Однородного проводника

Рассмотрим в качестве примера магнитное поле в сечении замкнутого кольцевого магнитопровода из однородного материала ( 6.5). Линии магнитной индукции в кольце из любого материала при равномерном распределении витков представляют собой концентрические окружности. Выбрав за контур интегрирования линию магнитной индукции с радиусом р, получим

Активное сопротивление демпферной (пусковой) клетки при равномерном распределении стержней из однородного материала по продольной оси

ной концентрации носителей заряда, не всегда справедливо. Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром — для ион-но-легированных слоев.

Рассмотрим в качестве примера магнитное поле в сечении замкнутого кольцевого магнитонровода из однородного материала ( 6.5). Линии магнитной индукции в кольце из любого материала при равномерном распределении витков представляют собой концентрические окружности. Выбрав за контур интегрирования линию магнитной индукции с радиусом р, получим

Рассмотрим случай, когда магнитная цепь представляет собой кольцевой сердечник (тор), имеющий один небольшой воздушный зазор. Остальная часть цепи имеет одинаковое сечение и состоит из однородного материала.

Выше приведены выражения для сопротивления и закона Ома для отдельных участков магнитной цепи, имеющих постоянное сечение вдоль длины и изготовленных из однородного материала. Если замкнутая магнитная цепь состоит из участков, имеющих разное сечение или выполненных из разных материалов, то, как и в случае замкнутой электрической цепи, для которой

Стенки трубопровода являются упругими, а вода сжимаемой. В этих условиях процесс гидравлического удара можно представить в таком виде. При закрытии затвора в конце трубопровода вследствие уменьшения скорости течения воды повышается давление. От этого происходит некоторое расширение упругой трубы на участке повышенного давления до сечения 1—/ ( 19-5), плотность воды на этом участке увеличивается. В освободившийся объем через сечени; /—/ вольется движущаяся в трубе вода. Затем остановятся ближайшие к сечению слои воды, давление их повысится и область расширения трубы увеличится, переместившись против течения. В любой момент t труба разделена граничным сечением на две области: уже охваченную повышением давления и расширенную и остальную часть трубы, где сохраняются еще первоначальные скорость течения и давление воды. Эта граница, называемая фронтом волны удара, перемещается вверх по трубе со скоростью с, которая, как доказывается в курсах гидравлики, в случае тонкостенной трубы с диаметром D и mr шиной стенки 6 из однородного материала определяется так:

Рассмотрим горизонтальный трубопровод из однородного материала одинакового сечения f на всей его длине L. Ось х направим по оси трубопровода влево от затвора ( 19-5). При открытом затворе и установившемся движении воды давление в трубопроводе обозначим Ро и скорость течения воды v0. В момент t0 затвор начал быстро закрываться, давление перед ним стало повышаться, и волна повышения давления начала распространяться по трубопроводу со скоэостью с, м/с. Предположим, что в момент t\~>t0 волна повышения давления достигла сечения 1 — /. Тогда на участке 0 — / будет существовать повышенное давление р0 + Др, а скорость течения воды будет отличаться от i»o, т. е. будет равна и==и0 + Ао. Если площадь сечения трубопровода при давлении р0 была f, а вес единицы объема воды у, то теперь при повышенном давлении вес единицы объема воды и площадь сечения увеличиваются и станут равны у + Ду и f + Af- В остальное: части трубы они пока остаются неизменными. Через промежуток времени Д^ = ^2 — 1\ повышение давления, распространяясь со скоростью с, достигнет сечения 2 — 2, пройдя путь Дд: = сД?. Справа по сечению / — 1 на массу воды в отрезке 1 — 2 действует давление р04-Др на площади f + A/, а слева в сечении 2 — 2 действует давление р0 на площади / и реакция кольцевого уступа расширенной трубы, вызываемая давлением Ро + Ар на площади А/.

в) провода линии были выполнены из идеально однородного материала;

Активное сопротивление демпферной (пусковой) клетки при равномерном распределении стержней из однородного материала по продольной оси

На 7.23 приведены некоторые схемы компенсации напряжения неэквипотенциальности. Почти полная компенсация достигается при использовании преобразователей с пятью выводами ( 7,23, а и б). Сопротивление R ( 7.23, в) в зависимости от полярности ?/„э включается между зажимами /—4 или 2—4. Все схемы обладают тем недостатком, что компенсация нарушается при изменении температуры и магнитной индукции. Более радикальным является изготовление преобразователей из однородного материала и укрепление потенциальных выводов в эквипотенциальных точках.

Строгой теории термоэлектрических явлений на сегодняшний день не существует. Возникновение термо-э. д. с. объясняется суммарным действием двух термоэлектрических эффектов: явления Томсона и явления Зеебека. Явление Томсона заключается в установлении на концах однородного проводника, имеющего температурный градиент, некоторой разности потенциалов вследствие того, что электроны диффундируют от горячего конца проводника к холодному. Возникающая термо-э. д. с., называемая термо-э. д. с. Томсона, определяется выражением

Активное сопротивление для однородного проводника равно

/?-= — сопротивление однородного проводника постоянному току. Коэффициенты kn и /гб учитывают проявление поверхностного эффекта и эффекта близости соответственно.

Вместе с тем температура однородного проводника или однородной токоведущей системы с одинаковыми по длине условиями теплоотдачи,

Переходный процесс охлаждения однородного проводника при отключении тока, При / = 0, и =•= ft,,, У -- 0, уравнение (1.65) имеет зид

Как было указано выше, линии электрического поля в однородной проводящей среде совпадают по направлению с линиями плотности тока и в окружающей диэлектрической среде составляют с поверхностью проводников угол 90° — у. Тогда, поскольку эквипотенциальные поверхности перпендикулярны к линиям напряженности, в толще однородного проводника эквипотенциальные линии ф представятся линиями, нормальными к оси проводника (пунктир на 7-24), а в окружающей среде — линиями, составляющими с поверхностью проводника угол у.

2-3. НАГРЕВ И ОХЛАЖДЕНИЕ ОДНОРОДНОГО ПРОВОДНИКА ВО ВРЕМЕНИ ПРИ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОМ РЕЖИМЕ РАБОТЫ

2-5. Кривые процесса нагревания и охлаждения однородного проводника при продолжительном режиме работы

2-4. НАГРЕВ И ОХЛАЖДЕНИЕ ОДНОРОДНОГО ПРОВОДНИКА ПРИ КРАТКОВРЕМЕННОМ И ПОВТОРНО-КРАТКОВРЕМЕННОМ РЕЖИМАХ РАБОТЫ

2-7. Кривые процесса нагревания и охлаждения однородного проводника при кратковременном режиме работы

2-8. Кривые процесса нагревания и охлаждения однородного проводника при повторно-кратковременном режиме работы