Определяется конфигурацией

Как отмечалось выше (см. гл. 1), положение уровня Ферми в полупроводниках определяется концентрацией примесей в них. Чем больше эти примеси, тем больше смещены уровни Ферми относительно середины запрещенной зоны- При контакте двух полупроводников, имеющих различные концентрации примесей (а следовательно, и различное положение уровней Ферми), происходит выравнивание уровней Ферми, в результате которого энергетические зоны искривляются в месте контакта и образуется потенциальный барьер.

С допустимым приближением можно считать, что электропроводность в основном определяется концентрацией носителей заряда, которая в свою очередь зависит от температуры: с увеличением ее, как следует из выражения (1.1), число свободных электронов (и, конечно, дырок) растет по экспоненциальному закону и примерно так же изменяется электрический ток.

Видно, что в этом травителе вода выступает в роли окислителя, а гидрооксид калия — в роли растворителя оксида (комплексообразователя). Скорость растворения кремния в щелочном травителе итр не зависит от типа электропроводности материала, но в значительной степени определяется концентрацией щелочи в растворе NKOH, причем зависимость итр = = /(ЛГКОН) проходит через максимум в области концентраций раствора ~ 1-1,5 моль/л при 100 °С. До этого значения скорость травления линейно растет с увеличением концентрации

Ионным легированием арсенида галлия «-типа цинком можно формировать p-f-и-структуры, где высокоомный i-слой расположен под слоем легированного GaAs. Толщина изолирующего слоя определяется концентрацией примеси в исходном материале, режимом легирования и отжига. Образование этого слоя связано с диффузией вакансий и междоузельных атомов из разупорядоченного поверхностного слоя в глубину мишени с последующим формированием стабильных компенсирующих дефектов на расстояниях, значительно превышающих средний проецированный пробег. Глубина залегания s-слоя в GaAs может достигать 3 мкм.

Концентрация примеси в кристалле в каждый момент его роста определяется концентрацией ее в рабочем (кристаллизуемом) расплаве:

Концентрация кислорода в монокристаллах германия определяется концентрацией в них примеси кремния. При низкой концентрации последнего в расплаве концентрация кислорода в монокристаллах германия возрастает. Наоборот, при увеличении концентрации кремния в расплаве германия концентрация кислорода в его монокристаллах падает. Однако расплав начинает насыщаться частицами оксида кремния (IV), создающими ряд дефектов в монокристаллах германия.

Нижняя граница легирования эпитаксиального слоя определяется концентрацией фоновой примеси, которой в эпитаксиальных слоях арсенида галлия является кремний, поступающий в эпитаксиальный слой в результате взаимодействия кварцевых деталей реактора с хлороводородом, приводящего к образованию в зоне повышенных температур летучих хлорсиланов:

Таким образом, пробивное напряжение резких несимметричных p-n-переходов определяется концентрацией примесей в слаболегированной области или ее удельным сопротивлением, так как от этих величин зависит толщина р-/г-перехода.

фузия доноров для ста диффузионных конденсаторов, которые формирования эмит- могут быть сформированы на отведенных для ник площадях монокристалла полупроводника, определяется концентрацией примесей в прилегающих к переходу областях. Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе.

Если в результате взаимодействия ИИ с веществом произошла ионизация, то образовавшаяся пара из электрона и иона участвует в процессе электропроводности, увеличивая проводимость диэлектрика. Подвижность электрона намного превышает подвижность положительного заряженного иона, поэтому увеличение проводимости в основном определяется концентрацией образовавшихся при ионизации свободных электронов. '

Так как удельная проводимость определяется концентрацией свободных носителей заряда и их подвижностью, то линейность за-

При смачивании атомы металлов сближаются на расстояние менее 100 нм. В поверхностных слоях взаимодействующих металлов возникают связи, которые, образовавшись в отдельных местах, очень быстро распространяются по всей площади контакта «основной металл—расплав припоя». Природа возникших связей — квантовая, а активность образования соединений между атомами металлов определяется конфигурацией внешнего электронного слоя.

После снятия внешнего поля магнитные свойства материала характеризуются кривой размагничивания. Положение рабочей точки А на этой кривой определяется конфигурацией магнитной цепи системы с постоянным магнитом. Индукцию ВА называют кажущейся остаточной индукцией.

Взаимодействие центрального процессора с сопроцессорами, а также сопроцессоров между собой при использовании системной шины определяется конфигурацией МПС и режимом запроса/предоставления, заданным при инициализации (разряд R на 3.35, б). ______

В ПЗУ инсрормация заносится при его изготовлении. Она определяется конфигурацией металлизированной разводки либо расположением вскрытых контактных отверстий под металлизацию. Некоторые диоды в соответствии с заносимой информацией оказываются неприсоединенными к шинам (на 10.8, а они не показаны). При этом исполь-

Взаимоемкость определяется конфигурацией тел, образующих конденсаторы, их взаимным расположением и пропорциональна диэлектрической проницаемости среды.

пропорциональна магнитной проницаемости среды, в которой он находится, и определяется конфигурацией контура. Единицей индуктивности является генри (гн).

Величина М называется взаимоиндуктивностью и определяется конфигурацией контуров, их взаимным расположением и магнитной проницаемостью среды. Взаимоиндуктивность также измеряется в генри (гн).

Порядок п уравнения определяется конфигурацией цепи и характером ее элементов. Свободный член fk (t) содержит в себе заданные э. д. с.

Одним из условий приведения сравниваемых вариантов к ранному энергетическому эффекту является обеспечение и неизменность надежности энергоснабжения. Постоянство этого показателя должно выдерживаться за счет изменения мощности аварийного и ремонтного резервов и величины выработки энергии на резервных установках в системе. Выработка энергии резервными установками определяется конфигурацией графика нагрузки, коэффициентом готовности блоков к несению нагрузки kr, режимными особенностями их использования. Агрегаты, работающие с пониженными нагрузками, могут в известной мере компенсировать аварийный не-доотт/ск энергии.

Согласование напряжений. Сопротивление нагрузки определяется конфигурацией, размерами и числом витков индуктора и параметрами проводника. Следовательно, требуемую для нагрева мощность (ток) можно выделить только при определенном напряжении на индукторе (контуре). С другой стороны, генератор развивает паспортную мощность без превышения номинальных значений тока и напряжения, когда нагрузка будет иметь сопротивление, равное его собственному сопротивлению; ZH — vru/IrH.

Взаимная индуктивность определяется конфигурацией контуров, их взаимным расположением и магнитной проницаемостью среды.