Ограничивается величиной

Вентильные разрядники содержат многократный искровой промежуток и рабочее сопротивление из дисков вилита, отсоединяющее этот промежуток от сети при нормальном режиме. Под действием перенапряжения происходит импульсный пробой искрового промежутка и через рабочее сопротивление течет на землю импульсный ток. После импульсного пробоя через разрядник начинает протекать сопровождающий ток промышленной частоты, сила которого ограничивается сопротивлением вилита. Последнее сильно возрастает при снижении напряжения и уменьшает сопровождающий ток до такого значения, при котором ток прерывается искровым промежутком при первом переходе через нулевое значение. При больших значениях тока, соответствующих импульсному пробою, сопротивление вилита гр мало, и, несмотря на большое значение тока /, остающееся напряжение на разряднике f/p = /rp невелико и может быть сделано таким, чтобы не превышало допустимого для защищаемого оборудования.

Схема включения четырехэлектродного тиратрона приведена на 8.19,6. Положительный потенциал на сетке Cj формирует начальную стадию разряда. Ток на стадии подготовительного разряда ограничивается сопротивлением R j. Сетка С^ в этот момент находится под потенциалом, несколько меньшим, чем первая, поэтому между сетками существует тормозящее поле,

на транзисторе. Поэтому с увеличением коллекторного тока потенциал коллектора (точка А на 3.28) снижается и становится меньше потенциала базы (точка Б на 3.28). При UK < U6 коллекторный переход открывается и транзистор переходит в режим двойной инжекции. Инжекция из коллектора начинает препятствовать возрастанию коллекторного тока, и он далее остается практически неизменным ( 3.29, б). Такой максимальный ток коллектора называют током насыщения /к.„, а режим двойной инжекции, свойственный открытому состоянию транзисторного ключа, режимом насыщения транзистора. Внешним проявлением режима насыщения в схеме ОЭ является неизменность тока коллектора при изменении тока базы. В режиме насыщения ток коллектора ограничивается сопротивлением нагрузки RH, объемный заряд неравновесных носителей в базе в ре-

Поскольку при замыкании ключа ток ограничивается сопротивлением Кзам, постоянная времени цепи равна Т3= КзамС= 2 мс. Из выражения (7.9) следует, что:

полностью скомпенсировано, концентрации электронов в эмит-терной и базовой областях практически равны и ток коллектора достигает максимального значения. При этом ток базы также максимален (и ограничивается сопротивлением R5), так как чем больше концентрация электронов в базовой области, тем большее число их рекомбинирует с дырками и тем больший ток должен отбираться от батареи ?б для восполнения рекомбинирующих дырок. Однако обычно ток базы во много раз меньше тока коллектора.

В точке г напряжение и ток соответствуют напряжению в открытом состоянии тиристора t/OT1(p и току удержания /уд в открытом состоянии (при котором ai + a2=l). В этом режиме напряжение на структуре тиристора складывается из трех напряжений: напряжений прямо включенных эмиттерных переходов (7,i и иэ%, а также коллекторного напряжения ?/кб условных транзисторов, находящихся в насыщении. Следует обратить внимание на то, что в р>ежиме насыщения ?/Кб меняет свой знак относительно напряжения, питающего коллекторную цепь, т. е. ?/Кб>0, а напряжения на эмиттер-ных переходах возрастают в такой мере, что t/a = t/3i + U3y.—t/кб-Ei таком состоянии тиристор обладает очень малым сопротивлением (как два прямо включенных выпрямительных диода — участок г—д 6.2.), а его ток ограничивается сопротивлением резистора.

Сильное электрическое поле, созданное в газовой среде, вызовет ионизацию газа толчком (ударом). Электрические заряды, которые всегда в небольшом количестве содержатся в газе, ускоряются и накапливают кинетическую энергию ти2наи6/2, достаточную для ионизации нейтральной молекулы (отщепления свободного электрона). Вновь полученные электрические заряды в :вою очередь ионизируют нейтральные молекулы газа; процесс образования ионов развивается лавинообразно. Пространство между электродами оказывается заполненным ионизированным газом, который содержит нейтральные молекулы и одинаковое количество положительно и отрицательно заряженных частиц вещества, т. е. между электродами образуется газоразрядная плазма. Вещество, находящееся в состоянии плазмы, обладает очень хорошей электропроводностью, которая сильно возрастает при повышении температуры. Величина тока в этом случае ограничивается сопротивлением гб ( 4-10), включенным последовательно с газовым промежутком.

Ток, проходящий по каналу дуги, ограничивается сопротивлением поверхности изолятора. Поверхностное электрическое сопротивление гладкого стержневого изолятора диаметром d с длиной пути тока утечки Ly и толщиной слоя загрязнения А равно

Ток в канале дуги ограничивается сопротивлением оставшегося

Это максимально возможная величина входного сопротивления в схеме с ОК. Достижение таких высоких значений RBI затруднено, так как рост /?эн требует увеличения Ек. Кроме того, величина входного сопротивления ограничивается сопротивлением /?б в цепи •базы.

Мощность, рассеиваемая в образце, помещенном в линию передачи, пропорциональна квадрату напряженности электрического поля (геометрической сумме падающей и отраженной волн). Таким образом, подобные преобразователи могут быть применены для измерения импульсной (пиковой) проходящей мощности. Длительность импульсов измеряемого сигнала ограничивается сопротивлением растекания и паразитными емкостями полупроводникового преобразователя. Практически метод применим при длительности импульсов выше 0,05 икс. Влияние несогласованной нагрузки сказывается так же, как и в случае других зондовых квадратичных преобразователей. Погрешность рассогласования описывается формулами (6.5), (6.6), (6.13), (6.14).

Второй источник погрешности — искажения изображения при проекционной и контактной фотопечати. Основное ограничение связано здесь с дифракцией света. Решающая способность при пересъеме ограничивается величиной 0,61 X, так что при длине волны воздействующего света К е* 400 нм достижимо разрешение 0,25 мкм.

При большом сопротивлении участка база—эмиттер — земля начинает сказываться шунтирующее действие участка база—коллектор, и входное сопротивление ограничивается величиной гК1.

Допустимое обратное напряжение на переходе управляющий электрод — катод (УЭ—К) тиристора ограничивается величиной 0,5—1 В. В данной схеме приложение обратного напряжения к этому переходу исключается благодаря диоду V3. Диод VI исключает возможность повышения напряжения на переходе эмиттер— коллектор транзистора при его закрытии (2]. Резистор R3 ограничивает ток через переход УЭ—К, а резистор R4 с сопротивлением 51 Ом предотвращает ложное включение тиристора при действии помех.

Для латуни температура разливки составляет примерно 1050 °С, а удельная мощность в каналах ограничивается величиной (50— 60)- 10е Вт/м3. При большей удельной мощности возникает так называемая цинковая пульсация, состоящая в периодическом прерывании тока в каналах. Причина этого заключается в том, что цинк, температура кипения которого равна 916 °С, при плавке латуни вскипает в каналах. Пары цинка в виде пузырьков поднимаются к устьям каналов, где конденсируются, соприкасаясь с более холодным металлом. Наличие пузырьков приводит к уменьшению рабочего сечения канала, возрастанию плотности тока в нем и увеличению сил электродинамического обжатия металла в канале магнитным полем собственного тока. При удельной мощности, превосходящей вышеуказанную, кипение цинка происходит настолько интенсивно, что рабочее сечение канала существенно сокращается, электродинамическое давление превосходит гидростатическое давление столба металла над каналом, вследствие чего металл оказывается пережатым и ток прекращается. После разрыва тока электродинамические силы исчезают, пузырьки всплывают, после чего прохождение тока возобновляется. Разрывы тока происходят 2—3 раза в секунду, нарушая нормальную работу печи.

Генераторный режим используют практически только для торможения механизмов, приводимых во вращение асинхронными двигателями. Этот способ торможения называют рекуперативным. Типичный пример — спуск груза краном, когда двигатель включается согласное направлением спуска и скорость перемещения груза ограничивается величиной, близкой к nlt а энергия, запасенная грузом, отдается в сеть.

При коротком замыкании выходного зажима двухтактного эмиттерного повторителя на общую шину (или шину одного из источников питания) через один из транзисторов начнет протекать большой ток (ограничиваемый лишь выходным сопротивлением), вызывающий его перегорание, поэтому необходимо принимать специальные меры по защите выходных каскадов микросхем от короткого замыкания. Для этого применяют резисторы-ограничители Rl, R2 (см. 12.12, в) в сочетании с защитными биполярными транзисторами VT3, VT4. В нормальном режиме работы VT3 и VT4 закрыты. При недопустимо большом увеличении тока через VT1 (или VT2) один из них открывается. Через открытый защитный транзистор ответвляется часть базового тока транзистора VT1 (или VT2), так что напряжение на резисторе R1 (или R2) не превышает напряжения ?/БЭ защитного транзистора, а выходной ток каскада ограничивается величиной

5. Так как возрастание скорости вращения ротора происходит по прямой се, а нижний предел колебаний пускового момента ограничивается величиной Ммин, то первая секция пускового реостата в цепи ротора г\ выключается в точке /. После этого пусковой момент вновь возрастает до величины Ммакс и зависимость между вращающим моментом и скоростью вращения электродвигателя будет характеризовать характеристика ет, соответствующая меньшему сопротивлению в фазах обмотки ротора (/?2 — rj.

ска и частота вращения л2 ограничивается величиной, близкой к Пь а энергия, запасаемая грузом, отдается в сеть.

герных повторителей. Причем и в данной ИМС, так же как и в ЭСЛ [см. (7.26)], размах логического сигнала Д1/лог ограничивается величиной иёэ сд.

В уравнении (2.3) не учитывается влияние минимума потенциала в пространстве анод — катод и начальных скоростей электронов, эмиттируемых катодом. Кроме того, максимальный ток диода ограничивается величиной полной электронной эмиссии катода. Поэтому кривая, графически изображающая реальную зависимость анодного тока от анодного напряжения, называемая вольт-амперной характеристикой диода, несколько отличается от теоретической. На 2.3 изображены теоретическая характеристика диода типа 6Х2П, представляющая, согласно закону степени 3/2, полукубическую параболу (кривая /), и его реальная характеристика (кривая 2).

транзистор насыщается, потенциал коллектора фиксируется на уровне UKn, а напряжение на нагрузке ограничивается величиной Ек — ?/„ „.