Оказывается достаточноОбычно синхронные двигатели СД имеют на своем валу возбудитель В в виде генератора постоянного тока параллельного возбуждения. При пуске по схеме 3.12, б обмотка возбуждения двигателя 0В замкнута контактами контактора К.В на разрядный резистор PP. После включения контактора Л под действием асинхронного момента, создаваемого пусковой обмоткой, двигатель СД разгоняется до подсинхронной частоты вращения. В конце асинхронного пуска срабатывает частотное реле, обмотка которого (на 3.12, б не показана), подключенная к резистору РР, включает контактор цепи возбуждения /CS. Последний своими контактами отключает разрядный резистор и подает постоянный ток в обмотку возбуждения двигателя. Если момент двигателя на этой частоте вращения при подключенном возбуждении (втягивающий момент) оказывается достаточным для ускорения привода до синхронной частоты вращения, двигатель втягивается в синхронизм и продолжает работать в синхронном режиме.
Свойство линейности и вытекающий отсюда принцип суперпозиции оказывают чрезвычайно большую пользу при решении задач о возбуждении линий передачи. Вместо рассмотрения практически неограниченного множества всевозможных конфигураций возбуждающих источников оказывается достаточным изучить небольшое число случаев, когда возбуждение производится источниками некоторого специального вида. Дальнейший этап связан с объединением элементарных источников таким образом, чтобы их результирующий вклад был равен эффекту от заданного реального источника. Подобный прием широко используется при математическом рассмотрении процессов в линейных системах. Примером может служить метод интеграла Дюамеля, применяемый для вычисления переходных процессов в линейных цепях.
насыщения БТ настолько мало, что его недостаточно для открывания нагрузочных транзисторов, базы которых подсоединены к коллектору этого транзистора. Кроме того, в режиме отсечки коллекторный ток БТ практически равен нулю. Эти два свойства БТ делают возможной работу в ключевом режиме, когда насыщенный управляющий транзистор закрывает нагрузочные транзисторы и, наоборот, когда управляющий транзистор в режиме отсечки открывает нагрузочные БТ. Большое различие в значениях коллекторных токов в открытом и закрытом состояниях оказывается достаточным для создания на нагрузке необходимого перепада логических уровней. Напряжение U0 выбирают равным остаточному напряжению транзистора в режиме насыщения f/кэв- В схеме, приведенной на 1.11, значения ?п и Ra выбирают из условий
В практических расчетах оказывается достаточным приближенное решение, когда F7 находится по (4.21) для некоторой средней расчетной напряженности Hz и расчетной высоты зубца hz, для которых справед-
При отсутствии синхронных двигателей на предприятии или недостаточной их мощности устройствами регулирования должны оснащаться конденсаторные установки. Регулирование генерируемой конденсаторными установками реактивной мощности можно вести только ступенями путем деления батарей на секции. Число секций этой установки выбирается в зависимости от характера графика потребления реактивной мощности. В большинстве случаев оказывается достаточным ограничиться тремя-четырьмя секциями. В табл. 8.3 приведены данные по комплектным конденсаторным установкам для силовых сетей напряжением 380 В.
Условие окончания итерационного процесса — отклонение значения магнитного потенциала в двух следующих друг за другом итерациях не должно превышать заданного уровня. Практически оказывается достаточным выполнить 3 — 4 итерации.
тательной воды оказывается достаточным для конденсации всего расхода пара последней ступени.
1) желательно обеспечить действие защиты на отключение во всем диапазоне возможных значений опасных токов обратной последовательности. Допускается действие на сигнал при малых значениях /2, когда в соответствии с (12.1) ^Доп оказывается достаточным (несколько минут) для принятия мер дежурным персоналом по ликвидации несимметричного режима;
ется так, чтобы была обеспечена отстройка от этих слагающих при максимальных токах нагрузки. При /С каналов. При этом понятие геометрического периметра каналов не всегда оказывается достаточным. Так, например, в гидравлических расчетах при определении гидравлического диаметра каналов применяется понятие смоченного периметра. Смоченным называется часть геометрического периметра, которая находится в контакте с циркулирующей в каналах средой. Отличие смоченного и эффективного периметров от геометрического иллюстрируется на 5-6. В практике охлаждения электрических машин понятия смоченных и геометрических периметров, как правило, тождественны, но в отдельных случаях они различаются ( 5-7).
Наиболее часто переключатели выполняют на основе халько-генидных стекол: на полированную пластинку графита осаждают в вакууме тонкий слой (несколько десятков — сотен микрометров) халькогенидного стекла, поверх которого наносится тонкий слой металла. Полученная таким образом трехслойная структура имеет вольт-амперную характеристику, подобную приведенной на 20, г (характеристика симметрична, на рисунке приведена только правая часть). При подключении источника питания к графитовому и металлическому слоям через слой полупроводника начинает протекать ток, плавно увеличивающийся по мере увеличения приложенного напряжения. При достижении некоторого напряжения ?/вкл ток резко возрастает — происходит так называемый тепловой пробой, при котором выделяющееся в слое полупроводника тепло оказывается достаточным для возбуждения валентных электронов атомов полупроводника и превращения их в электроны проводимости. При уменьшении тока, проходящего через прибор, до значения /ВЫКл происходит его выключение, поскольку выделяющееся в слое полупроводника тепло оказывается недостаточным для термоионизационных процессов; число электронов проводимости резко уменьшается и проводимость резко падает. Включение-выключение переключателя происходит весьма быстро (10~в—10~7 с), что позволяет использовать его на частотах в единицы — десятки мегагерц.
амплитудно-частотного спектра отложены относительные значения постоянной составляющей, амплитуды основной и высших гармоник. Иногда этой диаграммы оказывается достаточно для характеристики несинусоидальной величины, так как для некоторых устройств существенным является лишь спектральный состав по амплитудам.
Как видно из 3.15, при еоответвтвующем выборе магнитного режима (Вто и Нк) статическая характеристика усилителя оказывается достаточно стабильной по отношению к колебаниям параметров питаю щего напряжения (U, f) и сопротивления нагрузки. Эта стабильность характеристики, особенно значительная при использовании магнитных материалов с высокой магнитной проницаемостью, позволяет применять для повышения коэффициента усиления и быстродействия магнитных усилителей обратную связь.
Так, например, основной модуль центрального процессора предназначается для работы в режиме логических и арифметических операций с фиксированной запятой, с программной реализацией умножения, деления и операций с плавающей запятой. Во многих случаях этого оказывается достаточно. В том случае, когда быстродействие системы для какого-либо конкретного применения оказывается недостаточным (в программе много операций умножения и деления, или диапазон величины данных достаточно широк и необходимо проводить вычисления в режиме с плавающей запятой), то к основному блоку ЦП, к его АУ подсоединяется дополнительный блок, схемно обеспечивающий выполнение приведенных выше функций в десять раз быстрее. Центральный процессор получается сложнее, дороже, но с большими возможностями.
Коэффициент оптического поглощения пленок «-Si : Н при большей энергии фотонов резко возрастает, так как эта энергия становится сравнимой с шириной запрещенной зоны материала. Следовательно, энергии оказывается достаточно для перевода электронов из валентной зоны в зону проводимости. Такой перевод электронов означает также увеличение концентрации как свободных электронов в зоне проводимости, так и дырок в валентной зоне, что ведет, как известно, к росту электропроводности материала.
Пассивирующий слбй может обеспечить настолько надежную защиту, что спрессованная пластмассой микросхема оказывается достаточно устойчивой к воздействию внешней среды. Примером могут служить
При укладке в сыпной обмотки круглые проводники не имеют заранее определенного места в пазу и ршмещаются в нем произвольно. Поэтому в обмотке специальная виткоьая изоляция отсутствует. Ее функцию выполняет изоляция обмоточного провода, т.е. проводниковая изоляция. Обмотку из круглого провода применяют в машинах небольшой мощности, имеющих малые габариты и большое число витков, напряжение между витками обмотки которых, как правило, не превышает нескольких вольт. Электрической прочности проводниковой изоляции в таких обмотках оказывается достаточно для обеспечения надежной работы машины.
питании анодный контур приходится шунтировать блокировочным конденсатором, обладающим недостаточной стабильностью параметров. Смещение на сетке получается за счет постоянной составляющей сеточного тока, создающей падение напряжения на резисторе Rf. Этот резистор шунтирует кварц и, следовательно, до некоторой степени снижает его добротность, т. е. ухудшает стабильность схемы. Связь между сеточным контуром (пластиной кварца) и анодным контуром LC осуществляется через проходную емкость лампы Сса. Этой связи оказывается достаточно для выполнения условий самовозбуждения.
му значения разрядов кодового слова из множества Н*% могут быть сформированы на выходах любой из ПЛМ. Вместо формирования на выходах каждой ПЛМ всех R разрядов оказывается достаточно сформировать лишь разряды из множества Н\, максимальное число которых равно р\. Очевидно, что для двух различных состояний, входящих в множество А (а,п), ат ? At, кодовые слова, •разрядами которых являются элементы множества Н\ , должны быть ортогональны. Поэтому минимальное число разрядов, требуемых для формирования на выходах t-й ПЛМ (для реализации функций возбуждения), равно р/ =
В (9.14) принято, что сопротивление открытого диода V5 близко-к нулю. В действительности же при малых значениях тока это сопротивление оказывается достаточно большим, т. е. реальное зна-чение froT окажется несколько большим определенного из (9.14). При выборе типа транзистора V7 в соответствии с (9.13) может оказаться, что из выпускаемых в данный момент времени транзисторов наибольшее значение р7//к.<>7 будет у транзистора типа п-р-п, например КТ342. В этом случае можно выполнить элемент выдержки времени по схеме 9.3. До запуска элемента транзисторы V4, V8 и VII закрыты, a V12 открыт. С момента начала отсчета выдержки времени открывается транзистор V4, а по истечении выдержки времени открываются транзисторы V8 и Vll, a V12 закрывается. В остальном по принципу действия схема не отличается от схемы на 9.1.
К таким средствам относятся подвижные отражатели (диссекторы) и подвод СВЧ-энергии через несколько элементов связи. Если для^возбуждения резонатора использовать два ввода СВЧ-энергии со сдвигом поляризации питающих волн на 90°, то число типов колебаний почти удваивается и равномерность результирующего поля оказывается достаточно высокой [28]. Недостатки такого способа повышения равномерности поля заключаются в необходимости использования двух магнетронов, в сложности согласования и выравнивания нагрузки магнетронов.
В результате, как следует из рассмотрения схемы, защита оказывается достаточно сложной, ее выполнение на электромеханической элементной базе практически невозможно. Однако, будучи выполненной на современной микроэлектронной базе, она оказывается достаточно компактной и вполне приемлемой для эксплуатации.
Похожие определения: Обеспечения самозапуска Оказывает существенного Оказываются открытыми Оказываются включенными Оказывают воздействие Оказаться целесообразными Оказаться соизмеримыми
|