Определяется процессами

Изменение потока во времени определяется приложенным к катушке напряжением:

Изменение магнитного потока в сердечнике трансформатора однозначно определяется приложенным к трансформатору напряжением ыь что следует из уравнений (12.6) и (13.3):

Форма кривой тока i2 вторичной обмотки, строго говоря, не соответствует форме кривой тока ц первичной обмотки, так как последний согласно уравнению (13.7а) имеет составляющую тока холостого хода tlx. Ток t'ix по существу является намагничивающим током, как и в катушке с ферромагнитным сердечником; временной закон изменения его определяется приложенным напряжением wt и формой динамического цикла перемагничивания сердечника. Чем больше относительная величина tlx, тем больше отличаются по форме токи первичной и вторичной обмоток.

Во втором случае, т. е. при питании обмотки переменным током, создается пульсирующий магнитный поток. Сила электромагнитного притяжения электромагнита тоже пульсирует, изменяясь от нуля до максимума, который определяется приложенным напряжением. Это приводит к вибрации якоря.

« wt— , т.е. значение Фст(0 определяется приложенным к первичной обмотке трансформатора напряжением MI (t). При синусоидальном напряжении MI = Uj. j/2 sin cot

Допустим для простоты, что времена задержки лавины тз.н = Т3.к и тпр = 2та.н. Приложим к ЛПД обратное смещение ?/л.„ < Uo6 < UKp. В момент времени t < т3.н ток в ЛПД отсутствует ( 3.9). При /j = та-н возникает импульс лавинного тока, значение которого определяется приложенным напряжением. По мере нарастания объем-

Из уравнения напряжений статора вытекает следующий важный вывод. Полное сопротивление фазы статора Zt обычно невелико. Поэтому приближенно величиной /iZi можно пренебречь. Тогда I/i «Ei. Но, по формуле (10.2), ?4^Ф, следовательно, при t/i=const Ф» const, т. е. при постоянном приложенном напряжении поток вращающегося поля также будет практически постоянным, не зависящим от нагрузки на валу. Иначе, поток определяется приложенным напряжением, а не нагрузкой двигателя.

При опыте холостого хода ток /о невелик, и электрическими потерями мощности в первичной обмотке можно пренебречь. В то же время магнитный поток практически равен потоку при нагрузке, так как его величина определяется приложенным к трансформатору напряжением. Магнитные потери в стали пропорциональны квадрату

Типы магнитоупругих преобразователей. Магнитоупругие преобразователи могут работать как переменные индуктивные сопротивления, величина которых определяется приложенным к сердечнику механическим усилием, и как трансформаторные преобразователи с переменной взаимной индуктивностью между обмотками.

Для цепей переменного тока справедливы законы Ома, Кирхгофа и Джоуля — Ленца применительно к мгновенным значениям напряжений, токов и мощностей для одного и того же момента времени. Однако в отличие от пассивной цепи постоянного тока, в которой ток определяется приложенным к ней напряжением и ее сопротивлением, в пассивной цепи переменного тока возникают внутренние переменные э. д. с. самоиндукции и э. д. с. емкости, которые должны, быть учтены, кроме приложенного напряжения, при составлении уравнений по основным законам.

который определяется приложенным напря'жением сети U\ и падением напряжения на 2i, ЭДС машины

Основным недостатком фотодиода является малый коэффициент усиления. Быстродействие его определяется процессами, связанными с разделением пары электрон— дырка, возникшей при поглощении излучения полем р — п-перехода.

Низкочастотные шумы отличаются характерным спектральным распределением, пропорциональным 1//", где п — показатель степени, близкий к единице. В полупроводниковых приборах происхождение низкочастотных шумов определяется процессами на границе раздела окисел — проводник. Средний квадрат низкочастотного шума определяется выражением

Время жизни неравновесных носителей заряда определяется процессами излучательной и безызлучательной рекомбинации и как параметр полупроводникового материала характеризуется наибольшей чувствительностью к примесям и дефектам структуры, а также к особенностям технологии получения и термообработки полупроводникового материала. Для различных полупроводниковых материалов время жизни изменяется в широких пределах .(от 10~8 до 10~3 с) и зависит от температуры.

Этапы переходного процесса при идеализированной форме сигнала изображены на 2А. Допустим, что на вход закрытого ключа подан ток включения /ш, а в момент времени /-ток /щ. В процессе нарастания коллекторного тока и спада напряжения г/эк можно выделить четыре этапа: задержка включения т фронт включения тф, задержка выключения т.1 и фронт выключеният*. Наличие задержки включения т3 объясняется тем, что эффективная инжекция из эмиттера в базу начинается только после того, как напряжение на переходе эмиттер - база Д°стигло "0Р°г;е°т°и_ рания. Фронт включения тф определяется процессами изменения концентрации подвижных носителей в базе и барьерной емкостью коллекторного перехода; задержка процесса выклю*е"и* ?.~ временем рассасывания накопленного избыточного заряда, фронт выключения тф-временем рассасывания активного заряда неосновных носителей в базе и повышением напряжения на коллекторном переходе.

Получение структур с концентрационной переходной областью малого размера определяется процессами диффузии легирующей примеси из подложки в растущий эпитак-

Соответственно обратный ток эмиттера /ЭБО представляет собой составляющую эмиттерного тока, значение которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме (эмиттерный переход включен в обратном направлении).

Практически линейное уменьшение послеинжекционного напряжения при ^>/i от значения ?/з до нуля определяется процессами рекомбинации дырок в базе и разрядом барьерной емкости р-п перехода. Учитывая, что избыточная граничная концентрация дырок в базе за счет рекомбинации уменьшается как &pni(t) ~&Рш ехр ( — t/rp), можно найти, что послеинжекционное напряжение меняется по закону

Сравнительный анализ радиационного изменения электрофизических параметров арсенида галлия и кремния показывает, что с точки зрения влияния объемных эффектов смещения атомов GaAs не имеет преимуществ перед Si в широком диапазоне концентрации легирующей примеси. Арсенид галлия отличает от кремния существенно меньшее время жизни носителей заряда, которое в значительной мере определяется процессами излучательной и Оже-рекомбинации, особенно при повышенной концентрации неравновесных носителей. В арсениде галлия указанные процессы по сравнению с кремнием более вероятны. Наряду с объемными эффектами смещения на характеристики GaAs-приборов и ИС, особенно МДП НС, могут существенно влиять изменение плотности поверхностных состояний и накопление заряда на границе раздела между областями прибора. В настоящее время МДП-структуры на арсениде галлия не нашли широкого распространения в ИС из-за трудностей формирования однофазного затворною диэлектрика и обеспечения высоких значений подвижности носителей в тонких областях полупроводника под затвором.

Соответственно обратный ток эмиттера /ЭБО представляет собой составляющую эмиттерного тока, значение которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме (эмиттерный переход включен в обратном направлении).

Количественная оценка добавочного асинхронного момента, связанного с v-й пространственной гармонической поля, может быть произведена с помощью схемы замещения по 43-4. Схема замещения для v-й гармонической поля составляется по аналогии со схемой замещения для основной гармонической по 42-3, а. Ток в обмотке статора /! считается заданным. При любой угловой скорости ротора он определяется процессами, связанными с основной пространственной гармонической, и рассчитывается по (43-8). Заданы также угловая скорость ротора Q и скольжение для v-й гармонической sv — (?2V — Q)/QV. гДе ^v — ± QI/V.

Время TBOCCT определяется: процессами накопления и рассасывания избыточных носителей в различных областях диода при протекании обратного тока и зависит от схемы включения и способа изоляции. Наименьшее значение TBOCCT имеет диод, включенный по схеме /, наибольшее — диоды по схемам 3, 4 и 5. Диоды, включенные по схеме 1, используются как быстродействующие. Для получения диодов с большими пробивными напряжениями их включают по схемам 2 и 5. Диоды, включенные по схемам 5 и 4, используются как накопительные.