Оказывается существенным

где значок * обозначает комплексно-сопряженную величину. Тогда мгновенная мощность p(t) оказывается связанной с комплексными амплитудами напряжения и тока:

этого является то, что атом водорода одной молекулы притягивает к себе атомы кислорода соседних молекул. Такая связь называется водородной. Поэтому каждая молекула воды оказывается связанной с четырьмя соседними молекулами. Таким образом, все молекулы в воде оказываются связанными в единую пространственную сетку, напоминающую «пчелиный рой». Чем ниже окружающая температура, тем большее число молекул соединяется вместе. С ростом температуры энергия молекул увеличивается. В результате этого они могут разорвать водородную связь и существовать независимо друг от друга до тех пор, пока под действием той же водородной связи не присоединятся к другому «рою». Такие группировки (рои) растут за счет одиночных молекул, а распадаясь, увеличивают их число. Время, в течение которого молекула присоединяется к группировке, существует в ней и отделяется от нее, составляет около одной десятой миллиардной доли секунды.

При "наличии сигналов 1 на всех входах элемента закрыты все эмиттерные переходы транзистора VI, а база транзистора V2 оказывается связанной через переход база — коллектор VI и резистор R1 с шинкой Еп. Благодаря этому V2 и V5 открыты и насыщены. На выходе схемы устанавливается низкое напряжение ^(О)вых- Транзистор V3 и диод V4 при этом закрыты, так как разность потенциалов между коллекторами V2 и V5 недостаточна для создания тока базы, необходимого для открытия V3. Этому способствует наличие диода V4, имеющего определенный порог напряжения открытия. .

линий включаются максимальные органы тока. На первом элементе (токоприемнике) они образуют максимальную токовую защиту без выдержки времени. Для того чтобы и другие защиты также могли работать без выдержки времени, каждая последующая из них выполняется так, что может срабатывать только при отсутствии блокирующего сигнала от предыдущей защиты, т. е. она оказывается связанной с последней логической операцией ЗАПРЕТ у —

Генератор содержит усилитель, охваченный частотно-зависимой обратной связью -у (/) с фазовым сдвигом 180°; при отсутствии остальных узлов эта часть цепи представляет собой разновидность Z-C-генератора. Выходное напряжение генератора изменяется по фазе на 90° и используется для питания модулятора; выходное напряжение модулятора в свою очередь усиливается и поступает на вход усилителя параллельно с сигналом обратной связи от частотно-зависимой цепи. На входе усилителя происходит суммирование токов, находящихся в разных фазах. Один из токов пропорционален входному напряжению, в результате частота оказывается связанной почти линейной зависимостью с этим напряжением. Полная схема этого генератора приведена в работе [Л. 224].

В проблемах надежности ЭЭС существенно то обстоятельство, что ЭЭС связаны с другими подсистемами народного хозяйства и прежде всего с системами энергоснабжающими, распределйющими и перераспределяющими различные виды энергоресурсов. Таким образом, надежность Э5'С оказывается связанной с надежностью сястем газонефтеуглеснабжения и т. д. Особенно тесные связи и взаимозависимость наблюдаются между ЭЭС и системами теплоснабжения, поскольку генерация ряда тепловых электростанций в значительной мере определяется режимом теплопотреб-ления.

конденсатора, плюс — на левой). После насыщения транзистора Т% правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыщенном транзисторе Га; напряжение на левой обкладке, равное t/m, приложено к базе 7j. Конденсатор C^ начинает разряжаться. Цепь его разрядки показана на 6.30. Разрядка осуществляется через две параллельные цепи: /?cl, а также через резистор R$t, источник смещения Яом и участок «коллектор — эмиттер» насыщенного транзистора 7V Постоянная времени цепи разрядки конденсатора С,

передается на базу Г2, вызывая его дальнейшее отпирание. Процесс переключения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзистора Т2. За это время напряжение на обкладках Сг практически не изменяется, остается близким к Е (минус на правой, плюс — на левой обкладке конденсатора). Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7\ и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг, Мультивибратор перешел во второе квази устойчивое состояние равновесия. В этом состоянии транзистор 7\ заперт, транзистор Т2 насыщен, конденсатор d разряжается через R6i на источник питания — Е, конденсатор С2 заряжается от источника питания — Е через RKi и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2.

запирания транзисторов правая (см. 6.92) обкладка конденсатора Ci через резистор rt оказывается связанной с корпусом устройства. Отрицательное напряжение на левой обкладке конденсатора С1( приложенное к базе Г1( запирает указанный транзистор. Аналогично, напряжение на конденсаторе С2 поддерживает в запертом состоянии транзистор Г2. Пренебрегая обратными токами запертых транзисторов, цепь разрядки времязадающих конденсаторов можно привести к виду, показанному на 6.93. Эта цепь имеет постоянную времени

Внешний импульс ывх(/) длительностью т = /пх запирает транзистор Tt, в результате чего запирающее напряжение — Еъ перестает подаваться на базу транзистора 7Y Так как база этого транзистора оказывается связанной через резистор R с источником питания +?, то в цепи базы Т2 появляется прямой ток, и транзистор переходит в активный режим работы. Напряжение на базе Tz имеет небольшое положительное значение Ц'ъч, близкое к напряжению отсечки входной характеристики транзистора еоб. Скачок напряжения на базе TZ, вызванный воздействием входного сигнала, равен \ЕЭ\ + ?/«• По второму закону Кирхгофа напряжение на коллекторе Tz после переключения UK2 = ll'62 4- Uco. Скачок напряжения на коллекторе f/K2 — ик2, вызванный переключением транзисторов, имеет то же значение, что и скачок напряжения на базе^ результате напряжение на коллекторе может превысить напряжение питания Е ( 8.16).

При подаче напряжения между истоком / и стоком 4* в полупроводниковой пленке возникают токи, ограниченные пространственным зарядом. С помощью затвора в пленке создается поперечное поле. В результате часть подвижных носителей оказывается связанной на поверхности пленки, а плотность подвижных носителей уменьшается. При подаче на затвор постоянного смещения и переменного сигнала прибор становится усилительным элементом.

В некоторых радиотехнических задачах, связанных с практикой измерений на СВЧ, оказывается существенным вопрос о виде функции, описывающей закон изменения фазы колебаний вдоль линии передачи. Обратимся к формуле (3.13) и представим ее так:

обработки на таких станках удается с определенной точностью придать заготовке такие формы и размеры, какими обладает модель или шаблон. В этих и аналогичных устройствах приходится затрачивать много времени на настройку станка. В условиях индивидуального и мелкосерийного производства это время оказывается существенным. Так, если речь идет о механической обработке деталей, то для того, чтобы просверлить несколько отверстий в двух-трех деталях, необходимо предварительно разметить местоположение этих отверстий от руки, а затем уже по этой разметке просверлить отверстия. То же самое приходится выполнять, если необходимо прорубить отверстия, например, в панели для крепления электрических аппаратов.

Для отражателей тока различие Р транзисторов не играет большой роли вследствие малости базового тока, тогда как различие t/*M оказывается существенным.

Интегральные микросхемы с диэлектрической изоляцией по многим параметрам превосходят микросхемы с изоляцией р-п-переходом. При изоляции поликристаллическим кремнием не образуются паразитные транзисторные структуры, влияние которых в ряде случаев оказывается существенным. При изопланарной и анизотропной изоляциях рабочие транзисторы изолируются от подложки р-п-переходом, который возникает между скрытым коллекторным слоем и подложкой. При этом из-за взаимодействия базовых областей транзисторов и скрытых слоев с подложкой образуются паразитные транзисторы. Однако эти транзисторы обладают сравнительно малым коэффициентом передачи тока, так как сильно легированный скрытый слой, являющийся базой паразитного транзистора, обладает низкими инжек-ционными свойствами, малым временем жизни носителей и большим временем пролета. При диэлектрической изоляции заметно уменьшаются токи утечки на подложку и паразитные емкости. Так, например, ток утечки для окисла толщиной 3 мкм составляет 60 нА/см2

В ряде схем оказывается существенным также влияние емкости между катодом и подогревателем Са к. Величина этой емкости для некоторых типов диодов указывается в справочнике.

В ряде схем оказывается существенным также влияние емкости между катодом и подогревателем Са к. Величина этой емкости для некоторых типов диодов указывается в справочнике.

или транзисторе), с другой — нелинейность их характеристик. Для вакуумного триода при сравнительно малом его внутреннем сопротивлении оказывается существенным влияние Яадоп, и наиболее выгодным для усиления мощности является условие ^в я^ 2г(.

4. Средний ущерб на один отказ - математическое ожидание ущерба, приходящегося на один отказ объекта энергетики. Вычисление этого показателя не представляет труда, если удается определить значение ущерба в случае отказа, характеризующегося определенной протяженностью во времени, значением характера функции ущерба в течение этого периода, а также рядом других существенных факторов. Однако трудность аналитического (или других форм априорного) определения ущерба от любого отказа определяется не только характеристиками рассматриваемого отказа, но и различными факторами последействия: оказывается существенным, на какой фазе производственного (технологического) процесса у потребителя произошел данный отказ, когда и какие отказы объекта энергетики наблюдались перед этим отказом и т.п.

Проявление кризиса теплообмена в змеевиках значительно отличается от такового в прямых трубах. Это объясняется отличием режимов потока за счет влияния кривизны. Переход к кризису на разных образующих трубы происходит при разных паросодержаниях. Критические паросодержания на разных образующих являются функциями массовой скорости и плотности теплового потока. При высоких массовых скоростях гравитационные эффекты малы, они существенны лишь при малых pay, для которых *кр имеет минимальное значение. Пузырьковое кипение оказывается существенным до х ж 1,0, что увеличивает <7кр- С увеличением радиуса закрутки змеевика критическое паросодержание изменяется.

В первой задаче выполнен расчет собственных колебаний сложной разветвленной трубопроводной системы ( 3.14) при различных схемах конечнозлементной аппроксимации, включающих в себя соответственно 37 узлов и 36 элементов и 78 узлов и 77 элементов. Рассчитывались первые 6 частот и форм собственных колебаний, две из которых вместе с расчетной схемой МКЭ приведены на том же рисунке. При этом оценивалось влияние подробностей сетки МКЭ и поперечного сдвига в трубопроводе на результаты расчета, которые сведены в табл. 3.6. Из таблицы следует, что учет сдвигов оказывается существенным для элементов с меньшими относительными размерами (сетка 2) и приводит к снижению, как это должно быть, более высоких частот собственных колебаний. Использование принципа вложенных сеток позволяет заключить о достаточной точности первой из двух схем конечно элементной аппроксимации. Исследования выполнены для следующих характеристик трубопровода. Температура протекающей в нем жидкости 270° С, коэффициент Пуассона для материала труб -0,3, модуль Юнга при температуре 300° С - 1,91 • 10s МП А, при 20° С -2,1 • 105МПА. Наружный диаметр тройника В на участке АВ - 0,46 м при толщине стенки 0,04 м, а на участке BF - соответственно 0,328 м и 0,024 м. Наружный диаметр тройника С — 0,475 м, толщина стенки 0,048 м. Наружный диаметр трубопроводной ветки BF - 0,325 м, толщина стенки — 0,019 м, на остальных участках трубы имеют наружный диаметр 0,426 м и толщину стенки 0,024 м. Остальные размеры и характеристики жесткостей опор приведены на 3.14. Решение этой задачи и других [48, 49] поют

Если же заземлитель имеет большую площадь, то зона растекания тока в значительной степени охватывает нижний подстилающий слой грунта и его влияние оказывается существенным.

Поскольку радиус кружка рассеяния при хроматических аберрациях определяется отношением u/U, этот вид ошибок изображения оказывается существенным при фокусировке медленных (ускоренных небольшой разностью потенциалов) электронов. Точно так же хроматическая аберрация приводит к заметному ухудшению четкости изображения при использовании электронных зеркал, так как в области отражения потенциал пространства близок к нулю и отношение ujU может стать весьма большим. В большинстве электроннолучевых приборов используются ускоряющие напряжения больше 1 кв. При этом хроматическая аберрация имеет относительно меньшее значение, поскольку величина u/U в случае применения оксидного катода с температурой 1000° К (еи«0,17 эв) оказывается меньше 10~3.