Однородное распределение

Общий принцип астатического устройства измерительной системы заключается в следующем. Число катушек в механизме удваивается, причем обе катушки в равной мере участвуют в образовании вращающего момента, но их собственные магнитные поля имеют противоположные направления. Всякое внешнее однородное магнитное поле, усиливая магнитное поле одной катушки, на столько же ослабляет магнитное поле второй катушки. В результате внешнее магнитное поле не изменяет общий вращающий момент измерительного механизма.

Астатические измерительные механизмы электромагнитной и электродинамической систем подвергают дололнительной регулировке на симметричность. Для этого измерительный механизм со шкалой включают в цепь тока и помещают в поле катушки, создающей однородное магнитное поле. Если при постоянной силе тока отклонения указателя в магнитном поле и вне его различны, то изменяют взаимное положение сердечников и катушек или рамок и катушек до выравнивания показаний.

Общий принцип астатического устройства измерительной системы заключается в следующем. Число катушек в механизме удваивается, причем обе катушки в равной мере участвуют в образовании вращающего момента, но их собственные магнитные поля имеют противоположные направления. Всякое внешнее однородное магнитное поле, усиливая магнитное поле одной катушки, на столько же ослабляет магнитное поле второй катушки. В результате внешнее магнитное поле не изменяет общий вращающий момент измерительного механизма.

Общий принцип астатического устройства измерительной системы заключается в следующем. Число катушек в механизме удваивается, причем обе катуфки в равной мере участвуют в образовании вращающего момента, но их собственные магнитные поля имеют противоположные направленияj Всякое внешнее однородное магнитное поле, усиливая магнитное nojie одной катушки, на столько же ослабляет магнитное поле; второй катушки. В результате внешнее магнитное поле не изменяет общий вращающий момент измерительного механизма.

Магнитная цепь представляет собой систему последовательно включенных ферромагнитных и других физических тел, по которым замыкается магнитный поток. При отсутствии разветвлений магнитного потока магнитная цепь является неразветвленной ( 9.1.1), а при наличии последних—.разветвленной ( 9.1.2). Простейшая магнитная цепь с регулируемым магнитным потоком (см. 9.1.1) состоит из магнитопровода с поперечным сечением Sc, на котором равномерно размешена обмотка с числом витков w проводника с током /, под действием которого создается однородное магнитное поле с напряженностью (при средней длине линии магнитопровода /cP = /i + /2 + -Нз +/о+ •••). равной Н = ш///ср. Соответственно магнитная индукция в сердечнике магнитопровода с относительной магнитной проницаемостью ц составляет В = цН. При этом магнитный

Возьмем прямоугольную бесконечно малых размеров рамку ео сторонами а, Ъ и током / и поместим ее в однородное магнитное поле с индукцией В (рис, 17.7). Рамку бесконечно малых размеров с током называют магнитным диполем. Рамка в пространстве размещена так, что ее центр совмещен с началом координат, а ось г

1.30. Электронный луч, прошедший ускоряющую разность потенциалов ?/а=1600 В, попадает в однородное поперечное магнитное поле протяженностью /=20 мм в направлении первоначального распространения луча ( 1.10). Индукция магнитного поля В=1,5-10-3 Тл. Определить направление вектора В, угол отклонения <р и отклонение ук электронов при выходе из магнитного поля.

1.31. Протон влетает в поперечное однородное магнитное поле, действующее на расстоянии /=50 мм вдоль первоначального направления движения, и ударяется о поверхность мишени, удаленной от

1.33. Электрон, ускоренный электрическим полем, был направлен под прямым углом в однородное магнитное поле с индукцией В= = 10~3 Тл. Каким должно быть ускоряющее напряжение, чтобы он вращался по окружности радиусом 1 см? Сколько оборотов в секунду он совершит?

1.37. Электрон, прошедший ускоряющую разность потенциалов 1,6 кВ, влетает в поперечное однородное магнитное поле с индукцией 5-10~3 Тл. Определить: а) радиус круговой орбиты электрона и период его обращения; б) параметры траектории, если электрон влетает в магнитное поле под углом 30° к силовым линиям.

1.56. После прохождения некоторой ускоряющей разности потенциалов электроны поступают в однородное магнитное поле. При каком значении ускоряющего напряжения период обращения электронов возрастает на 50% по сравнению с его значением для малых скоростей?

При г, соизмеримых с d, индуктивность согласно [2.4] рассчитывается по (2.39), где используется коэффициент формы /сфз, зависящий от r* = r/d. Максимальная индуктивность достигается при /-^ = 0,19 и практически совпадает с индуктивностью катушки Брукса при одинаковом объеме провода. Достоинством такой катушки является более однородное распределение индукции и, соответственно, механических напряжений по сечению, хотя технология ее изготовления обычно сложнее, чем у катушки с прямоугольным сечением.

В реальной кристаллической решетке атомы при определенных условиях могут обладать большой свободой передвижения и перемещаться из одних узлов решетки в другие. Перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, в направлении уменьшения их концентрации называется диффузией. Диффузия в кристалле, находящемся в состоянии химического равновесия (однородный химический состав, однородное распределение дефектов), называется самодиффузией. Диффузия атомов в кристалле при наличии градиента химического потенциала (градиента концентрации вещества) носит название гетеродиффузии, химической диффузии или просто диффузии.

Понятие «однородное распределение свойств» принадлежит к числу относительных, определяемых точностью метода измерения концентрации примеси в полупровод-пике или каких-либо его физических свойств. Последнее нашло наибольшее применение для оценки однородности свойств полупроводников в производственных условиях чаще всего по данным измерения удельного сопротивления, постоянной Холла, оптического отражения или пропу^ екания и др.

Обработка фильтра различными очищающими химическими реагентами дает лишь незначительное улучшение в работе фильтра. Подобные фильтры хорошо работали в исследовательских петлях, но исследования выявили два различия в условиях применения. Петлевые фильтры имели более однородное распределение пор, чем реакторные фильтры, и использовались только при номинальной температуре системы. Фильтры реакторных установок периодически работали при низких температурах. Было сделано предположение, что забивание фильтров реакторных установок, вероятно, вызвано неполной кристаллизацией низкотемпературных продуктов коррозии. Данный фильтр был заменен на другой подобной конструкции. При заданных условиях работы непрерывная очистка не могла быть достигнута и от применения фильтра пришлось отказаться. Интерес к высокотемпературной фильтрации содействовал исследованию магнетитовых фильтров. Ларсон и Вильяме [2] измерили эффективность извлечения шлама и радиоактивных примесей магнетитовым фильтром диаметром 38 мм и высотой 760 мм в малых нереакторной и реакторной петлях при 260° С. Пауль-сон [3] изучал возможность использования магнетита фракции 40—70 меш, поставляемого фирмой «Фут Минерал Компани», в больших аксиальных фильтрующих слоях. В опытах использовались пять систем:

При ВП однородное распределение тока через транзистор сменяется неоднородным. При этом возникает положительная обратная связь, при которой увеличение локальной плотности тока вызывает увеличение температуры в этой области, которая в свою очередь вызывает ещё большее увеличение плотности тока и т. д. На 3.21 в качестве примера приведены области безопасной работы реальных транзисторов фирм Fuji и Toshiba.

Современный уровень развития технологии метода Чохральского в нашей стране и за рубежом позволяет получать монокристаллы с весьма высокой однородностью распределения кислорода. Обеспечение радиальной однородности достигается за счет управления потоками вынужденной конвекции в расплаве [201]. Использование метода плавающего тигля [202] позволяет получать однородное распределение кислорода по объему монокристалла и может обеспечить поддержание заданного дискретного уровня его концентрации. Было описано, что эффективным методом управления содержанием кислорода в монокристалле кремния является воздействие на расплав магнитного поля.

149. Однородное распределение микродефектов Л-типа 9 поперечном (а) н продольном (6) сечениях монокристалла кремния. X 1,0

Из (42) видно, что ошибка в определении концентрации атомов фосфора, трансмутационно вводимых в кристаллы кремния при их облучении тепловыми нейтронами, определяется точностью измерения потока тепловых нейтронов, а однородность легирования кремния обусловлена равномерностью потока тепловых нейтронов по высоте и диаметру слитка. В результате мы должны получить предельно однородное распределение 31Р, отражающее распределение 30Si в облучаемом кремнии.

дифференциальной подвижности: если при положительной по-.движности имеет место диэлектрическая релаксация и накоп-.ленный заряд рассеивается, то в случае отрицательной подвижности заряд резко возрастает. Это означает, что при отрицательной дифференциальной подвижности однородное распределение заряда очень неустойчиво. Именно эта неустойчивость .лежит в основе работы диода Ганна.

Если привести в соприкосновение два вещества, то произойдет обмен зарядами между двумя контактирующими поверхностями. После разделения двух веществ разделение зарядов может частично остаться. На одном веществе будут преобладать положительные, а на другом — отрицательные заряды. Начальное однородное распределение зарядов изменяется, и оба вещества станут электрически заряженными.

Однородное распределение легирующей примеси в высокоомной базе фотодиода реализуется з сплавных структурах 'с р — «-переходом. К. такому типу приближается распределение примеси в диффузионных р — и-переходах, когда в соответствии со скоростью диффузии примеси реализуется ступенчатый характер ее распределения в легированном слое. Такие р—п-пе-реходы в кремнии были получены, например, диффузией бора и фосфора. В структурах с однородным распределением примеси генерируемые светом в п- и р-облас-тях носители заряда движутся только вследствие диффузии. Полем перехода «разводятся» только те неосновные носители, которые генерируются на расстоянии от перехода, меньшем соответствующей диффузионной длины в л- и р-областях.