Определяется пересечением

Как видно из (3.42), ДВС токоотвода определяется параметром /122 выходного транзистора VT3 и практически не зависит от параметра hit. Таким образом, эта схема ГСТ не может обеспечить большее ДВС токоотвода.

В § 5.3 было показано, что усилительная способность активнсго четырехполюсника в основном определяется параметром Нп (соответственно К21 и Z21). Для усилителя ОЭ этот параметр, как показано выше, совпадает с коэффициентом (5 [см. (5.32)]. Он входит в паспортные данные биполярного транзистора и обозначается символом /г21э.

Основным показателем большинства ИМС является быстродействие т. Для цифровых ИМС быстродействие определяется параметром 4.ср. Повышение быстродействия ИМС связано с ростом потребляемой мощности Р. Установлено, что для данного уровня технологии Рт=const. Этот вывод иллюстрирует 1.9, на котором приведены параметры стандартных серий ИМС, выпускаемых как отечественной промышленностью, так и за рубежом. Цифры около значков обозначают тип логики: / — РТЛ; 2—-ДТЛ; 3 — ТТЛ; 4 — ТЛПТ (ЭСЛ); 5 — непороговая транзисторная логика. Как видно из 1.9, величина &E—Pt, представляющая собой энергию, затрачиваемую внешним источником за одно переключение ключевого логического устройства, составляет ~ 1(Н0 Дж, причем эта энергия меняется незначительно при изменении типа логики.

По данным табл. 4.7 на диаграмму выходных статических характеристик наносятся точки, через которые проводится искомая характеристика ( 4.46). При /?7 = оо динамическая выходная характеристика вырождается в статическую для iB=const, крутизна которой определяется параметром /Z22, а при /?/=0 она сливается со статической характеристикой для ыв = const с крутизной, равной г/22- Так как

Из (13—4) следует, что при нормированной величине / имп и заданной величине коэффициента нелийнейности а величина f/ocr определяется параметром С, зависящим от геометрических размеров рабочего сопротивления.

Из приведенных примеров становятся ясны высказанные в §1.8 и 1.11 общие положения, что емкость С определяется параметром е среды, где существует электрическое поле, и геометрическими размерами, а индуктивность L определяется абсолютными магнитными проницаемостями ц сред, в которых существует магнитное поле, и геометрическими размерами.

К параметрам переходной характеристики, представленной на 6.19, относят время нарастания тно — интервал, в течение которого луч проходит от 0,1 до 0,9 от установившегося значения (уровня UJ переходной характеристики. Плоская часть переходной характеристики может быть с выбросом или с осцилля-циями; в этих случаях используют Дополнительные параметры: время установления туо, отсчитываемое от уровня 4,0,1 до момента уменьшения осцилляции до заданного уровня; харетисти^осто- выброс определяется параметром 5. Время на-графа растания — основной параметр канала Y ос-

Е. Альтенкирх показал и А.Ф. Иоффе подтвердил, что для любого класса материалов макроскопичность эффектов Зеебека и Пельтье определяется параметром Z, который содержит только физические величины. Однако их комбинация достаточно "неудобная". Природа не имеет в своем составе таких материалов, которые имели бы одновременно большие значения термоЭДС и малые значения теплового сопротивления. Противоречие заключается в том, что высокую электропроводность обеспечивают электроны за счет слабого взаимодействия с кристаллической решеткой, но и доля теплоты, которую переносят электроны, очень значительна. В других материалах (диэлектриках) можем иметь очень высокие значения термоЭДС (порядка 2000 мкВ/К и выше). Однако носителей в них очень мало (нужно иметь в виду относительность этого понятия - в данном случае это 1013-1015 см~3) и, хотя эффект на каждый носитель получается значительным, суммарный эффект оказывается малоинтересным для техники.

Т. Каджихара и сотрудники [14] теоретически оценили снижение эффективности за счет разориентации зерен в прессованных материалах. Было установлено, что разориентация зерен соответствует распределению Гаусса и определяется параметром 00 (чем больше 00, тем больше разориентация). В [14] было рассчитано снижение величины Z относительно Z// неразориентированного поликристалла как функции параметра разориентации 0о ( 9). Из 9 видно, что снижение эффективности за счет разориентации в материале «-типа значительно более сильное, чем в материале /т-типа. В табл. 2 представле-

В формуле (3.5) величина п называется «фактором идеальности» контакта Шоттки или «параметром п». Чем ближе п к единице, тем лучше контакт Шоттки. Как следует из (3.5), прямой ток контакта Шоттки существенно определяется параметром п и высотой барьера Фв-

Графическое решение этого уравнения определяется пересечением вольт-амперных характеристик стабилитрона (кривая 1) и балластного резистора (прямая 2) .

ствует минимальному току металлического КЗ в зоне защиты (точка К на 8.7, г), /с,ртгл определяется пересечением прямой ОК (уменьшение /к за счет Rn) с тормозной характеристикой, в частности на участке, параллельном оси /торм (точка К соответствует /к,расч при 7?п=0).

Решение. 1. При отсутствии прибора рабочая точка А транзистора на 10.49, б определяется пересечением прямой t/K = =--EK--RJK и выходной характеристики транзистора IK(UK).

Магнитное состояние постоянного магнита определяется пересечением прямой возврата с прямой, построенной по(14.12а).

На рис, 18-7, б приведено построение зависимости up — f(t). До пробоя искрового промежутка разрядника напряжение на РВ равно еэкв. Момент пробоя определяется пересечением кривой еэкв(/) и вольт-секундной характеристики искрового промежутка разрядника (точка А). После этого вступает в силу совместное решение уравнений (18-6) и ир =/(гр)для различных мгновенных значений еэкв.

После срабатывания разрядника напряжение в начале кабеля определяется пересечением прямых и обратных характеристик кабеля с криволинейной характеристикой А (точки 2А, ЗА, 4А). Напряжения в начале и конце кабеля имеют характер затухающих колебаний с весьма малыми амплитудами, осью которых является остающееся напряжение разрядника при i = 0.

Графически точка ЯсВт определяется пересечением прямой — Ве — — р0Не (прямая, проведенная под углом а = arctg (i0 во втором квадранте) с кривой (д,0/ (1 — N);

Магнитное состояние постоянного магнита определяется пересечением прямой возврата с прямой, построенной по (14.12').

горизонтальных линий на этих диаграммах определяют кодовые четырехразрядные, последовательности. Первые два разряда определяются номером строки, а оставшиеся •— номером столбца. Условием составления кода, в котором последовательно изменяется цифра только в одном из разрядов, является запрещение движения по диагонали и повторного движения вдоль строки и вдоль столбца. При движении, отмеченном на рисунке жирными линиями, кодовая последовательность, появляющаяся в узловых точках (от 0 до 9), определяется пересечением соответствующих кодовых вертикальных и горизонтальных линий.

При / = О значение U определяется пересечением кривой / и прямой 2. Для получения значения U при / = /м разместим характеристический треугольник, для номинального тока так, чтобы его вершины а и в расположились на кривой / и прямой 2. Тогда точка в определит искомое значение U, что можно доказать с помощью подобных же рассуждений, как в § 9-3 в случае построения внешней характеристики генератора независимого возбуждения. Для других значений тока между 1 ч 2 можно провести наклонные отрезки прямых, параллельные ав, которые представляют собой

разбить ось абсцисс и кривую ie = f(t) на интервалы At Для повышения точности построения целесообразно для каждого интервала использовать значение тока не в начале, а в середине интервала (точки Г, 2', У и т. д.). Таким образом, искомое значение тока в конце первого интервала (точка 1) определяется пересечением