13, б). Сопротивление R в ней, показанное пунктирной линией, является параллельным соединением сопротивлений делителя Rt, R2 по переменному току, т. е. R = RiR2/(Ri + #2) • Сопротивление нагрузки по переменному току определяется равенством (4.20).

Коэффициент усиления усилительных каскадов на полевых транзисторах в области средних частот определяется равенством

Принимая во внимание, что коэффициент усиления идеального ОУ определяется равенством (4.41), для неинвертирующего усилителя получим

Статическая ошибка регулирования системы гармонического компаундирования определяется различием воздействия поля реакции якоря по первой и высшим гармоникам. Снижение напряжения определяется воздействием продольной и поперечной составляющих тока якоря, компаундирующее же действие, то есть увеличение напряжения гармонической обмотки и соответственно тока возбуждения генератора, определяется только продольной составляющей тока якоря. Статическую ошибку регулирования возможно, по-видимому, свести к минимуму соответствующим выбором параметров xd и xq генератора. Введение второго канала

Программные АСУ ЭП обычно тоже управляют положением ИО, которое должно изменяться по заданной программе. Различие в принципах построения систем программного управления в значительной степени определяется различием формы задания программы. Наибольшее распространение в настоящее время имеют числовые системы программного управления, где программным носителем могут быть магнитные ленты или диски, перфокарты или перфоленты. Однако программа может быть задана и иначе: например, в копировальных металлорежущих станках программа задается в виде модели изделия. Задача АСУ ЭП в этом случае сводится к тому, чтобы реализовать движение режущего инструмента, обеспечивающее повторение в изделии формы модели.

Лкщшпгии/чоннич no-i'i/tirnniii'i. Рассмотрим реакцию восстановления кислорода па каюде водород-кислородною ТЭ: О, f 4е j 2Н ,О 04ОН . которая обуслов-линае! совершение 'j.TeKiponaMU работы выхода m MCia.i.ia электрода в раствор TICK' i роди I а и преодоление ими потенциальною барьерт. Последний обрачонан электрическим полем двойного слоя разноименных ta рядов (электронов и их подожшедьных отражсшп! в катоде относительно ею поверхности). Рсчулыи-р\ющий ток е ка i ода определяется различием скоростей прямой и обратной реакции.

Рассмотрим сначала токопрохождение в диэлектрике, не содержащем ловушек. Различие В АХ в вакууме и в диэлектрике, не содержащем ловушек, при одинаковой толщине межэлектродного промежутка d определяется различием отношений Kid, где К — длина свободного пробега носителей заряда (K/d > 1 в вакууме, K/d < 1 в диэлектрике).

диэлектрик —- металл ( 9.27). Принцип действия диэлектрического диода отличен от принципа действия электровакуумного и полупроводникового диодов. Выпрямляющий эффект в диэлектрическом диоде определяется различием работ выхода из истока и стока и может оказаться значительным за счет нанесения на диэлектрик контакта из материала с очень малой работой выхода. Поэтому в одном направлении возникают большие токи, а в обратном направлении — исчезающие малые токи. Коэффициент выпрямления диэлектрического диода достигает 104 и выше.

Ширина энергетических зон различных полупроводников различна. Поэтому на границе раздела двух полупроводников (на металлургическом контакте гетероперехода) получается обычно разрыв дна зоны проводимости. Разрыв дна зоны проводимости определяется различием энергий сродства к электрону двух контактирующих полупроводников (энергия сродства к электрону есть разница энергий потолка верхней свободной зоны и дна зоны проводимости).

с различной работой выхода (из золота и индия), диэлектрическая пленка образована путем осаждения на металл тонкого слоя сернистого кадмия (CdS). Выпрямительный эффект в диэлектрическом диоде определяется различием работ выхода из истока и стока. Поэтому в одном направлении возникают большие токи, а в обратном — очень малые. Коэффициент выпрямления такого диода (отношение прямого тока к обратному) достигает значений 104 и выше. В диэлектрическом транзисторе ( 10.18, б) три электрода — исток, сток и затвор. Пленочные исток и сток могут быть выполнены из металла или, как показано на рисунке, из обогащенного электронами кремния n-типа. Слой затвора высокоомный. Им может служить диэлектрик или полупроводник /т-типа с низкой дырочной электропроводностью. Конфигурация затворного слоя и уровень электропроводности отдельных участков выбираются так, чтобы имитировать функции управляющей сетки в вакуумном триоде. Подаваемое на затвор внешнее напряжение управляет величиной тока между истоком и стоком.

металл ( 8.27). Принцип действия диэлектрического диода отличен от принципа действия электровакуумного и полупроводникового диодов. Выпрямляющий эффект в диэлектрическом диоде определяется различием работ выхода из истока и стока и может оказаться значительным за счет нанесения на диэлектрик контакта из материала с

В пределах территории одной ЭЭС встречаются узлы с самым разнообразным составом потребителей и как следствие с различными графиками нагрузки ( 43.1). Графики обменных потоков мощности по линиям электропередачи могут резко отличаться от графиков нагрузки ( 43.2). Обменные потоки мощности между энергосистемами также имеют разнообразные графики, характер которых определяется различием в структуре электропотребления и в режимах работы электростанций ( 43.3). Суточный график нагрузки отдельного элемента сети — линии или трансформатора — может либо иметь конфигурацию, совпадающую с одним из приведенных примеров, либо представ-

личными графиками нагрузки ( 39.1). Графики перетоков по линиям электропередачи могут резко отличаться от графиков нагрузки ( 39.2). Обменные потоки мощности между энергосистемами также имеют разнообразные графики, характер которых определяется различием в структуре электропотребления и в режимах работы электростанций ( 39.3). Суточный график нагрузки отдельного элемента сети — линии или трансформатора — может либо иметь конфигурацию, совпадающую с одним из приведенных примеров, либо представлять собой сложную комбинацию любого их сочетания.