Омических контактов

линейного описания биполярного транзистора в статическом режиме. Она не позволяет учитывать эффекты накопления зарядов в транзисторной структуре. Введение в эквивалентную схему трех омических объемных сопротивлений позволяет повысить точность описания статических характеристик. Этими элементами схемы учитываются омические сопротивления транзистора между его рабочими областями и выводами от коллектора, эмиттера и базы.

носителей из одной секции в другую. Величины пБ(0) и ПБ (w) представляют собой концентрации неосновных носителей на участках базы, примыкающих к эмиттеру и коллектору соответственно (ш — ширина базы). Резисторы R3, RB и /?к отражают омические сопротивления полупроводника в областях эмиттера, базы и коллектора.

Более полная модель Эберса — Молла показана на 2.39. По сравнению с упрощенным вариантом она содержит три омических сопротивления (г'в, г'э, гк), две диффузионные емкости (СдЭ, СдК) и три барьерные емкости р — п переходов (СБК, СБЭ, Сп). Если транзистор выполнен по планарно-эпитаксиальной технологии, то омические сопротивления рассчитывают по приведенным выше формулам для диффузионных резисторов. Внутренние узлы этих сопротивлений, примыкающие к активным областям транзистора, обозначены буквами Э', Б' и К'.

Основными частичными критериями оптимизации могут быть выбраны качественные показатели схемы (быстродействие; рассеиваемая мощность; площадь, занимаемая схемой на подложке; обобщенные показатели, характеризующие запас работоспособности; процент выхода годных схем при большом разбросе технологических параметров компонентов и др.). Переменными оптимизации являются: граничная частота усиления транзистора по току, пробивные напряжения на переходах транзистора, коэффициенты передачи по току в схеме с ОЭ и ОБ [параметры Yt первой группы, входящие в выражение (6.38)], а также напряжения на переходах транзистора в режиме насыщения, барьерные емкости на переходах, омические сопротивления базы и коллектора биполярных транзисторов или отношение ширины канала к длине, толщина окисла под затвором, размеры диффузионных областей МДП-транзисторов [минимизируемые параметры YJ второй группы, входящие в выражение (6.38)].

Активные сопротивления первичной и вторичной обмоток трансформатора г\ и г-2 находятся'опытным путем при питании обмоток постоянным током. Активные, или, вернее, омические, сопротивления находят делением постоянного напряжения на ток.

Определить индуктивные и омические сопротивления обмоток для трехфазного синхронного двигателя с 2р = 6, Ян =

Определить индуктивные и омические сопротивления обмоток для трехфазного синхронного двигателя с 2р = 6, Рн = = 225 кет, S = 310 ква, /„ = = 59,5 a, cos ф (опережающий) = 0,8; U = 3000 в, 1] = = 0,91, а= 0,722.

*р = 2я • 1,26 • Ю-» . 50 • 33,4 • 4,76 • k = 6,29 • 10— . 5500 = 3,45 ом. Омические сопротивления стержней верхней клетки:

где NZH и N2B — числа проводников обмоток якоря низшего и высшего напряжения; /2н и /2в — токи в этих обмотках, А; г2н и г2в — омические сопротивления обмоток, Ом; Д(/щн и Д?/щВ — переходные падения напряжения в контактах соответствующей пары щеток низшего и высшего напряжения, В.

Основные определения и характеристики нелинейных элементов электрических цепей. Нелинейными электрическими цепями называются цепи, содержащие элементы, характеристики которых зависят от протекающего по ним тока или приложенного к ним напряжения. Такими элементами могут быть нелинейные омические сопротивления (например, лампы накаливания), конденсаторы с нелинейным значением емкости, катушки с нелинейной индуктивностью и пр.

Предположим, что имеем два контура ( 13-20), к одному из которых приложено напряжение иг; второй будем считать коротко замкнутым. Предположим также, что омические сопротивления контуров столь малы, что можно считать Г] = 0 и л2 = 0.

На практике встречаются переходы типа р — р+ и п — п+. Особенность этих переходов заключается в том, что при подаче на них внешнего напряжения инжекция неосновных носителей незначительна (о влиянии инжекции неосновных носителей на характеристики полупроводниковых приборов см. § 1.10), поэтому они не обладают выпрямительными свойствами и используются при изготовлении омических контактов.

Функционально-интегрированное исполнение заключается в совмещении рабочих областей различных компонентов (активных и пассивных) в одной изолированной области. При этом один и тот же элемент (p-n-переход или диффузионная область) одновременно выполняет несколько различных функций (например, один и тот же р-/г-переход может одновременно выполнять функции коллектора в одном транзисторе и функции эмиттера в другом). Геометрию и взаимное расположение элементов конструкции (р-п-переходов, эпитаксиальных и диффузионных слоев, омических контактов и т.д.) выбирают таким образом, чтобы обеспечить необходимые токи и падения напряжения, т.е. правильное функционирование структуры в качестве логического элемента или элемента хранения двоичной информации.

пленка толщиной до 2 мкм; в некоторых случаях применяются сильнолегированные полоски кремния п+- илир+-типа с металлизацией омических контактов золотом или алюминием. Гибкость планарно-эпитаксиальной технологии позволяет использовать различные методы и приемы для повышения качества каждого элемента и интегральной схемы в целом.

водами анода и катода служат поверхности внешних слоев диска после металлизации омических контактов с последующим припаиванием вольфрамовых или молибденовых прокладок (для снятия тепловых и механических напряжений ).

Неточное соблюдение геометрических размере в образца ведет к отклонению формы эквипотенциальных поверхностей от плоских поверхностей, параллельных торцевым граням образца, и возникновению систематической погрешности. Искажеьие формы эквипотенциальных поверхностей и одномерного пространственного распределения линий тока имеет место в обоазце правильной геометрической формы вблизи омических контактов, если они неоднородны по площади. В предельном случае использования точечных токовых контактов эту погрешность можно свеет i к значению, не превышающему 0,5%, при следующих соотноше-шях геометрических размеров образца: а»ЗЬ, s^.a/2, b!2^.w^b, где a, b, w — длина, ширина и толщина образца. При этом потенциальные зонды следует располагать на расстоянии от торцевых граней образца, большем ЗЬ.

метода состоит (в том, что для его применения не требуется создания омических контактов к образцу, возможно измерение удельного сопротивления объемных образцов самой разнообразной формы и размеров, а также удельного сопротивления слоев полупроводниковых структур. Условием для его применения с точки зрения формы образца является наличие плоской поверхности, линейные размеры которой превосходят линейные размеры системы зондов. Теория метода. Рассмотрим теоретические основы четырехзон-

Использование метода тока Холла ограничено в связи с жесткими требованиями, предъявляемыми к качеству омических контактов. Кроме того, данный метод подвержен влиянию контактных шумов, что обусловлено проведением измерений на тех же контактах, через которые течет продольный ток образца. Это обстоятельство также предопределяет повышенные требования к однородности и сопротивлению контактов.

1 — разделительная диффузионная область. р+-типа; 2 — коллекторы транзисторсв (эпитаксиальный слой Vl-т.ипа); 3 — базы транзисторов р-типа; 4 — эмиттеры транзисторов rt-Ь-типа; 5 — высоколегированные п+-области для формирования омических контактов к коллекторным областям; 6 — области формирования барьеров Шотки, фиксирующих напряжения коллекторных переходов; 7 — области формирования диодов Шотки; 8 — резисторы на основе базовых областей р-типа; 9—.карман я-тила; 10 — высоколегированная /!+-область для подключения источника питания -1-с/ип к «-области кармана; 11—транзистор для формирования диода

инжекционные связи, повысить коэффициенты передачи токов /г-/?-п-транзисторов, снизить сопротивление для токов, протекающих в общей эмиттерной области, упростить процедуру выполнения омических контактов к л-области. В конструкциях, изготовляемых по изопланарной техно логии, промежутки между И2Л-структурами заполняются толстым слоем оксида. В промежутках между рядами и по периферии изолированной л-области остаются высоколегированные п+-области в качестве токоведущих шин. Перемычки п+-типа формируются в изолированных областях р-типа, которые должны быть заземлены для устранения транзисторного эффекта при экстракции дырок, инжектированных соседними р-областями при положительном напряжении.

Для выполнения омических контактов и межэлементных соединений в биполярных ИМС используются металлические

В цифровых ИМС, являющихся обычно маломощными, размеры каждой из областей транзистора стараются делать как можно меньшими. Однако площади р-и-переходов нельзя уменьшать беспредельно, поскольку минимальный размер этих областей ограничивается разрешающей способностью фотолитографии, т. е. возможностью получения минимального размера окна в маскирующем слое оксида. Современная технология изготовления ИМС позволяет получать ширину окна, составляющую примерно 3—4 мкм. Необходимо также учитывать, что геометрическая конфигурация той или иной области транзисторной структуры зависит от расположения омических контактов и допустимых зазоров на совмещение.