Окончания испытаний

да в БР происходит асинхронно. Регистр передачи под воздействием тактов передающего распределителя ПерР в синхронном цикле вводит код знака в секции буфера Б, формирующего пакеты, емкость которого ограничена. Оператор следит за формированием пакета с помощью табло отображения. Длина телеграммы может быть произвольной. Если она меньше длины пакета, то последний будет дополняться «пустыми» знаками до N знаков устройством управления потоком. Заголовок пакета вводится с помощью специальных знаков управления. После окончания формирования пакета он считывается из буфера в направлении порта сети. Заметим, что вывод из буфера производится асинхронно по мере формирования пакетов. Возможен синхронный вывод. Для этого сформированный в буфере пакет переписывается в канальный буферный регистр КБР, и затем последний опрашивается синхронным сетевым тактом с интервалом Т.

После окончания формирования проверочных разрядов УЗО переходит в режим ожидания квитанции. При положительной квитанции («RR») УЗО сообщает буферу о готовности приема следующего пакета, при отрицательной «RNR» процессы кодирования и передачи повторяются. При такой реализации время кодирования меньше времени декодирования на время обработки одного байта, так что в дальнейшем можно принять ТККЯ = ТЯ«Л.

После окончания формирования импульса, когда транзистор Т1 вновь оказывается запертым, а транзистор Г2 насыщенным, напряжение на разрядившемся конденсаторе С} практически равно нулю. По второму закону Кирхгофа напряжение на левой обкладке конденсатора и катоде диода Д ыкат = (Удна "Ь Uct. Так как в рассматриваемый момент времени и напряжение С/дна на базе Т2, и напряжение t/c, на конденсаторе Q близки к нулю, то напряжение на левой обкладке конденсатора С4 относительно корпуса устройства, а следовательно, и напряжение на катоде диода Д также близки к нулю. Напряжение на коллекторе запертого транзистора Tlt т. е. на аноде диода Д, близко к —Е. Диод Д заперт практически всем напряжением источника питания и отключает коллектор TI от конденсатора Q. Восстановление напряжения на конденсаторе С1 происходит путем его заряда через резистор /?2. В течение всего времени восстановления коллектор Г( отключен от конденсатора С(.

Ждущий мультивибратор с уменьшенным временем восстановления. В схеме 6.61 время восстановления соответствовало длительности фронта импульса на коллекторе транзистора Т2. Поэтому сокращение времени восстановления помимо повышения допустимой частоты запуска мультивибратора приводит и к сокращению длительности среза импульса. Кроме того, сокращение времени восстановления позволяет уменьшить изменение длительности выходного импульса при работе в режиме малой скважности. Разработан ряд мер по сокращению времени восстановления ждущих мультивибраторов. Одной из таких мер является использование эмиттерного повторителя в цепи восстановления ( 6.70). При формировании выходного импульса конденсатор Cj разряжается через участок эмиттер — коллектор насыщенного транзистора TI, диод Д и резистор /?д2 на источник — Е. При этом диод Д смещен в прямом направлении и его прямое сопротивление очень мало. Формирование импульса происходит практически так же, как и в схеме 6.66. После окончания формирования импульса и лавинного переключения транзисторов начинается процесс восстановления напряжения. Конденсатор С1 заряжается через выходное сопротивление эмиттерного повторителя на транзисторе Т3 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2 ( 6.71). Учитывая, что транзистор TI заперт, из элементов, находящихся в базовой цепи Т3, можно учитывать только резистор /?щ. Он связывает базу Т3 с источником питания — ?, т. е. базовая цепь транзистора Т3 питается от источника — Е через резистор ^к). Используя гибридную Г-образную эквивалентную схему транзистора (см. § 3.3), нетрудно получить соотношение для выходного сопротивления эмиттерного повторителя: гвых = Аэ + (гб ~Ь Rr)!B, где /?г — выходное сопротивление источника сигналов, которые поступают на базу транзистора. В данном случае функцию RT выполняет /?К1, т. е. гвш=га + (r$ + RKi)/B3. Обычно сопротивление /?К1 превышает значения га и rg. С учетом допущений ra < RKi, rg < RKl можно счи-

Принципиальная схема автоколебательного мультивибратора на транзисторах разного типа электропроводности, в которой используются стабилизирующие свойства импульсного мостового элемента, изображена на 6.99. После включения и насыщения транзисторов времязадающая цепь мультивибратора принимает вид, показанный на 6.100, а. Считая по-прежнему Ci == С» = С; Ri — RZ = г, получим, что постоянная времени мостового элемента 6 = гс, а длительность выходного импульса, формируемого мультивибратором, т = 0,7гС. К моменту окончания формирования импульса напряжения на конденсаторах достигают максимального значения L/C тах = Е/2.

В момент окончания формирования выходного импульса ig = /ВЫкл,

ного транзистора Т\, диод Д и резистор Rfa на источник — Е. При этом диод Д смещен в прямом направлении и его прямое сопротивление очень мало. Формирование импульса происходит практически так же, как и в схеме 5.58. После окончания формирования импульса и лавинного переключения транзисторов начинается процесс восстановления напряжения. Времязадающий конденсатор Ct заряжается через выходное сопротивление эмиттерного повторителя на транзисторе Т3 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2 ( 5.68). Учитывая, что транзистор Тг заперт, из элементов, находящихся в базовой цепи Т3, можно учитывать только резистор RKi. Он сйязывает базу Т3 с источником питания — Е, т. е. базовая цепь транзистора Тз питается от источника — Е через RKi. Используя гибридную Т-образную эквивалентную схему транзистора, нетрудно получить соотношение для выходного сопротивления эмиттерного повторителя:

Один из вариантов такой схемы, называемой схемой с эмиттерным конденсатором, показан на 5.121. После включения источников питания —Е и + ЕЪ в схеме начинается процесс заряда конденсатора С от источника -\-Ея через резистор Кэ. Когда напряжение на конденсаторе превысит малую величину напряжения отсечки e0g, появляется прямой ток эмиттерного перехода транзистора Т, транзистор оказывается в активном режиме. Благодаря глубокой трансформаторной обратной связи между базовой и коллекторной цепями транзистора развивается лавинный процесс, завершающийся насыщением транзистора. После насыщения транзистора в процессе формирования вершины выходного импульса конденсатор разряжается эмиттерным током насыщенного транзистора Т на источник питания —Е. К моменту окончания формирования импульса напряжение на конденсаторе достигнет значения — t/cmax-

После окончания формирования импульса, когда транзистор Ti вновь оказывается запертым, а транзистор Г2 насыщенным, напряжение на разрядившемся

После включения и насыщения транзисторов времязадающая цепь мультивибратора принимает вид, показанный на 5.105, п. Считая по-прежнему Сц —С2--С и Ri — R«-=r, получим, что постоянная времени мостового элемента Q---rC, я длительность выходного импульса, формируемого мультивибратором, т--0,7гС. К моменту окончания формирования импульса напряжение на С, и Со достигает максимального значения Uc шах:-- Е/2.

30 м/с2 и частоте ударов 80...120 мин-1. Продолжительность испытаний— 1 ч для приборов I...IV групп и 2 ч — для приборов V...VII групп. После окончания испытаний проводят внешний осмотр приборов с целью выявления механических повреждений и ослабления креплений и измеряют требуемые характеристики.

Определение химической стойкости по изменению массы. Данный метод основан на определении изменения массы образца под воздействием заданного реагента при температурах 20, 40, 60, 80, 100, 125"Си далее с интервалом 25 °С. Продолжительность испытаний определяется временем, необходимым для установления сорб-ционного равновесия или нестойкости образцов пластмасс в данной среде. Промежуточные измерения массы производятся через 12, 24, 36, 48, 72, 96 и 120 ч, затем масса измеряется каждые 7 сут. После окончания испытаний масса образца может возрасти или уменьшиться. По конечному изменению массы (среднему для нескольких образцов) оценивают химическую стойкость материала.

и «отдыха», температура и т. д.) выбирают в зависимости от вида испытуемого материала. После окончания испытаний производят кондиционирование образцов и определяют их контролируемые параметры (стойкость к механическим воздействиям, холодостойкость и др.).

3. Определите условия окончания испытаний схемы при анализе вероятности выхода годных схем методом Монте-Карло, если допустимое относительное значение погрешности результата 10% при доверительной вероятности 0,9. Решение проведите двумя способами:

После проверки и регулирования отсоединенные провода восстанавливают согласно исполнительным монтажным схемам и указаниям § 10.4, подключают к шинкам сигнализации, управления и синхронизации; затем устанавливают плавкие вставки в предохранители и производят проверку взаимодействия элементов схемы подачей на них оперативного напряжения. Взаимодействие проверяется опробованием после окончания испытаний всех устройств вторичных цепей, в том числе защит и синхронизации, всех блокировок и т. п. совместно с выключателями, автоматическими выключателями (см. гл. 4 и 12).

таний изоляции повышенным напряжением. После окончания испытаний необходимо разрядить не только геометрическую емкость, но и нейтрализовать заряд абсорбции, для чего надо замкнуть электроды на продолжительное время (минуты).

При идеальном варианте автоматизированных испытаний заказчик сразу после окончания испытаний получает готовый протокол испытаний, содержащий наряду со стандартной текстовой частью цифровую и графическую, отражающую результаты испытаний. Поэтому в базе данных ЭВМ должны содержаться необходимые

Поскольку измерения сопротивления изоляции при рабочей температуре затруднительны (даже при измерении сразу после окончания испытаний на нагревание температура обмоток может существенно снизиться), допускается проведение измерений при более низкой температуре. При этом минимально допустимое сопротивление изоляции при температуре $ < Фраб следует определять по формуле

Испытания проводятся в следующем порядке: ревизия активной части, вспомогательные испытания и контрольные обмеры (определение сопротивления изоляции, потерь и напряжения короткого замыкания, потерь и тока холостого хода, обмеры для расчета фазных индуктивностей и поперечного поля рассеивания), наладочные и зачетные опыты короткого замыкания, вспомогательные испытания и контрольные обмеры после каждого зачетного опыта короткого замыкания, ревизия и разборка активной части после окончания испытаний.

После окончания испытаний приборы должны сохранить требуемые характеристики в пределах норм, указанных в технических условиях и стандартах на отдельные виды приборов.