Определяется расстоянием

Для транзистора с самосовмещенным затвором при L3 = 1,5 мкм и Ь = 1 мм получены следующие параметры: ?/Пор = 0,05 В, Ru = = 0,75 Ом, Sib = 87 мСм/мм. По сравнению с транзистором со структурой, показанной на 5.1, имеющим те же размеры, сопротивление истока меньше в 5 раз, а крутизна больше в 3 раза. В структуре с самосовмещенным затвором пробивное напряжение затвора определяется распределением концентраций примесей в л+-областях, так как они непосредственно примыкают к границам затвора. При энергии ионов 175 кэВ и дозе 1,7-Ю13 см~2 максимальная концентрация доноров в областях л+-типа 1-1018см-3, пробивное напряжение затвора 6 В. Недостатком данной структуры являются большие паразитные емкости затвор — исток и затвор — сток.

В ненасыщенной машинегформа поля в зазоре при холостом ходе определяется распределением МДС обмотки, в которой протекает ток намагничивания, и магнитным сопротивлением воздушного зазора ( 1.40).

душном зазоре определяется распределением МДС обмотки.

Индукция в воздушном зазоре электрической машины переменного тока определяется распределением магнитодвижущей силы (МДС) вдоль окружности статора. Если пренебречь магнитным сопротивлением стальных участков магнитной цепи машины, то при равномерном воздушном зазоре кривая распределения индукции Bf, в воздушном зазоре, называемая кривой магнитного поля машины, имеет такой же вид, как и кривая распределения МДС.

Очевидно, что и доверительный интервал, и доверительная вероятность связаны с числом наблюдений п, так как д- = д/У~п. Чем больше п, тем уже интервал. Однако, как уже было сказано выше, в практике измерений п >> 10 встречается редко. Для числа наблюдений 2 <С п <; 20 доверительный интервал определяется не через г, а через некоторый коэффициент 4о» который зависит от числа наблюдений п и доверительной вероятности а. Закон изменения коэффициента tna определяется распределением Стьюдента нормированной случайной величины t = х — Ах/8-, вы-

На основании закона сохранения энергии можно утверждать, что работа, затрачиваемая на увеличение зарядов от нуля до их конечных значений, не зависит от последовательности сообщения зарядов: она определяется распределением свободных зарядов и диэлектриков в пространстве, а также значениями диэлектрического коэффициента диэлектриков. Если бы последовательность сообщения заряда телами влияла на значение запасаемой энергии, мы могли бы выбрать такую последовательность увеличения и уменьшения зарядов, при которой энергия, затраченная внешними источниками, была меньше энергии, возвращенной полем. Но это было бы нарушением закона сохранения энергии.

Характер движения неосновных носителей заряда в кв. зиэлектронейтральных областях транзистора определяется распределением концентрации легирующей примеси. Плотности токов электронов и дырок в направлении оси х имеют дрейфовые и диффузионные составляющие, которые определяются выражениями (1.35) и (1.36).

откуда видно, что закон распределения мгновенной частоты определяется распределением производной фазы 9.

Основными причинами брака в производстве полупроводниковых ИМС являются дефекты в кристалле и в маскирующем окисле (прокол окисла). Из статистической независимости распределения дефектов по поверхности пластины следует, что вероятность обнаружения на пластине ИМС с числом дефектов / определяется распределением Пуассона

чение имеет так называемая населенность энергетического уровня — число частиц Ni, находящихся на i-ом уровне. Населенность Nz, например, на уровне 2 в зависимости от населенности 7Vt на уровне 1 в равновесном состоянии определяется распределением Больцмана

Часть вторичной обмотки можно расположить на общем стержне с первичной обмоткой. Это приведет к усилению электромагнитной 'связи, уменьшению рассеяния и уменьшению диапазона регулирования t/2. Поэтому диапазон регулирования 1/з определяется распределением витков вторичной обмотки между двумя стержнями.

в течение которого контакт разомкнут или замкнут, определяется расстоянием между включающим и отключающим кулачками. Это расстояние можно регулировать.

На каждой переключающей шайбе устанавливают один включающий и один отключающий кулачки. Поэтому время, в течение которого контакт разомкнут или замкнут, определяется расстоянием между включающим _и_отключающим кулачками, которое можно регулировать.

Внешняя изоляция между токопроводящими заземленными частями определяется расстоянием по воздуху. Например, при 10 кВ должно быть не менее ПО мм.

На З.З.а показана структура типичного БТ п-/7-п-типа, который используется в схемах с непосредственными связями, а также в схемах РТЛ, ЭСЛ и ЭПЛ, а на 3.3,6 — структура БТ p-n-p-типа с вертикальным расположением /?-л-переходов и с коллектором в виде подложки (технологически совместим с транзистором типа п-р-п). Очевидно, что транзисторы подобного типа, расположенные на одном кристалле, имеют общий коллектор. Это ограничивает их применение. На 3.3,в приведена структура БТ типа р-п-р с горизонтальной структурой. Ширина базы и, следовательно, коэффициент усиления по току такого БТ определяется расстоянием между окнами, протравливаемыми в оксиде кремния для создания эмиттера и коллектора. В этой структуре трудно контролировать ширину базы, поэтому небольшие колебания ее могут вызвать значительные изменения коэффициента усиления.

Длина проводов поступающего на монтаж светильника определяется расстоянием от его установки до ответвительной коробки плюс 100 мм необходимых для соединения в коробке.

Спектральные приборы характеризуются следующими основными параметрами: рабочим спектральным интервалом, дисперсией, зависимостью дисперсии от длины волны, разрешающей способностью в рабочем интервале. Дисперсия прибора характеризует пространственное распределение излучения по длинам волн. Различают линейную и угловую дисперсии. Линейная дисперсия определяется расстоянием d/ в фокальной плоскости прибора между двумя линиями спектра, которые различаются по длине волны на dA,. Линейная дисперсия d//dX выражает линейную ширину единичного спектрального интервала. Обычно используется обратная линейная дисперсия dh/dl, которая показывает, какой спектральный интервал соответствует линейной единице. Для ряда промышленных оптических приборов в видимой области спектра обратная линейная дисперсия находится в интервале от единиц до сотен ангстрем на миллиметр. Угловая дисперсия характеризует угловое расхождение линий, имеющих близкие длины волн.

Пусть щетка А перекрывает коллекторные пластины 1 и 2 , ток в коммутирующей секции изменяется ускоренно. Ток в петушке второй коллекторной пластины изменяется от 2ia до нуля ( 16.6). Период коммутации из расчета, что ширина эквивалентной щетки определяется расстоянием между набегающим А и сбегающим В краями щеток, равен Т. При сбегании щетки А с коллекторной пластины 2 сопротивление сбегающего края щетки резко возрастает. Под действием возрастающего напряжения на сбегающем крае основной щетки в момент времени /t вентиль открывается и ток переходит во вспомогательную ветвь щетки В.

Примером следящего привода релейного действия может служить электропривод подачи копировального станка с электромагнитными муфтами. Здесь роль задающего устройства выполняет шаблон или контур изделия, по которому перемещается палец копировально-измеритель-ного прибора. Этот прибор имеет контактное устройство, управляющее соответствующими промежуточными реле, которые в свою очередь включают электромагнитные муфты подачи шпинделя. При включении необходимой электромагнитной муфты производится перемещение механизма подачи станка, направленное к устранению возникшего рассогласования между положениями пальца копировального прибора и фрезы. Усилителями в такой системе служат промежуточные реле. Зона нечувствительности определяется расстоянием между контактами копировального прибора. Исполнительными органами являются приводы подач фрезы с нереверсивными двигателями, непрерывно

Длина волны в проводящей среде определяется расстоянием, на котором фаза изменяется на /А = 2л:

На 14.1, б в качестве примера представлена схема соединений при измерении сопротивления короткого отрезка провода. Длина / отрезка строго определяется расстоянием между ножевидными потенциальными контактами (точки Л и В); токовые контакты подсоединяются к концам провода вне отрезка.

На 14.1, б в качестве примера представлена схема соединений при измерении сопротивления короткого отрезка провода. Длина / отрезка строго определяется расстоянием между ножевидными потенциальными контактами (точки А и В); токовые контакты подсоединяются к концам провода вне отрезка.