Однородного магнитного

Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольныс молекулы диэлектрика приобретают преимущественное направление ориентации. При этом внутри однородного диэлектрика положительные и отрицательные заряды дипольных молекул компенсируют друг друга, а па границах с обкладками плоского конденсатора остаются нескомпенсированные слои связанных зарядов q , . На границе с обкладкой, заряженной положительно, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на границе с -обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряженность S электрического ноля внутри конденсатора:

Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольныс молекулы диэлектрика приобретают преимущественное направление ориентации. При этом внутри однородного диэлектрика положительные и отрицательные заряды дипольных Молекул компенсируют друг друга, а на границах с обкладками плоского конденсатора остаются нескомпенсированные слои связанных зарядов <7СВЯЗ- На границе с обкладкой, заряженной положительно, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на границе с -обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряженность 8 электрического поля внутри конденсатора:

Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольные молекулы диэлектрика приобретают преимущественное направление ориентации. При этом внутри однородного диэлектрика положительные и отрицательные заряды дипольных молекул компенсируют друг друга, а на границах с обкладками плоского конденсатора остаются нескомпенсированные слои связанных зарядов Q 3- На границе с обкладкой, заряженной положительно, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на границе с -обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряженность 8 электрического поля внутри конденсатора:

поле рассчитывают как электростатическое. В случае однородного диэлектрика (е = const) теорема Гаусса

называется электрической емкостью между этими телами. Она зависит от геометрических величин g, определяющих форму, размеры и взаимное расположение тел, а также от абсолютной диэлектрической проницаемости е диэлектрика: С = F (g, е). Для однородного диэлектрика С = e f (g).

В частном случае однородного диэлектрика при однородном внешнем поле значение Р остается постоянным для любой области этого поля.

Молярная поляризуемость определяется как индуктированный электрический момент грамм-молекулы однородного диэлектрика, обусловленный внутренней напряженностью электрического поля. Это можно выразить произведением поляризуемости молекулы, на число Авогадро:

Электрический пробой неоднородных диэлектриков. Такой пробой характерен для технических диэлектриков, содержащих газовые включения, и так же, как и электрический пробой однородного диэлектрика, весьма быстро развивается.

Рассмотрим методику упрощенного расчета пробивного напряжения при тепловом пробое. Пусть пластинка однородного диэлектрика, обладающего потерями, находится между двумя электродами, как показано на 4-11. К электродам от достаточно мощного источника переменного тока прикладывается напряжение, которое можно увеличивать до пробивного. Рассеиваемая в диэлектрике мощность будет определяться выражением (3-S).

Строгую математическую теорию теплового пробоя для однородного диэлектрика впервые разработали советские ученые академики В. А. Фок и Н. Н. Семенов. Ввиду сложности математического анализа теории ограничимся приведением окончательных выражений для пробивных напряжений и их анализом.

Встречающиеся в решениях (31.12) и (31.14) отраженные волны учитывают тогда, когда необходимо удовлетворить граничным условиям на плоской поверхности раздела двух различных сред. В случае неограниченного однородного диэлектрика надобность в функции Fz (?•+ z/v) отпадает и она должна быть опущена. Этим по существу удовлетворяется граничное условие на бесконечности, где согласно так называемому «принципу излучения» может существовать только волна, удаляющаяся от источника, т. е. функция F! (t — z/v). Вид этой функции определяют из граничного условия на плоскости г = 0. Пусть в любой точке этой плоскости

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл): 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Пренебрегая магнитным сопротивлением сердечника и якоря, найдем по (2.5) энергию однородного магнитного поля в воздушном зазоре высотой х н площадью поперечного сечения 25/2 :

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл) : 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Пренебрегая магнитным сопротивлением сердечника и якоря, найдем по (2.5) энергию однородного магнитного поля в воздушном зазоре высотой ж и площадью поперечного сечения 25/2:

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл): 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Пренебрегая магнитным сопротивлением сердечника и якоря, найдем по (2.5) энергию однородного магнитного поля в воздушном зазоре высотой х и площадью поперечного сечения 2S/2:

235. Определить напряженность однородного магнитного поля в воздухе, если при движении проводника длиной 10 м перпендикулярно силовым линиям поля со скоростью 20 м/с возникает эдс 15 В.

1.68. Заряженная частица, имеющая начальную скорость t>o= =2-107 м/с, движется между обкладками цилиндрического конденсатора по круговой траектории, концентрической к обкладкам конденсатора. Радиусы цилиндрических обкладок #i=50 MM, R2=6Q мм, между обкладками приложена разность потенциалов 800 В. Определить значение и направление индукции однородного магнитного поля, в котором заряженная частица будет двигаться точно так же, как и в цилиндрическом конденсаторе.

где В — магнитная индукция однородного магнитного поля, Тл; / — длина активной части витка, м; v — окружная скорость витка,

дикулярно к линиям однородного магнитного поля с В = const ( 6-14). Проводник будет стремиться перемещаться в том направлении, в котором на него действует сила. Направление действия силы определяется из условия, что изменение энергии магнитного поля при перемещении проводника в этом направлении будет наибольшим. Наибольшее элементарное изменение энергии поля / (Г? будет при перемещении про-

где В — магнитная индукция однородного магнитного поля, Тл; / — длина проводника, м; / — ток проводника, Л.