Окружающая температура

7.19. Упрощенная схема оконечного усилителя станции проводного вещания

Магнитофон выполнен на ИМС серии К237. Он состоит из универсального усилителя записи и воспроизведения на ИМС К237УНЗ, оконечного усилителя записи с выпрямителем для индикатора на ИМС К237ХКЗ, генератора стирания и подмагничивания со стабилизатором напряжения на ИМС К237ГС1. Усилитель НЧ выполнен на ИМС К237УН1 ( 3.7, а) по схеме с непосредственными связями и может использоваться совместно с бестрансформаторным усилителем мощности. ИМС 237.УН1 в диапазоне частот 0,06— —10 кГц имеет неравномерность частотной характеристики менее 6 дБ. Усилитель позволяет получить выходную мощность более 0,75 Вт при потребляемой мощности до 50 мВт.

(УН), также выполняемый по схеме дифференциального усилителя, работает в режиме миллиамперных токов и обладает значительным коэффициентом усиления. В УН осуществляется также сдвиг уровня усиливаемого сигнала на некоторое постоянное напряжение с целью согласования выхода этого каскада со входом оконечного усилителя мощности по постоянной составляющей тока. Выходной каскад является усилителем амплитуды сигнала (УА) и состоит из сочетания нескольких каскадов ОЭ, ОК, ОБ. В УА, потребляющем основную часть тока всего усилителя, окончательно формируется амплитуда выходного сигнала. Для обеспечения низкого выходного сопротивления последний каскад в УА выполняется по схеме ОК. Общий коэффициент усиления трехкаскадного ОУ может достигать 100 тыс. и более. Входные характеристики ОУ практически полностью определяются входными характеристиками дифференциального усилителя, а выходные — аналогичными показателями каскада по соответствующей схеме включения. Транзисторы ОУ в интегральном исполнении имеют биполярную структуру типа п-р-п.

Генератор импульсов ( VII. 16, б) состоит из предварительного усилителя, который усиливает первичный импульс, приходящий после фазовращателя, и подает его на формирователь импульсов. Последний (обычно блокинг-генератор, чаще всего, в «ждущем» режиме работы) генерирует на выходе вторичной импульс требуемой формы и продолжительности. Если мощность вторичного импульса недостаточна, то оконечный усилитель усиливает его до величины, обеспечивающей открытие тиристора. Узел выходных цепей согласовывает выход оконечного усилителя с входной цепью тиристора.

Канал горизонтального отклонения луча (канал X) состоит «3 генератора развертки, оконечного усилителя и устройств синхронизации и запуска развертки. Генератор развертки служит для формирования линейно-изменяющегося напряжения, поступающего через усилитель на горизонтальные пластины ЭЛТ и вызывающего отклонение луча по горизонтали. Генератор развертки может иметь три режима работы: автоколебательный, ждущий и одиночной развертки. Автоколебательный режим для наблюдения за сигналами с небольшой скважностью. 254

Для осуществления таких преобразований гетеродин Ге/ni обеспечивает для первого канала настройку в диапазоне частот 41 МГц — 70 МГц, а для второго — в диапазоне 1,615 — 2,6 МГц. Второй гетеродин Л?/и2 вырабатывает напряжение с частотой 38,4 МГц. Для работы в селективном режиме напряжение со смесителей См2 и См3 поступает на кварцевый фильтр, полоса пропускания которого меньше 1 кГц. В широкополосном режиме переключателем П кварцевый фильтр исключается из тракта и ширина полосы определяется усилителями УЯ?2 и УПЧ3. С выхода УПЧ^ сигнал поступает на преобразователь вольтметра средне-квадратического значения Пр и одновременно с индикацией его значения с выхода низкой частоты можно получить сигнал для прослушивания демодулирозанного сигнала. С оконечного усилителя ОУ снимается напряжение для автоматической подстройки частоты гетеродина Гет:. Погрешность установки частоты ± (0,02 + 3 кГц). Погрешность измерения 10—15 %. Предусмотрена калибровка микровольтметра с помощью генератора Гк (1 МГц, 10 мВ).

Канал горизонтального отклонения. Как следует из структурной схемы, канал горизонтального отклонения состоит из генератора развертки, оконечного усилителя и устройств синхронизации.

На 3.96 приведена простейшая схема оконечного усилителя, которая обеспечивает примерно такое же изменение тока базы силового транзистора, какое требует теоретическая кривая на 3.95. При положении переключателя S, показанном на рисунке, транзистор VT, включен, вследствие чего включен и транзистор VT2. Ис-

3.98. Схема оконечного усилителя для управления силовым МОП' тоанзистором

напряжение затвор — исток ?/з,и^+0,4 В. Такие параметры позволяют осуществлять управление силовым транзистором непосредственно от интегральных схем. На 3.97 показана схема управления на интегральной логической схеме, выполненной по К-МОП-тех-нологии. Чтобы обеспечить малое время включения силового МОП-транзистора, требуется кратковременный управляющий ток, прерывающий 100 мА. .Это следует из необходимости быстрого перезаряда внутренних емкостей транзистора. Поэтому для снижения потерь мощности при высокой частоте переключения для МОП-транзисторов требуются также достаточно мощные оконечные усилители, например по схеме, показанной на 3.98. Когда транзистор VT3 с помощью управляющего логического сигнала переводится во включенное состояние, транзистор VTi также включается. При этом положительное управляющее напряжение прикладывается через VT\ и R\ к затвору силового МОП-транзистора и последний включается. Когда транзистор VT3 переводится в выключенное состояние, запирается также и транзистор VT\, а транзистор VT2 включается. Вследствие этого затвор оказывается подключенным через /?2 и VT2 к истоку и МОП-транзистор оказывается запертым. Так как сопротивление Ri и /?2 малы {около 10 Ом), внутренние емкости силового транзистора быстро заряжаются или разряжаются через элементы схемы оконечного усилителя.

Важной добавочной функцией оконечного усилителя является защита силового транзистора. Из-за больших потерь мощности в транзисторе при перегрузках по току, когда транзистор выходит из режима насыщения, его перегрузочная способность оказывается значительно меньше, чем, например, тиристора. Поэтому защита должна обеспечивать быстрое выключение транзистора, находящегося в проводящем состоянии, при резком увеличении тока. Это можно осуществить путем контроля напряжения между коллектором и эмиттером силового транзистора и при выходе транзистора из насыщенного состояния обеспечить его выключение путем подачи через оконечный усилитель соответствующего сигнала на базу.

Сопротивление от жесткости подвижных концов талевого каната учитывается при выборе величины т), которую рекомендуется принимать равной 0,97 — 0,99, что для полиспастов с кратностью 8 — 10 приводит к значительным расхождениям значений т]т в расчетах различных организаций. На величину к. п. д. влияют состояние смазки, окружающая температура, загрязненность и т. д.

этого является то, что атом водорода одной молекулы притягивает к себе атомы кислорода соседних молекул. Такая связь называется водородной. Поэтому каждая молекула воды оказывается связанной с четырьмя соседними молекулами. Таким образом, все молекулы в воде оказываются связанными в единую пространственную сетку, напоминающую «пчелиный рой». Чем ниже окружающая температура, тем большее число молекул соединяется вместе. С ростом температуры энергия молекул увеличивается. В результате этого они могут разорвать водородную связь и существовать независимо друг от друга до тех пор, пока под действием той же водородной связи не присоединятся к другому «рою». Такие группировки (рои) растут за счет одиночных молекул, а распадаясь, увеличивают их число. Время, в течение которого молекула присоединяется к группировке, существует в ней и отделяется от нее, составляет около одной десятой миллиардной доли секунды.

Класс среды ияи помещения Окружающая температура Относительная влажность, % Особенности, характеризующие класс среды или помещения

где С и В—коэффициенты (для бумажных конденсаторов В«5000); t — окружающая температура, °С.

мальной области значений. Последние устанавливаются в стандартах или технических условиях на ИП данного типа. Под влияющими величинами понимаются физические величины, не являющиеся преобразуемыми данным ИП, но оказывающие влияние на результат преобразования входной величины. Например, окружающая температура может изменять сопротивления резисторов в схеме ИП и, таким образом, изменять его коэффициент преобразования; внешние электрические и магнитные поля создают помехи в цепях ИП, искажающие преобразуемую величину, и т. п.

входной величины в условиях переменной окружающей температуры. Если время работы ИП мало и окружающая температура за это время не успевает заметным образом измениться, то погрешность преобразователя, обусловленная действием окружающей температуры, в таком эксперименте будет постоянной и должна рассматриваться как систематическая погрешность. Если же ИП работает длительно и окружающая температура многократно колеблется относительно некоторого среднего значения, то погрешность ИП, обусловленная колебанием окружающей температуры, должна рассматриваться как случайная.

Выпрямленное напряжение, питающее спецаппаратуру, может изменяться не только вследствие колебаний напряжения сети переменного тока. Дестабилизирующими факторами могут быть также окружающая температура, частота напряжения сети, величина нагрузки и другие. Однако основные причины нестабильности — это обычно колебания входного напряжения и нагрузки, а для полупроводниковых стабилизаторов также изменение температуры окружающей среды.

Расчет управляющего транзистора. Этот расчет также выполняем, исходя из наихудших условий для получения минимального выходного напряжения. Такими условиями являются высокие напряжения 1/п=17В, 1/пор'=5В, (/СМ=ЗОВ, f/BX = 9 В, (УВЫХ = 2,5В; окружающая температура не влияет

влажность и агрессивность окружающей среды. Весьма существенны также уровень вибрации, окружающая температура, эксцентриситет и биение коллектора.

окружающая температура Оокр = 60° С, скорость потока охлаждающего воздуха шв = 0.

данных в виде графиков для всех групп элементов схем высокочастотных установок; аргументами служат коэффициент нагрузки элементов и окружающая температура.