Ограниченного источника

Синхронные машины широко используют в качестве генераторов в передвижных и стационарных установках. В качестве двигателей они имеют ограниченное распространение при мощности свыше 100 кВт, хотя обладают преимуществами перед асинхронными в том, что.могут работать как с коэффициентом мощности, равным единице, так и с опережающим, но стоимость их выше, а эксплуатация несколько сложнее.

Синхронные машины Широко используют в качестве генераторов в передвижных и стационарных установках. В качестве двигателей они имеют ограниченное распространение при мощности свыше 100 кВт, хотя обладают преимуществами перед асинхронными в том, что могут работать как с коэффициентом мощности, равным единице, так и с опережающим, но стоимость их выше, а эксплуатация несколько сложнее^

лым отверстием. Импульс напряжения, приложенный к бланкирующим пластинам, отклоняет луч за пределы диафрагмы, и экран затемняется; плотность луча при этом не изменяется. Такой способ применяется в осциллографах со сравнительно узкой полосой пропускания и имеет ограниченное распространение.

му ограниченное распространение (на заводах, где можно изготавливать сетки из собственных проволоч-

Поскольку магнитный поток замыкается по стенкам полого магнитного ротора, в двигателе с таким ротором нет необходимости во внутреннем статоре. Этим он выгодно отличается от двигателя с полым немагнитным ротором (см. далее следующий параграф). Однако из-за довольно низкого КПД и cos ф, а.также других недостатков двигатели с полым магнитным ротором имеют ограниченное распространение.

Регулирование частоты вращения двигателя производится изменением положения щеток с помощью механизма поворота щеток. Двигатель последовательного возбуждения имеет весьма ограниченное распространение за рубежом и применяется в приводах, в которых момент существенно зависит от частоты вращения (вентиляторы, центробежные насосы и т. п.). Пределы регулирования «астоты вращения двигателя могут достигать 4:1.

Другие способы скрепления сердечников, в частности склеиванием, рельефной сваркой, болтами, получили ограниченное распространение из-за большой трудоемкости и высокой стоимости в условиях массового производства.

Удельная емкость конденсаторов на основе анодированного тантала может быть значительной (0,1—0,2 мкФ/см2), tgi6 = ==0,01 (1 кГц), ?пр=(1-1-1,5)-10е В/см, ТКЕ= (2-5-3) .,10-* 1/°С. Однако частотный предел этих элементов ограничивается диапазоном 0,1 —1,0 МГц вследствие 'большого удельного поверхностного сопротивления танталовых пленок. Танталовые конденсаторы получили ограниченное распространение из-за малой устойчивости к катастрофическим отказам, особенно в условиях повышенной влажности. Конденсаторы «а основе анодированного титана обладают еще большими значениями диэлектрической проницаемости и удельной емкости, однако их устойчивость к катастрофическим отказам еще ниже, чем у конденсаторов на основе анодированного тантала.

Электрические сети промышленных предприятий выполняются внутренними (цеховыми) и наружными. Наружные сети напряжением до 1 кВ имеют весьма ограниченное распространение, так как на современных промышленных предприятиях электропитание цеховых нагрузок производится от внутрицеховых встроенных или пристроенных трансформаторных подстанций.

В СССР на металлургических заводах аккумуляторы получили ограниченное распространение, в основном для выравнивания приходов пара от котлов—охладителей газов сталеплавильных конвертеров, у которых перерывы между продувками составляют обычно 30—15 мин.

одновременном нагреве получил название горячего прессования. В нем совмещаются операции прессования и спекания материала. Этот метод имеет ограниченное распространение, и применяют его для получения изделий с высокой плотностью из тех материалов, которые при обычном спекании (<без давления) не образуют плотного тела. К таким материалам относятся карбиды кремния и бора, нитрид бора и др. Однако иногда горячее прессование применяют для изготовления керметов, оксидной и других видов керамики.

2. Диффузия из ограниченного источника. Условия, налагаемые на процесс диффузии, в этом случае сводятся к тому, что полное количество атомов примеси, участвующих в диффузии на протяжении всего процесса, остается постоянным. Поэтому процесс сводится к перераспределению определенного количества атомов примеси в объеме полупроводника. Достигается это введением некоторого количества диффузанта на поверхность и в тонкий приповерхностный объем полупроводника, это называют «загонкой» примеси. После этого подложки прогреваются без введения дополнительно примеси, происходит перераспределение диффузанта и проникновение его в глубь подложки. Этот этап процесса называется «разгонкой» примеси. При этом, естественно, концентрация примеси у поверхности убывает.

ограниченного источника ВЗЯ. На 2.4 ПОКЗЗЗНО

Более точную математическую модель, описывающую стадию разгонки при малой длительности процесса, можно построить исходя из предположения, что диффузия осуществляется из ограниченного источника конечной толщины /г с однородной концентрацией примесных атомов, равной поверхностной концентрации

Наибольший практический интерес представляет вычисление барьерной емкости реальных p-n-переходов, формируемых методами диффузии. При диффузии из ограниченного источника плотность объемного заряда

а при диффузии из неограниченного источника

Обеднение поверхностных слоев примесями ( 5.16) может наблюдаться при диффузии в течение длительного времени из ограниченного источника. Такой же эффект можно наблюдать во время термической обработки кристаллов с диффузионными слоями, сформированными при использовании неограниченного постоянного источника. Обеднение поверхностных слоев примесями может происходить вследствие их испарения с поверхности.

Решение уравнения (1.3) для неограниченного источника представляет собой дополнение функции ошибок

Решением уравнения диффузии (1.3) для случая ограниченного источника является функция распределения Гаусса

В производстве ИМС реализуются оба случая диффузии. Диффузия из неограниченного источника представляет собой первый этап диффузии, в результате которого в полупроводник вводится определенное количество примеси. Этот процесс называют загонкой примеси.

Для создания заданного распределения примесей в глубине и на поверхности полупроводника проводится второй этап диффузии из ограниченного источника. Этот процесс называется разгонкой примеси.

Резистивный слой р получен в результате локальной диффузии из ограниченного источника. Для случая диффузии из ограниченного источника: