Оказывает существенного

Диффузионные процессы при пайке позволяют увеличить прочность соединений, однако эрозия основного металла расплавленным припоем, образование интерметаллидов являются отрицательными свойствами, так как вызывают хрупкость соединений. В результате диффузии и растворения образуется следующая схема строения паяного шва ( 7.3). Ширина диффузионной зоны оказывает существенное влияние на прочность паяного соединения ( 7.4). Поэтому в каждом конкретном случае условия пайки должны быть подобраны таким образом, чтобы ширина диффузионной зоны находилась в пределах 0,9.. . 1,2 мкм.

травителя. Скорость травления оказывает существенное влияние на качество формируемых элементов ПП. При малых скоростях время пребывания платы в травителе увеличивается, что приводит к ухудшению диэлектрических свойств оснований и увеличению бокового подтравливания. Оно возникает вследствие того, что травитель воздействует не только на медную поверхность, подлежащую удалению, но и на боковые, не защищенные резистом, стороны проводников и других элементов схемы. В результате этого искажается прямоугольный профиль печатных проводников, уменьшается их токонесущая способность и прочность сцепления с диэлектриком. Величина бокового подтравливания оценивается фактором травления /C=S/a ( 9.13), который представляет собой отношение толщины фольги S к величине изменения ширины печатного проводника а. Уменьшают фактор травления введением в используемые растворы специальных добавок: ионы металлов с более низким потенциалом, чем у меди, например Ag, Hg, Pt, Pd, Au, оказывают каталитическое действие на процесс, а органические соединения (мочевина, аминотриазол, амиды и др.), адсор-бируясь на боковых поверхностях, ингибируют их растворение. Технологический процесс травления состоит из операций предварительной очистки меди, повышающей равномерность ее удале-. ния, непосредственно удаления меди с пробельных участков платы, очистки поверхности диэлектрика, осветления при необходимости поверхности металлорезиста и сушки.

Наличие переменной составляющей в общем комплексе нагрузок, действующих на элементы подъемной системы, даже при незначительной по сравнению со статической нагрузкой абсолютной величине обусловливает возможность развития явления усталости металла. Время неустановившихся режимов оказывает существенное влияние на среднюю скорость перемещения инструмента, а следовательно, и на производительность буровой установки.

Влияние входного патрубка насоса. Конструкция входного патрубка оказывает существенное влияние на распределение скоростей перед входом в рабочее колесо и вследствие этого может отразиться на КПД и навигационной характеристике насоса. Влияние входного патрубка особенно заметно сказывается на низконапорных насосах с высоким коэффициентом быстроходности.

Метод изготовления печатных плат оказывает существенное влияние на схемно-конструктивные и эксплуатационно-экономические характеристики плат. Выбор метода изготовления проводят уже на этапе эскизной компоновки приборов, в результате которой определяются габариты платы и плотность печатного монтажа.

В тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках протекают физические процессы, связанные с переносом носителей заряда. Процесс переноса (иначе называемый механизмом токопро-хождения) оказывает существенное влияние на свойства пленочных элементов и может быть исследован с помощью вольт-амперной характеристики. Рассмотрим более подробно механизмы токопро-хождения, имеющие место в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках.

Предварительный выбор электромагнитных нагрузок А, А/м, и б§, Тл, должен быть проведен особо тщательно, так как они определяют не только расчетную длину сердечника, но и в значительной степени характеристики машины. При этом, если главные размеры машины зависят от произведения АВ$ [см. (8.1)], то на характеристики двигателя оказывает существенное влияние также и соотношение между этими величинами. Рекомендации по выбору Аи В§, представленные в виде кривых на 8.22 — 8.24 для машин различных мощности и исполнения, основаны на данных изготовленных двигателей [11], характеристики которых удовлетворяют требованиям ГОСТ. На каждом из рисунков даются области их допустимых значений. При выборе конкретных значений А и Bft в пределах рекомендуемой области следует, руководствуясь приведенными выше замечаниями, учитывать требования технического задания к характеристикам проектируемого двигателя.

поля оказывает существенное влияние на концентрацию свободных электронов в приграничной области структуры. По аналогии с рассмотренными ранее случаями подача отрицательного напряжения на затвор вызывает обеднение канала вследствие отталкивания электрическим полем электронов в подложку. Более того, при некотором значении порогового напряжения ток стока почти прекращается, иначе говоря, наступает отсечка тока.

матора велико (Х^ » R^) и оказывает существенное влияние на процесс выпрямления. Рассмотрим влияние этого параметра для случая трехфазной схемы с нулевым выводом.

Маломощные полупроводниковые приборы изготовляют как в дискретном (отдельном), так и в интегральном исполнении, мощные (силовые) приборы — в дискретном исполнении. Технология изготовления, не изменяя общего характера процессов, протекающих в приборе, оказывает существенное влияние на его технические и эксплуатационные показатели.

Из (2.80) видно, что с возрастанием прямого смещения относительная доля тока рекомбинации в общем прямом токе быстро уменьшается, поэтому ток рекомбинации оказывает существенное влияние на ВАХ только на начальном участке (работа в микрорежиме). Из выражения (2.77) и 2.26 видно, что для прямой ветви ВАХ зависимость / ((/) идет весьма круто и получить нужный ток, задавая

Условия работы трансформаторов напряжения соответствуют работе силовых трансформаторов в режиме холостого хода. Индукции, допускаемые в сердечниках трансформаторов напряжения, значительно меньше индукций, допускаемых в сердечниках силовых трансформаторов, вследствие чего ток намагничивания трансформаторов напряжения весьма мал и не оказывает существенного влияния на точность измерения. Сердечники трансформаторов напряжения изготовляются из стали высокого качества.

Данный метод не позволяет оценить затухание треугольных колебаний. Но это не оказывает существенного влияния на результаты проверки выключателя, так как учитывается только первый период треугольных колебаний.

составлять лишь часть кинетической энергии И^о, запасаемой в роторе ЭДН на начало цикла, а потери энергии за один цикл вызывают незначительный нагрев его активных элементов. Энергия, передаваемая за Wt0, поэтому не оказывает существенного влияния на переходный процесс.

В [33] исследовано влияние нормативного срока окупаемости, расчетного коэффициента загрузки и расчетного числа часов нагружения в году на технико-экономические показатели асинхронных двигателей. Было установлено, что при изменении срока окупаемости в интервале четыре — восемь лет он не оказывает существенного влияния на расход материалов и электроэнергий.

резистору утечки сетки /?с. При большом значении сопротивления резистора 7?в, емкостное сопротивление конденсатора С, не оказывает существенного влияния на работу усилителя, и он хорошо пропускает все звуковые частоты. При уменьшении сопротивления #„

Рассмотрим процессы в блокинг-генераторе с помощью графиков ( 9.14, б). Пусть в начальный момент времени t = (0 конденсатор Ср заряжен до напряжения, превышающего напряжение запирания лампы U3. Анодный и сеточный токи отсутствуют, напряжение Uu на аноде лампы максимально и равно напряжению источника э. д. с. Еа. Конденсатор Ср разряжается через обмотку трансформатора и резистор утечки сетки Rc. Обычно постоянная времени RCCP сравнительно велика, поэтому разряд конденсатора происходит довольно медленно и индуктивность обмотки трансформатора не оказывает существенного влияния на этот процесс. В момент времени /х напряжение на конденсаторе уменьшается до напряжения отпирания лампы. С этого момента лампа начинает открываться и возникающий анодный ток вызывает э. д. с. в обмотке трансформатора, включенной в цепь сетки лампы. Так как обратная связь в схеме положительная, то эта э. д. с. обусловливает дальнейшее увеличение анодного тока лампы. В результате наступает лавинообразное нарастание анодного тока и сеточного напряжения, которое прекратится лишь после того, как сеточное напряжение станет положительным, а анодный и сеточный токи достигнут величины токов насыщения. Анодное напряжение, равное разности э. д. с. Еа и противо-э.д. с., индуктированной в первичной обмотке трансформатора анодным током, оказывается очень малым. В момент времени 4 сеточное напряжение достигает предельного значения, а сеточный ток становится сравнимым по величине с анодным током. После этого уменьшается как положительное напряжение на сетке, так и анодный ток. Сеточный ток также уменьшается, причем про-тиво-э. д. с. самоиндукции вторичной обмотки трансформатора замедляет процесс снижения анодного тока, поэтому в конце импульса анодный ток уменьшается скачком, т. е. задний фронт импульса анодного тока имеет малую длительность. Этот скачок приводит к резкому изменению магнитного потока трансформатора, сопровождающемуся «выбросом» напряжения на его обмотках. Сеточный ток лампы вызывает новый заряд конденсатора Ср, благодаря чему лампа снова запирается (момент времени 4). и процесс повторяется сначала. В нагрузочной обмотке трансформатора получается импульс напряжения и следующий непосредственно за ним обратный выброс напряжения, соответствующий моменту прекращения анодного тока. Длительность нарастания анодного тока измеряется десятыми долями микросекунды.

с увеличением Въ растет размер Лн. Большим значениям индукции в воздушном зазоре соответствуют большие значения МДС катушки. При неизменной длине катушки /к рост В& приводит к увеличению Лк. При малых значениях индукции падение МДС в стали не оказывает существенного влияния на МДС обмотки. Высота катушки с учетом падения МДС в стали мало отличается от Лк, полученной без учета стали. С ростом индукции в воздушном зазоре происходит насыщение участков магнитопровода, что ведет к увеличению падения МДС в стали и, следовательно, к резкому увеличению Лк. Зависимости hK = f(Be) рассчитаны для различных величин а и 1К, при этом ширина магнитопровода, равная 2а + 'к, оставалась постоянной. Как видно, с увеличением а высота катушки растет, причем большим значениям а соответствуют меньшие значения индукции в воздушном зазоре, при которых наступает насыщение стали. Это объясняется существенным влиянием потоков рассеяния, увеличивающихся с ростом hK и снижением /к на поток в основании и в стержнях.

Следует отметить, что изложенные ранее методы определения параметров полупроводников с помощью спектральных характеристик фотопроводимости получены на основе анализа фотопроводимости при выполнении условия электронейтральности как в объеме, так и на поверхности образца. Другими словами, при анализе предполагалось, что обязательно существующая вблизи поверхности образца область пространственного заряда не оказывает существенного влияния на рекомбинацию носителей заряда и фотопроводимость, а состояние поверхности можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации. Введение скорости поверхностной рекомбинации предполагает наличие квазиравновесия между носителями заряда на поверхности и в объеме полупроводника. Из анализа следует, что существование приповерхностных изгибов энергетических зон, значительно превышающих среднюю тепловую энергию носителей заряда, нарушает такое равновесие уже при низких интенсивностях процессов рекомбинации на поверхности. Это приводит к качественным изменениям характеристик фотопроводимости.

ция резисторов может быть произвольной, однако во всех случаях отношение длины резистора к его ширине должно быть согласовано с удельным сопротивлением материала исходного диффузионного слоя и обеспечено получение заданного номинала. Ширина резистора ограничивается разрешающей способностью фотолитографии. Высокоомные резисторы рекомендуется выполнять в виде параллельных полосок с перемычками между ними. Номинал резистора в этом случае будет выдержан более точно, чем для резистора изогнутой формы. Любой диффузионный резистор может пересекаться проводящей дорожкой, так как проведение металлизированного проводника по слою оксида кремния, покрывающему резистор, не оказывает существенного вредного влияния. Резисторы, у которых необходимо точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться в непосредственной близости друг от друга. Если ИМС содержит резисторы с большой рассеиваемой мощностью, то их следует располагать в периферийных областях кристалла.

~~ В переходном режиме электропривода одновременно и взаимосвязанно между собой действуют переходные механические, электромагнитные и тепловые процессы. При быстро протекающих процессах изменение теплового состояния электропривода в большинстве случаев не оказывает существенного влияния на другие процессы, поэтому в дальнейшем при изучении переходных режимов в электроприводах изменение теплового состояния двигателя не учитывается. В этом случае имеют в виду протекание только механических и электромагнитных переходных процессов, в совокупности называемых электромеханическим переходным процессом.

Диффузионная емкость не оказывает существенного влияния на работу р-и-перехода, так как она всегда зашунтирована малым прямым сопротивлением Ra Зависимости емкостей р-п-перехода от управляющего напряжения имеют вид, изображенный на 16.10.